材料的纯度对铝电解电容器耐久性的影响

为满足整机对铝电解电容器提出的１０５℃２０００ｈ及１０５℃５０００ｈ高可靠性要求,从溶质纯度、吸氢剂纯度以及电容器材料含水量等方面进行实验,研究了其对电容器耐久性的影响。实验结果表明,所用原材料的纯度及含水量均是影响铝电解电容器耐久性的重要因素。指出提高原材料纯度并进行耐久性考核,严格电容器芯子干燥工艺,尽快拟定１０５℃系列产品的国家标准的必要性。     

材料的纯度对铝电解电容器耐久性的研究

为满足整机对铝电解电容器提出的１０５℃２０００ｈ及１０５℃５０００ｈ的高可靠性要求。从溶质纯度、听氢剂纯度以及电容器材料含水量等方面进行实验，研究了其对电容器耐久性的影响。实验结果表明，所用原材料的纯度含水量均是影响铝电解电容器耐久性的重要因素。指出提高原料纯度并进行耐久性考核，严格电容器芯子干扰工艺，尽快拟定１０５℃系列产品的国家标准的必要性。     

一种净化氢的高效脱氧催化剂

电真空器件的金属零件一般都要经过氢处理,以活泼的氢来置换掉熔解在材料内部的各种杂质气体分子,并使被氧化的金属表面重新还原。此外,金属零件或材料在退火或焊接时,也往往要置于氢气氛的保护中。氢处理对于氢气纯度的要求很高,尤其是对零件质量危害性最大的氧,一般要求其残留量在10ppm以下,即低于0.001%.但目前使用的电化氢(即电解NaCl所得的氢)纯度仅为98.5%,远远不     

三期#5机组机氢气纯度低分析

为使机组能够安全、可靠、经济、稳定地运行,严格地保证机内氢气的纯度是绝对必要的。#5发电机内的氢气纯度降低过快,要频繁利用补、排氢的方法提机内的氢气纯度,这对机组的安全运行构成潜在威胁,同时也造成了一定的经济损失。本文就对发电机组氢气纯度下降的原因和具体的处理方法进行了详细的分析以保机组安全、可靠、稳定、经济地运行。     

1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件

基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。     

提高致冷机低温泵抽氨能力的途径

众所周知,迄今在高真空和超高真空压力范围内所使用的真空泵,对氢的抽速能力受到了各种因素的限制。这对许多科研和工业应用,带来了不利的影响。通常,氢是许多金属材料放气的主要成分。它在真空系统中的放气(?)有时大大超过了抽气装置的抽气速(?),因此在很大程度上大大降低了系统所能达     

氢等离子体还原制备纳米镍粉/铜粉研究

通过氢等离子体一步还原碱式碳酸盐制备了纳米金属镍粉和铜粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜( FESEM)检测了产物的纯度、晶体结构、颗粒尺寸和形貌.分析了氢等离子体还原合成金属粉体的过程.结果表明:产物为纯相的金属镍粉和部分氧化的铜粉,粒度均匀、分散性好,平均粒径约为100 nm.氢等离子体还原过程...     

内热和环境热对砷化镓器件与电路相互作用的影响

一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空因数和室温条件下,提出了材料的纯度和均匀性以及在基频和谐波频率下适当的电路负载的准则。本文的目的是获得器件热效应的结果和考虑对说明这些器件变化所必要的谐振电路的改变。热效应可改变峰-谷端电流比和低场阻抗。结合电路负载阻抗来考虑时,达两个参数决定效率和偏压击穿极限。     

Nd:YAG激光器的阈值能与钕浓度的函数关系

为了求得低阈值能的最佳激光振荡条件,本文讨论了Nd:YAG激光器的阈值能性质与钕离子浓度的函数关系。实验用的晶体掺以给定的钕离子浓度,并用提拉法生长。原材料Al_2O_3,Y_2O_3和Nd_2O_3的纯度达99.99％。晶体在流速为1     

钕铁硼氢爆制粉氧化机理分析

在室内静态环境下，通过自然增重实验，研究了烧结钕铁硼、氢爆粉和非氢爆粉氧化速率差异。结果表明，总体氧含量，由于氢的参与和粉体内在化学特性，导致氢爆粉低。     

环境温度对氢原子钟稳定度的影响

环境因素对氢原子钟性能指标的影响不容忽视，在计量和使用过程中必须加以严格控制。本文从氢原子钟的构成入手，分析了影响氢原子钟频率稳定度的因素，并重点对环境温度的影响进行了分析和实验。实验结果表明，环境温度对氢原子钟频率短期稳定度影响不大，会严重影响长期稳定度指标。     

色谱分离与离子交换法用于单体液晶的纯化研究

本文介绍了色谱分离和离子交换联合使用的方法。使用该法达列了提高单体液晶的纯度和电阻率的目的。     

衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响

本文讨论了衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响。高纯衬底采用MOCVD生长的非掺杂的缓冲层,而低纯衬底则使用注碳离子和(或)注氧离子的衬底。当沟道下面注入碳离子和(或)氧离子时,阈值电压强烈地改变。衬底不纯时,短沟道效应便被很好地抑制住了。     

半导体生产中的超纯水

许多工业,龙其是制药业和电子工业,消耗的超纯水量与日剧增。虽然在这些工业中使用超纯水的原因不尽相同,但对超纯水质量标准的要求却大抵相同。当低功率 MOS 集成电路开始大量投产时,人们就认识到:通过对作功的晶体表面强去污便可改善这类 MOS 电路(例如手表电路)的工作可靠性和长期稳定性。这种想法就是最大限度地清除离子,特别是碱金属和重金属离子,化学家证实了超纯水是一种最有效的去污剂。超纯水可认为是一种纯度达99.99999~+     

电源纹波对频率源频谱纯度的影响

在微波测试领域,关于电源纹波基本是原理性研究,而针对性研究电源纹波对频率源相位噪声影响的分析或者实验实例更少,对微波电路的电磁兼容设计方面缺乏参考。文中在电源纹波对频谱纯度的影响概念性分析基础上,主要针对现代雷达系统中电源纹波对频率源频谱纯度的影响展开研究,通过分析电源纹波对频谱纯度影响的机理,采用模拟数据仿真的方法探索电源纹波对不同类型频率源频谱纯度的影响,并进行实际测试数据对比仿真结论,得出频率源频谱纯度受电源纹波影响的主要因素以及相互关系,为电路设计者提供数据支持。     

不同类型光纤在不同老化条件下的氢老化特性

研究了在不同波长下氢压力和试验时间对光纤衰减的影响。测定了来自不同生产厂家的各种类型光纤对氢的灵敏度。此外．讨论了光纤的标准化以及氢老化的试验方法，并提出了一些改进。     

氘气处理消除光纤氢敏感性

通过分析光纤的过氧基缺陷,用氘气对成品低水峰光纤进行处理,以降低光纤的氢敏感性。结果表明,氘气处理后光纤在1383nm的氢损值小于0.01dB/km,并且这种抗氢损能力不随时间变化而变化,从而保证了光纤长期使用过程中的稳定性。     

集成OAM光束发射器模式纯度仿真分析

本文通过FDTD仿真和偶极子建模仿真对不同OAM发射结构的模式纯度、模斑半径、辐射能量密度等参数进行了研究，并且分析了阶数、背向散射、耦合损耗等因素对模式纯度的影响。     

氢引起光纤损耗增加的实验估算

通过对MCVD多模光纤进行高温通氢实验和对样品在空气中恢复情况的测量,提出了一种估算氢分子与氢氧根对1.3μm、1.55μm处影响损耗增加的方法。用导出公式对光纤中由氢引起的损耗增加进行了预测。     

原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌

研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成.提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制.为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考.