共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
SOC布图设计中的互连优化算法 总被引:2,自引:2,他引:0
使用Elmore时延模型,对二端连线的缓冲器插入方法进行了详细的讨论.给出了最小时延下,缓冲器的最佳数量和位置;同时给出了在一定时延约束条件下的缓冲器的最小数量及位置;并在典型的0 .18μm工艺参数条件下进行了测试.测试结果显示,缓冲器插入方法可以显著地减小线上的时延,而且缓冲器的数目将随着时延约束的放宽而迅速下降.当时延约束仅比最优时延多5 %时,插入的缓冲器数目就降到了最佳缓冲器数的70 %左右,这一结果对缓冲器插入算法具有普遍的指导意义. 相似文献
7.
8.
9.
10.
11.
利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计.结果表明,当金属导线的纵横比接近2时,线间耦合电容对互连总电容的影响将占主导地位.在超深亚微米工艺条件下,当金属线宽和间距比例W/P的最优质值为0.5~0.6时,计算的互连延迟为最小.此外,还给出了低介电常数材料对互连线电容和延迟的影响,为超深亚微米级的集成电路设计与实现提供有益的参考. 相似文献
12.
一种多端口器件测量技术 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一种用二端口矢量网络分析仪(VNA)对多端口器件进行测量的方法,该方法运用简单的迭代法,减小由于其余端口所接负载的非匹配性引入的误差,易于通过软件实现。利用该方法对三端口器件巴伦进行测量,并将最后结果与三端口VNA测得的结果进行比较。比较结果表明,幅度误差小于0.2dB,相位误差小于3°。该方法在多端口VNA不可获得的情况下,可以应用到多端口器件的精确测量上。 相似文献
13.
深亚微米VLSI电路中互连线的几何优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3~ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串扰 (Crosstalk)特性 ,通过优化互连线及驱动管的几何尺寸可以显著地减小互连线的延迟及串扰噪声。 相似文献
14.
ULSI中的铜互连线RC延迟 总被引:2,自引:0,他引:2
随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展,互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高,同时考虑到电迁移和功率损耗,人们开始寻找新的互连材料;低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能,主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。 相似文献
15.
16.
高速、高性能MCM中,往往把电路设计在欠阻尼小振荡输出的工作状态,以保持信号在互连传输线中的快速和平稳传播。已有文献关于互连延时的研究往往是针对过阻尼或欠阻尼大振荡工作状态,即对应于通常的IC和PCB互连,即使对高速VLSI互连延时的研究,考虑到计算的复杂性和有效性,也往往只处理过阻尼和欠阻尼大振荡两种状态,因此若将给出的结果用于研究MCM互连延时,误差相当大甚至无效。本文提出了一种研究MCM互连延时的方法,并给出了延时在3种工作状态下与各物理参数之间的确定公式。 相似文献
17.
18.
19.
周德俭 《中国电子科学研究院学报》2013,(6):563-567
电气互联技术是电子产品先进制造技术的典型技术,具有机电结合技术综合度高的特点.电气互联技术已经由以表面组装技术(SMT)、微组装技术、立体组装技术和高密度组装技术等技术为标志的发展时期,逐步进入了以光电互联技术、结构功能构件互联技术等为标志的新技术发展时期,其特征是技术综合度更高、机电关联性更强、互联工艺难度更大、对电子装备系统性能和功能的影响更为直接.简介了电气互联技术及其光电互联、结构功能构件互联新技术的基本概念和发展动态. 相似文献