嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

应用计算机数值模拟方法计算ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 及ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｉ （ａ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 异质结太阳能电池中的电场强度分布, 说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ∶Ｈ 膜厚选择,进而对嵌入ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析, 包括ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层ｐ 型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择, 最后讨论μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池稳定性     

异质结硅太阳能电池a—Si：H薄膜的研究

通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程，对热平衡态P^ （a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出，采用更薄P^ (a-Si：H）薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集，从而提高a-Si/c-Si异质结太阳能电池的性能。同时，还讨论了P^ (a-Si:h)薄膜中P型掺杂浓度对光生载流了传输与收集的影响。高强茺光照射下模拟，计算表明，a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性。     

嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

应用计算机数值模拟方法计算p+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p+(μc-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异质结太阳能电池稳定性.     

a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性

测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.     

Si／Si1—xGex异质结器件

本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。     

a—Si：H带尾态的光致变化

为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了光吸收Urbach尾,从而确定了价带尾的光致变化情况.实验结果表明:光照以后,导带尾态和价带尾态都增加了.作者认为:在集团氢存在的地方,与光照引起的Si-H键断裂相伴随的Si-Si弱键的增加是带尾态增加的原因.     

有机体异质结太阳能电池的数值模拟

引入了一种可以直观展现出聚合物体异质结太阳能电池的伏安特性的数值模型,该模型是由双分子复合以及温度和电场效应下自由载流子产生的机制。这个在聚合物材料中的到很好的体现,该材料中空间电荷效应只起到微弱的作用,从而在模型中形成相对恒定的电场。此外,在短路条件下只有7%的自由载流子由于双分子复合而消失。该模型证明在PPV/PCBM太阳能电池中随着空穴迁移率的增加和减少受体0.5电子伏特将得到5.5%最高转换效率。     

a—Si：O：H钝化膜

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.     

a—Si：H和a—SixH1—x：H光学特性的研究

本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H在波长为200A-6000A的范围内的光学常数.着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律.     

a-SiC/c-Si异质结太阳能电池中a-SiC:H薄膜的设计分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡p (a-SiC:H）/n(c-Si）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了p (a-SiC:H）膜厚及其p型掺杂浓度设计,还讨论了p (a-SiC:H)/n(c-Si）异质结太阳能电池稳定性。     

本征α—Si：H中隙态的时间常数及俘获截面

制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体结构；用高精度密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容，电导谱，通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。     

a—Si：H光导成像器件

利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理,包括三     

开创了第二代硅新技术的Si／Si1—xGex异质器件

综述了国内外Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的发展状况，指出了Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的特点和优越性，分析了该器件的结构机理和制造技术，阐述了该器件的应用前景和对微电子技术将产生的重大影响，并提出了发展我国Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的建议。