液晶、显示材料

0118300减少氧对 Spindt 型钼锥 FED 器件发射性能的影响[刊]/季旭东//光电子技术.—2001,21(2).—120～124(K)本文讨论了氧对 Spint 型钼微尖锥 FED 器件发射性能的影响。并介绍了一种减少这种影响的方法——在氩气环境中焊封 FED 器件。参4     

FED技术展望

1968年美国斯坦福研究的C．A．Spindt首次作了场致发射型发射陈列（FEA）的报告，法国的LETI宣布试制出了原型的场致发射显示器（FED），从那时起已经过了18年的时间。以此为契机，进人1990年后，经欧美为中心开发出了次进化薄型平面Spindt型FED。1998年美国Candesente公司宣布试制出了5．3英寸的FED。1998年美国Candesente公司宣布试制出了5．3英寸的FED，2004年日本双叶电子工业宣布试制出了11．3英寸的FED，15英寸以下的小型管已经达到了实用化的水平。     

场致发射显示技术研究进展

首先回顾了Spindt型微场发射技术，介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理，讨论了目前这项技术所面临的问题，着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展，包括纳米碳管和复合材料在FED中应用前景。     

减少氧对Spindt型钼锥FED器件发射性能的影响

本文讨论了氧对Spindt型钼微尖锥FED器件发射性能的影响,并介绍了一种减少这种影响的方法－在氩气环境中焊封FED器件。     

场致发射显示中的跳跃式电子传输

Spindt雏尖技术花费过于昂贵，而碳纳米管产生的亮度不均匀，但HOPFED技术能够实现FED技术的期望．     

新型背光源——场致发射背光源

阐述了几种常见背光源的优缺点及FED背光源的发展概况,并针对目前FED背光源存在的问题,介绍了两种解决方法。概述了FED背光源的技术前景。     

彩色FED显示器的图像处理技术

为了改善FED显示器的显示质量,从FED所特有的光电特性入手,给出了FED显示特性的B-T预校正曲线;并基于目前所采用的标准电视信号作为图像信号源,介绍了FED非线性校正算法.在分析FED三基色色度特性的基础上,介绍了FED色度还原算法的理论模型,并把该校正算法成功应用到FED的视频显示中去,使图像质量得到较好的改善.     

终端设备与显示设备

0309807新型 PDP 放电单元结构分析[刊]/徐静声//电子器件.—2002,25(4).—413～419(L)0309808场致发射显示技术研究进展[刊]/李俊涛//电子器件.—2002,25(4).—332～339(L)首先回顾了 Spindt 型微尖场发射技术,介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论丁目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来     

Pix Tech公司的FED器件介绍

FED领域的大哥大──法国PixTech公司，已推出若干种FED器件。1996年11月与台湾联友光电签定合同，以此作为其在海外的生产基地，计划从1998年4月开始形成月产1万块的规模。目前该公司已推出的产品介绍如下：FED器件由于是自发光形式，它的视角比LCD宽，反应速度快。并且容易实现大屏，这方面它的功耗又比PDP低。它的目标是实现与CRT同一水平的画质。Pix Tech公司的FED器件介绍@岳立     

现代显示技术的研究进展

结合其发光原理及特点分析了阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)的市场走向,认为FED是一种最理想的显示器。对FED不同类型的阴极场发射阵列(FEA)进行比较,认为碳纳米管薄膜阴极是目前最有希望实现FED市场化的场发射体。     

金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。     

场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展

场发射显示器(FED)是一种新发展起来的平板显示器。它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求，然后介绍了FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作。最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。     

场发射显示器阴极的制备方法及研究现状

目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

场发射平面显示器件面临的困难和前景

分析了以Ｓｐｉｎｄｔ场发射尖锥为基础的场发射平面显示器（ＦＥＤ）,在技术上所面临的困难及其前景,同时也展望了很有希望的、其他类型场发射平面显示器。     

场发射平板显示技术的研究方向

本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术，微显示技术的发展，从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。     

具有微小栅极孔径的场发射阴极的模拟

利用有限元方法计算了具有微小栅极孔径的Spindt结构场发射阴极在不同栅极形状、孔径、电压下的电场分布和电子轨迹，并根据电子运动轨迹计算了场发射电子束的发散角和发射效率。计算结果表明微小栅极孔径可以有效减小场发射电子束的发散，同时通过调整栅极的形状可以获得较高的场发射效率。