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分别用精确计算和方均近似方法得到了包层及衬底均为非线性Ｋｅｒｒ型介质、芯区为多量子阱的对称平板波导中ＴＥ模的传播特性。数值计算表明,当芯区多量子阱的层数较多时,方均根近似方法得到的结果与用精确方法得到的结果一致。此时多量子阱波导可以等效为均匀介质。对于自聚焦情况,在合适的光功率下,当分界面处包层（及衬底）的有效折射率与芯区折射率相等时,芯区的场分布呈无效分布而两侧的均呈指数式衰减;功率继续增大时, 相似文献
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非线性包层多量子阱波导的TE波：方均根近似法 总被引：4，自引：1，他引：3
本文给出了用以分析非线性包层多量子阱波导的ＴＥ模光学非线性与双稳性的方均根近似法，导出了理论公式及其计算方法。与精确分析法相比较，方均根近似法的计算大为简化，数值计算表明，当芯区的多量子层达到一定数目时，方均根近似法与精确分析法的分析结果相当符合。 相似文献
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本文给出了普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阶光波导的模场分布函数和特征方程，并以ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱光波导为例分析讨论了波导结构参量及折射率分布对其传输特性的影响． 相似文献
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当多量子阱周期与芯区厚度之比趋于零时,利用转移矩阵技术,证明了任意折射率分布多量子阱波导的场分布与其等效折射率波导的场分布近似相等,为利用等效折射率方法分析多量子阱波导特性充实了理论基础,文中的数值实例表明了理论的正确性。 相似文献
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分别用精确计算和方均根近似方法得到了包层及衬底均为非线性Ｋｅｒｒ型介质、芯区为多量子阱的对称平板波导中ＴＥ模的传播特性。数值计算表明,当芯区多量子阱的层数较多时,方均根近似方法得到的结果与用精确方法得到的结果一致,此时多量子阱波导可以等效为均匀介质。对于自聚焦情况,在合适的光功率下,当分界面处包层（及衬底）的有效折射率与芯区折射率相等时,芯区的场分布呈均匀分布而两侧的场呈指数式衰减;功率继续增大时,场分布的极值进入芯区两侧,而芯区场分布呈下凹形。对于自散焦情况,波导对导波场有较强干线性波导的束缚作用,且随光功率的增大而增强。 相似文献
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具有GRIN—SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析 总被引：1，自引：0，他引：1
本文给出了具有ＧＲＩＮ－ＳＣＨ结构量子阱激光器的光波导模型和详细的数值计算方法,并计算分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓＧＲＩＮ层中Ａｌ浓度和ＧＲＩＮ层厚度对等效折射率的影响,给出了ＧＲＩＮ层厚的最佳值范围;给出了宽接触ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＧＲＩＮ－ＳＣＨ量子阱激光器的近场分布三维图形,并由近场分布通过快速傅里叶变换求出了远场分布。计算得到的近、远场分布图形与实际器件测试得到的结果相符合。 相似文献
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本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果. 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的基本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄渴束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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林洪榕 《固体电子学研究与进展》1993,13(3):210-215
提出一种新型的InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器。这种结构的器件结合了多量子阱大的光吸收非线性和掺杂超晶格低激发强度的优点,因此具有低驱动偏压差、高通断比率和高的调制响应速率。低的驱动偏压差、小的器件尺寸以及通过扩散形成的分隔接触电极结构(因此可以和传统的平面加工技术兼容),使这种器件特别适合于作为大规模光电集成的单元光调制器和光开关。 相似文献
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本文根据标量Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ方程，采用转移矩阵技术，严格求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的精确色散关系，并由Ｆｌｏｑｕｅｔ理论进一步获得了等效折射率公式与近似色散方程，数值计算结果显示出该波导的色散特性以及与波导结构的关系，发现该量子阱波导的双折射性质与入射波长有关。 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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本文根据多分辨分析理论,给出了计算具有任意横截面波导的ＴＥ模和ＴＭ模的一种方法。在该方法中,用尺度函数把场分量近似为级数,通过变分公式把波导问题化为矩阵方程,并且把波导截面分为许多矩形区域,用三阶Ｂ－样条函数,推出了矩阵元素的具体表达式。为了验证该方法,以三种不同的波导为实例进行了计算。 相似文献
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