Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前．Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

MOSFET门极驱动电压的优化

电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高。采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值。在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的。在同步降压电源应用中,降低     

共漏极双功率MOSFET封装研究

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望.从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%.同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增...     

Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

中压沟槽MOSFET的设计与研究

基于仿真和实验方法,开展了100VN沟槽MOSFET的设计研究工作.通过沟槽深度,体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏,获得了对击穿电压,阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析,仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布.随着沟槽深度增加击穿电压先升后降,导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性,阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势,但变化幅度不大,阈值电压与厚度变化表现出强相关性.通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度1.5μm,体区注入剂量1.3E13,栅氧化层厚度700 A,通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为105.6 V,阈值电压2.67 V,导通电阻3.12 mR,相较于仿真参数分别有98%,94%和75%的变化率.     

超结MOSFET的最新发展动向

简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究

针对不同温度下SiC MOSFET模型精度不足的问题,提出一种基于模拟行为模型(ABM)器件建立SiC MOSFET模型的方法.分别对整体模型的沟道电流、导通电阻和栅漏电容部分进行改进,引入了阈值电压和跨导系数的温度调节函数,考虑了温度和栅源电压对导通电阻的影响,提出了无开关栅漏电容,建立了满足连续温度仿真的SiC M...     

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm x 5mm Power PAK?SO-8封装。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

具有超低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET

国际整流器公司(Intemational Rectifier，简称IR)近日发布了一组电压为75V和100V，专用于AC-DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备超低导通电阻(例如，IRFB4310[100V]Rcsicn)=7mOhm；IRFB3207[75V]Rcsyoiy；45mOhm)，能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC-DC SMPS的效率和功率密度。     

为新设计选择MOSFET

正一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为实用的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度     

一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究北大核心CSCD

为了降低屏蔽栅沟槽型(SGT,Shield Gate Trench)MOSFET的导通电阻、提高器件的品质因数,通常使用增加屏蔽栅沟槽深度和密度的方法,但是在刻蚀高密度深沟槽时会使晶圆产生严重的翘曲现象。因此,提出一种100 V具有子沟槽(ST,Sub-Trench)的SGT(ST-SGT)器件结构。在相邻的主沟槽间插入子沟槽后,显著降低了器件栅极附近的电场峰值,避免栅氧化层出现过早击穿,同时较浅的子沟槽提升了外延层纵向电场分布的均匀性,改善了高密度深沟槽带来的晶圆翘曲问题。通过使用Sentaurus TCAD仿真软件,调节子沟槽深度和上层外延层电阻率两个重要参数,对ST-SGT进行优化设计。结果表明,当子沟槽深度为2.5μm、上层外延电阻率为0.23Ω·cm时,对应的ST-SGT的品质因数(FOM,Figure of Merit)最大,此时击穿电压为135.8 V,特征导通电阻为41.4 mΩ·mm^(2)。优化后的ST-SGT与传统SGT相比,其FOM提高了19.6%。     

降低功率MOSFET导通电阻RON的研究进展

本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。     

面向高功率密度应用的快速恢复MOSFET

快速恢复MOSFET STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600VN沟道MOSFET，具有0．06（2的超低导通电阻，采用工业标准的TO-247封装。该产品最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个MOSFET替代多个标准器件。     

大功率VDMOS（200V）的设计研究

介绍了大功率VDMOS（200V）的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围：外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω·cm栅氧厚度为52nm;P阱注入剂量为3×3^12cm^2,推阱时间65min。将流片结果与仿真结果进行了比较。     

一种电荷平衡结构的沟槽MOSFET的优化设计

为了降低传统沟槽MOSFET的导通电阻和栅漏电容,科研人员提出一种具有电荷平衡结构的SG-RSO MOSFET。在此基础上,利用电荷平衡理论计算出SG-RSO MOSFET结构的主要参数,并借助TCAD仿真软件对外延层厚度及其掺杂浓度、场板氧化层厚度和沟槽深度等主要参数进行合理优化设计。最终,仿真得到击穿电压为92.6 V、特征导通电阻为19.01 mΩ·mm²、特征栅漏电容为1.45 nF·cm-2的SG-RSO MOSFET。该器件性能优于传统沟槽MOSFET。     

30 V沟槽MOSFET优化设计

借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4 和Medici,模拟得到一组最佳的30 V 沟槽MOSFET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线.在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽 MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响.最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验.结果表明,所设计器件的击穿电压大于35 V,Vgs为10 V下的导通电阻为21 mΩ* mm2.     

IRFB3207：MOSFET

国际整流器公司19前推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款MOSFET具有较低的导通电阻(100V产品IRFB4310的导通电阻为7mΩ，75V产品IRFB3207的导通电阻为4．5mΩ，有助于提升便携式／LCD适配器和服务器AC-DC SMPS等应用的效率和功率密度。