一种可兼容两种卫星波段的卫星天线

卫星通信技术使用着几个重要的卫星通信频段．L波段{1．6／1．5GHz）、C波段（6．0／4．0GHZ）、Ku波段（14．0／11．0GHz）和Ka波段（30／20GHz）。因此．建立一种基于两种甚至多种卫星波段为接收信号的全自动寻星系统,对于以应急通信为目的的VSAT卫星系统．就显得比较有必要。     

4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器

采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。     

安立推出ML8741B扫描仪

近日，安立公司推出了ML8741B扫描仪，该扫描仪用于测量1．7GHz波段的WCDMA基站覆盖。ML8741B沿袭了ML8720B／C场强仪的特点，是一款低价位、无显示屏的产品．尤其适合基站的车载测试。ML8741B内置了MX874100B 1.7GHz WCDMA测量软件，与常规PC车载测试工具相连．在存在很大干扰、覆盖密集的城区也可以获得可靠的1．7GHz波段的传播性能，从而精确并高效地优化基站覆盖。     

ROF系统中基于SOA非线性效应的光子上变频技术研究

在光载射频（ROF）系统中,为了将承载信息的光基带信号上变频到微波／毫米波波段,本文基于半导体光放大器（SOA）中的交叉增益调制（xGM）和交叉相位调制（XPM）效应实现了光子上变频：即实现了1．25Gb／s基带信号到30GHz的毫米波信号的转换。文中分析了SOA驱动电流的变化（50～200mA）和信号光与本振光波长间...     

瑞萨科技高性能硅锗单片微波集成电路

瑞萨科技公司（Renesas Technology）推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）HA31010。HA31010的主要特性如下：2AGHz／5GHz双模操作，在单个芯片中集成了支持IEEE802．1lb／g无线局域网标准的2．4GHz频段放大器电路，和支持IEEE802．11a标准的5GHz频段放大器电路；     

BLL6H1214-500：LDMOS晶体管

NXP推出针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（简称LDMOS）晶体管，该晶体管在1.2GHz到1．4GHz的频率之间带来达500W的RF输出功率。     

卫视星空（二十三）

一 Ka波段卫星通信在全球的发展 随着卫星宽带多媒体业务需求的快速增长,传统应用的C波段和Ku波段目前已十分拥挤．越来越无法满足市场的需求．令Ka波段（20～40GHz）成为全球各地,特别是欧美地区,卫星高清电视及宽带多媒体双向业务的首选频段。     

机翼和旋翼上的电子眼：为提高机载预警而改进的探测器

1944—1945年，为满足美国海军战斗群在太平洋地区应对日本自杀式攻击的需要，机载预警雷达（AEW）应运而生。如今，AEW已从第一代仅能测距的探测器发展成为三维多功能装备，提供机载威胁检测、跟踪和地对空战斗管理能力。同样地，国内外大多数最新一代的机载预警雷达正在从机械扫描发展成为机械电子混合扫描或者完全电子扫描。可检测的机载目标也正从大雷达截面积（RCS）的目标（如战略轰炸机等）扩展到“隐身”目标、小RCS目标，如巡航导弹。频率的选择是在对特定距离、目标尺寸及检测难度需要进行综合考虑的基础上进行的。目前比较常用的频段包括：超高频（UHF，300MHz-3GHz）、L波段（1—2GHz）、S波段（2—4GHz）、X波段（8—12．5GHz）。     

802．11a／b／g／n FEM前端模块

Avago Technologies（安华高科技）近日宣布,推出完整的射频（RF）802．11a／b／g／n前端模块产品,可在2．4GHz和4．9到5．9GHz等频带下工作,完全集成的AFEM-9601多功能模块兼容无线局域网（WLAN）标准,并面向非常注重效率和性能表现的无线网络大型数据文件,例如视频传送的多输入多输出（MIMO）应用进行优化。     

L／X双频段12米自跟踪天线研制

研制了一种工作在L／X双频段的12m圆极化自跟踪天线,L波段工作频率1．698-1．71GHz,X波段工作频率7．14～8．4GHz,天线具有左右旋圆极化同时接收和同时自动跟踪的功能。论述了天线系统的组成与工作原理以及关键微波部件的设计技术及其性能,给出天线在L／X两个频段的辐射方向图以及增益和噪声温度的测量结果。     

瑞萨科技 MMICHA31010

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp．）推出一种用于无线局域网（LAN）终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）MMIC HA31010—     

一种双波段MEMS低噪声放大器设计

本文利用一种MEMS电容式开关并联实现双波段2．1GHz／4．6GHz微机械低噪声放大器。根据MEMS电容开关的电容特性,实现LNA电路匹配阻抗的变化、在不同的波段实现谐振匹配,从而实现双波段分别放大的功能。首先提出一种电容式开关的设计,理论、仿真分析了开关的特性,开关在2．21GHz和4．8GHz具有良好的插入损耗和隔离度、插损为2．2dB左右,隔离度达到30dB以上。其次将开关引入于基于Casoode放大管的LNA电路中、和CMOS电路具有很好的兼容性,设计了LNA的电路模型和仿真分析、分析结果表明,在频率为2．21GHz时、增益达到11．4dB,4．8GHz时、增益达12．5dB,二波段隔离度在30dB以上、噪声在4．1dB左右,该研究方法和设计克服了普通双波段LNA需要两路单独电路的缺点,该器件可应用在Wimax,WiFi等3．5G、4G无移动通信网络中。     

安华高科技推出高性能4×6mm双频带WiFi前端模块

安华高科技近期推出完整的射频（RF）802.11a／b／g／n前端模块产品,可在2．4GHz和4．9到5．9GHz等频带下工作,完全集成的AFEM-9601多功能模块兼容无线局域网（WLAN）标准,并面向非常注重效率和性能表现的无线网络大型数据文件,例如视频传送的多输人多输出（MIMO,Multiple-In,Multiple-Out）应用进行优化。     

具有2.4GHz RF收发功能的单片收发器

在基于ISM（工业，科学，医学）波段（2.4GHz波段）的无线消费类产品（包括IEEE802．11无线LAN、Bluetoth基短距离（大约30英尺）PDA、手持通信机、DECT电话和把声音、数据结合在一起的无绳HomeRF产品）中，采用NationalSemiconductor公司的LMX3162收发器IC可使产品价格降到20～50美元范围。LMX3162收发器（见图1）是用BiCMOS制造的单片IC，它包括低噪声混频器、IF（中频）放大器／检波器级和锁柏环（PLL）。尽管此器件是一个完整的无线电前端，但它旨在与板外低噪声放大器（LNA）、声表面波（SAW）滤波器、接收链路中…     

X-波段MEMS单刀双掷开关的研究

利用X-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X-波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为;阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率（10GHz）处,导通开关的插入损耗为-0．2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。     

96×50 GHz光波分复用/解复用器

报导了一种采用阵列波导光栅（AWG）及梳状分波器（Interleaver）技术的C波段96波长／50GHz间隔的密集波分复用／解复用器,器件提供0.13nm通带宽度;通带宽度内各信首插入损耗小于6.3dB,相邻信道隔离度大于28dB,PDL小于0.3dB,在0－65℃温度范围内各信道中心波长变化小于0.05nm。     

发烧友谈馈源技术（四）——正馈天线Ku波段接收技术（下

笔者曾用2．1m网状天线（细网C／Ku兼容）收视Ku波段．结果高价的正馈Ku头和普通偏馈Ku头的收视效果没什么区别．始终就是0．9m偏馈天线的水平。算一下这面2．1mC／Ku兼容天线的Ku波段效率,查表可知：2．1m天线Ku波段效率50％（正常效率）。增益达45．5dB（注：这是表中天线的最低可查效率）,实际只相当于0．9m偏馈．效率70％．增益39．5dB．     

集成USB控制器的1GHz以下RF片上系统——射频、MCU、快闪以及USB的全面组合

CC1111结合了多种器件的优异性能，其中包括RF收发器（C01101）、增强型8051微控制器（MCU）、8／16／32KB系统内可编程闪存以及全速USB控制器。其可满足多种低功耗无线应用的要求，其中包括报警与安全系统、自动读表、工业监控、家庭与楼宇自动化以及遥控等。CC1111与CC1110（低于1GHz的SoC）、CC2511（支持USB的2．4GHz SoC）及CC2510（2．4GHz SoC）实现了引脚和寄存器兼容。     

高集成度的ADSL2／2＋系统级芯片

XWAY ARX300系列是专为支持电信运营商在全球市场上增强并拓展ADSL2／2＋服务而设计的。主要特性：可支持在2．4GHz或5GHz频带上运行的集成而灵活的802．11n无线局域网（WLAN）连接。XWAY WRX312（2×2MIM0,2×2多输入多输出）和XWAY WRX313（3×3MIMO,3×3多输入多输出）配套芯片,都是集成了针对2．4G频段功率放大器的低功耗多标准IEEE802．11a／b／g／n的射频收发器;     

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载／源牵引方法设计制作了一种Si波段GaN宽禁带功率放大器（10W）。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2．3～2．4GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67％的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。