导电银胶触变性的研究

以环氧树脂为基体,银粉为填料,制备出IC封装用导电银胶。研究了环氧树脂与银粉的比例、银粉的形貌和粒径以及触变剂SiO2的用量对导电银胶触变性的影响。结果表明,银胶触变性随树脂/银粉质量比的减小而增大,当其为0.2时,触变指数达到5.68。在一定粒径范围内,银胶的触变性与银粉粒径呈反比关系;银胶触变性随SiO2的用量增大而增大。     

HgCdTe焦平面红外探测器封装中的芯片粘接技术

针对HgCdTe焦平面红外探测器封装的特殊性,提出了芯片粘接胶的选用原则,影响粘接质量的主要因素,以及粘接工艺优化方法。提出了用于封装HgCdTe MW 320×256探测器的低温胶X1,并对该胶做了一系列可靠性实验。实验证明,低温胶X1满足该探测器的封装要求。     

高导热烧结银胶的可靠性研究

市场对功率半导体器件的导热和导电性能要求越来越高,经过调查评估找到了一款纳米级烧结银胶。对该纳米级烧结银胶的粘结强度、导电性、调入性和可靠性进行了研究,并与普通铅锡焊料及普通导电胶进行了对比分析,发现纳米级烧结银胶具备粘结强度超强、平均剪切强度稳定、导热导电性能高等特点,并且在经历严格的热应力和机械应力试验后,其粘结强度、导电导热性能保持稳定,没有下降的现象。因此,高导热纳米烧结银胶可作为导热性要求极高的高可靠性应用领域的一种理想材料。     

锌白铜微米掺杂对纳米导电银胶性能的影响

纳米导电银胶因其便捷的使用条件被广泛地应用于芯片封装及电子制造业中,但纳米粒子容易团聚,导致导电银胶的导电性下降。为改善纳米银粒子的分散性,首次选用微米锌白铜颗粒对纳米银片进行掺杂改性,研究了纳米导电银胶中掺杂微米锌白铜颗粒对导电银胶导电性及热性能的影响。分析了不同接触类型的导电通路对纳米导电银胶导电性的影响。实验结果表明,锌白铜颗粒的加入可以改善纳米银片在环氧体系中的分散性,改善导电银胶导电性,当锌白铜添加量占填料质量分数的4%时,导电胶的体积电阻率可达1.68×10~(-4)Ω·cm。且锌白铜的加入有利于提升导电银胶的温度稳定性。当锌白铜添加量占填料质量分数的12%时,导电胶的平均电阻温度系数为0.0045/℃。     

用于混合微电子封装的聚合物粘接材料

结合微电子封装技术的发展，重点叙述用于混合微电子封装的聚合物粘接材料的组成、分类及聚合物可靠性实验的研究情况。同时，介绍国外关于导电类粘接材料导电机理的研究现状及进展。     

基于梅花形点胶的表面安装元件粘接工艺改进

高可靠混合电路与微系统器件中,表面安装元件的粘接工艺改进与优化一直是备受关注的重点。提出了一种梅花形的自动化点胶工艺,试验数据表明,通过改进点胶方式,优化粘接胶形貌,表面安装元件的粘接强度提高50%以上,粘接工艺的一致性得到了有效提升。该方法同时解决了表面安装元件的粘接位置偏差、端头包裹率不足等多方面问题,可推广至混合集成电路、MCM、SiP等器件内部表面安装元件的粘接工序中,对高可靠器件的封装改进具有重要的参考意义。     

粘接工艺对电容加速度计封装应力的影响

为了提高电容式加速度计的输出性能,更好地消除粘接工序引起的封装应力,文中对加速度计的可动结构进行了合理的简化,通过有限元分析对加速度计在工况下的应力场和芯片翘曲进行了模拟仿真,系统分析了粘接材料特性、粘接工艺参数以及应力过渡层结构对可动结构处的应力和翘曲变形量的影响。结果表明：粘接材料的杨氏模量对封装应力影响较大,当杨氏模量大于10⁹ Pa时,封装应力会出现陡增的现象;在满足粘接强度要求下,采用中心粘接方式,可以较好地降低封装应力;粘接胶层厚度在140μm附近时,封装应力达到最低,为5 MPa;添加应力过渡层,调整应力过渡层材质以及上下胶层的软硬程度也可以进一步消除封装应力。     

公司与新品介绍

<正>汉高电子扩展了开创性导电芯片粘接薄膜产品线二合一预切割芯片粘接薄膜有利于提高封装扩展性设计的自由度。材料行业业内领先者汉高电子宣布,其芯片粘接最新创新成果ABLESTIK CDF 200P已成功实现商业化,从而扩展了公司导电芯片粘接薄膜产品线。     

光电器件的等压热固化胶封技术

本文分析了半导体器件采用环氧树脂胶胶封出现漏气和粘接件滑移的原因。依据环氧树脂胶固化的化学物理过程提出和试验了“小速率分段升温逐步热固化工艺”和“等压热固化胶封技术”。试验证明采用“等压热固化胶封技术”粘接面致密、完整。消除了气泡和漏孔。同一般的树脂胶封技术相比是一种较有效的封装手段。     

来自汉高的创新型无压银烧结技术

为开辟材料创新的新天地,汉高电子材料宣布了革命性的银（Ag）烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。Ablestik SSP2000是第一款使用了汉高银烧结技术的材料,它是一种高可靠性的芯片粘接材料,非常适用于IGBT和高功率LED产品等功率模块。