基于液压模型的功率MOSFET有效输出电容测试方法

输出电容是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数。在开关应用中,根据输出电容C_(oss)来确定器件的开关损耗具有一定的局限性。为了准确地评估器件的开关损耗,研究了功率MOSFET的有效输出电容C_(oer)和C_(otr)及其测试方法。首先,以液压模型理论为基础阐述了器件参数C_(oer)和C_(otr)的具体含义,并完成相应的测试电路设计。然后,建立了基于测试电路的数值计算模型;为了保证测试精度,模型中充分考虑了电压测试电路产生的负载效应。最终,采用该方法对器件的有效输出电容进行测试和计算。实验结果表明,该测试方法能对功率MOSFET的有效输出电容进行可靠测试。     

功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等同题.借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导.     

功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型. 分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等问题. 借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导.     

一种减少VDMOS寄生电容的新结构

分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.     

宇航VDMOS器件单粒子辐射加固技术综述

宇航用功率VDMOS器件是航天器电源系统中实现功率转换的核心元器件之一。针对航天器对宇航用功率VDMOS器件的发展需求,在总结国内外宇航用功率VDMOS器件产品及技术发展现状的基础上,对比分析了宇航用功率VDMOS器件在技术水平、系列化程度、长期可靠性和系统应用等方面存在的主要差距。对我国宇航用功率VDMOS器件的主要任务进行了展望。     

耗散功率与环境温度对功率VDMOS热阻的影响分析

运用电学测试法,以两款不同封装类型功率VDMOS为实验对象,考察了耗散功率和环境温度对器件稳态热阻值的影响。结果表明：器件热阻值不是一个恒定不变的常量,由于电流拥挤效应,材料导热系数等条件的改变,它会随耗散功率及环境温度的增大而增大。该研究加深了对功率器件热阻理论的认识,为功率VDMOS的热特性评估提供了可靠的依据。     

意法半导体推出超低电容EMI滤波器

意法半导体日前推出两款低电容EMI滤波及静电放电（ESD）保护芯片。这两款产品的设计可用于抑制灵敏型高容量设备的LCD显示屏和相机产生的EMI／RH噪声，移动电话、计算机、打印机和微控制器的电路板都会产生这类噪声。这些4线和6线倒装片器件的EMI滤波效率很高，同时线路电容极低，特别适用于高速数据线路应用。     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

关于塑封VDMOS器件热点的研究

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。     

500V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计

增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件。其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集成问题和两种器件之间的隔离问题。提出一种隔离良好、芯片面积较小的增强型与耗尽型集成VDMOS设计和制造方法,耗尽管位于增强管里面比耗尽管位于增强管外面时耗尽管芯片面积减小74%。测试结果表明500 V增强型VDMOS击穿电压BVDSS平均值为550 V,耗尽型VDMOS击穿电压BVDSX平均值为540 V,增强型VDMOS平均阈值电压VTH为3.2 V,耗尽型VDMOS平均阈值电压VP为-3.7 V,两种管子总良率在94%以上,达到预期的设计目的,并成功应用于LED等产品中。     

Application of model of mixture of probabilistic distributions for definition of the signals of radiophysical probing

The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde.     

浅析IP网服务质量(QoS)

解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力.     

Interpretation of responses of visual cells of limulus

Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature.     

NTRUsign式计算量分析

介绍了NTRUsign签名算法的密钥生成过程,其在实现的过程中需要进行上百位的大数运算问题,这些数字远远超出了普通电脑存贮范围。而要进行大数运算,就得用数组存贮,进行模拟运算,这就大大增加了运算量。文中分析了这个算法实现过程中的运算量,分析结果说明NTRUsign的运算量过大,以致实际并非一个实用算法。     

部分偏振光的表示方法

随着光纤通信和光纤传感的快速发展,人们时光的偏振态提出了越来越高的要求.光是一种横波,其偏振态大致分为:完全偏振光、部分偏振光和自然光.文中介绍了完全偏振光的几种表示方法,给出了几种部分偏振光的描述方法.并阐述了它们之间的差异与联系.     

Differential method of analysis of luminescence spectra of semiconductors

A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting radiation from the sample.     

“计算机组成原理”设计性实践教学模式研究

本文阐述了"计算机组成原理"设计性实验教学的重要性,对设计性实验教学的目的和基本特征进行了归纳,对"计算机组成原理"设计性实验教学的现状进行了调查,对存在的问题进行了较深入的分析;在此基础上.对组成原理设计性实验的教学模式进行了研究,对设计性实验的体系进行了初步设计,并对"计算机组成原理"设计性实验的实施方法进行了探讨.