液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。     

等离子体增强化学气相淀积SiO_2/InSb钝化膜的研究

本文叙述了应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,对InSb光伏器件的表面进行钝化。实验中采用正交实验的方法,选择了射频功率、反应气体的流量比、衬底温度等三种工艺因素,及其三个位级的变化所引起的对锑化铟器件上淀积的二氧化硅钝化膜的物理、化     

烷氧基硅烷混合热解淀积PSG二次钝化膜的工艺探讨

PSG(Phosphosilicate Glass)膜是硅器件常用的表面钝化膜.本文介绍一新的常压淀积系统,在外部引入富氧的条件下,可使烷氧基硅烷的热解温度降至400℃以下,从而特别适用于淀积二次钝化膜.给出了工艺的实验曲线和采用正交试验优化的工艺规范以及淀积膜的一般特性.     

离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜的特性

用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。     

钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

PECVD技术淀积硅Pn结太阳电池的双层抗反射膜

等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间的隔离提供了方便.用PECVD技术生长的氮化硅     

用于化学汽相淀积的硅源气体

本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。     

提高热分解淀积SiO_2质量的方法

当把正硅酸乙酯的源温控制在13℃左右时,其热分解速率大大降低,所淀积的SiO_2的致密性和对扩散杂质的掩蔽能力大大提高,可     

用于平面型Gunn畴雪崩器件的SiO_2低温淀积技术

<正> 制作平面Gunn畴雪崩器件的材料是在掺Cr的高阻GaAs衬底上汽相外延一层n-GaAs,其电子浓度为1×10~(15)～1×10~(18)cm~(-3),厚度为6～15μm,迁移率为4000～7500cm~2/V·s。在这样的材料上生长SiO_2,常压下,当衬底温度大于630℃时,由于As的升华,使GaAs的晶体完整性受到损坏,而在较低温度下(如420～450℃)淀积时,SiO_2常出现破裂或脱落现象。 GaAs的热膨胀系数为5.9×10~(-6)℃~(-1),而SiO_2为0.4×10~(-6)℃~1,相差一个数量级以上;此外,SiO_2的应力,300K时为1～6×10~3N/cm。实验表明,在GaAs上淀积的SiO_2厚度超过5000(?)时便产生破裂。而P_2O_5在GaAs上淀积1500(?),却未观察到裂纹,因为P_2O_5的热     

热壁低压化学汽相淀积二氧化硅钝化膜的制备和应用

本文叙述低压化学汽相淀积法制备二氧化硅钝化膜的系统装置及其工艺实验概况。其次简述二氧化硅膜的性质及其在铂化硅肖特基势垒红外探测器研制中的应用。     

在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜

本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。     

硅上SiO_2膜的红外吸收光谱

本文用IR-450S型红外分光光度计测量了湿氧热氧化、开管水蒸汽热氧化和氧等离子体阳极氧化SiO_2膜在室温下的红外吸收光谱。实验表明,在2.5～50μm波段内,其红外吸收带的位置均靠近9.26μm、12.42μm和21.88μm。     

用于激光淀积多层膜的超高真空自动化装置

目前在X射线光学中的重要进步同用于X射线辐射的多层膜的出现有关.多层膜应当包含40—300个0.5—10nm厚的层,层间的表面粗糙度<0.3nm,在整个多层膜面积上中间层的厚度不均匀性≤1%,层的相互交界厚度≤0.3nm.在制作多层膜的过程中     

用于硅表面低温钝化的阳极二氧化硅膜的优化

用于硅表面低温钝化的阳极二氧化硅膜的优化＝Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆａｎｏｄｉｃｓｉｌｉｃｏｎｏｘｉｄｅｆｉｌｍｓｆｏｒｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃｏｎｓｕｒ－ｆａｃｅｓ［刊，英］／Ｍｅｎｄｅ，Ｇ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ...     

含氢非晶硅(a-Si:H)用于台面型硅变容管的钝化保护

本文报道了用含氢非晶硅作为台面型硅变容管钝化新方法.这种方法采用SuO_2 α-SiH双层钝化膜结构.在α-Si:H淀积过程中,严格掌握衬底温度,采用相应的退火条件,以确保钝化膜的必要的稳定性.这种钝化方法能明显地降低反向漏电流,比单层SiO_2钝化可使器件成品率提高一倍左右.器件经过高温、潮湿、高温电老化、常温存放等环境试验,显示了具有高可靠性与稳定性.本文对于用SiO_2 α-Si:H的钝化机理也作了初步的探讨.     

采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件.     

采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用 TEOS和 H2 O混合物进行 PECVD生长 Si O2 膜的研究工作 .氧化硅折射率分布在 1.45 3±0 .0 0 1的范围 ,且随偏离中心距离基本不变 .薄膜厚度是中央大 ,边沿薄 ,其厚度相对变化不超过± 1.5 % (5 1mm衬底 ) .利用 TEOS源 PECVD,并结合退火技术 ,摸索出厚膜氧化硅生长工艺 ,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过 15 μm氧化硅厚膜 ,可用于制备氧化硅平面波导器件 .     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．