HART协议物理层设备的测试(Ⅱ)

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明.     

HART协议物理层设备的测试(上)

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

HART协议物理层(下)

本文描述了HART协议物理层的设备类型，配置准则，以及一些特性。     

HART协议物理层(中)

本文描述了HART协议物理层的设备类型，配置准则，以及一些特性。     

HART协议物理层(上)

本文描述了HART协议物理层的设备类型，配置准则，以及一些特性。     

用HART通信协议实现管道煤气压力的测量

讨论了HART（Highway Addressable Remote Transducer）通信协议。选用智能现场设备，设计了HART调制解调器。利用HART通信协议设计了低价格、高精度的管道煤气压力测量方案。     

EOC设备物理层参数测试

一、引言 目前,有线电视双向改造主要有三种方案：一是采用CMTS方案;二是采用五类线直接入户方案（EPON＋LAN方案）;三是采用同轴电缆入户方案（EPON＋EOC方案）。CMTS方案在原有的HFC线路上传输上/下行数据,     

用于高速接口物理层（PHY）眼图测量的手持式分析器

Bit Master MP1026A手持式眼图分析器可用于OC-192／STM-64、10Gb光纤信道及10Gb以太网数据速率等高速接口进行物理层（PHY）眼图测量，带有两路各为25GHz带宽的电气信道输入，可为0．1～12．5Gb／s的速率提供眼图、脉冲图及掩码符合性测量。     

HART协议在粉尘仪中的应用

传统粉尘仪的维护管理与故障排除效率较低,给生产带来了一定的影响。为改善这一现状,文中提出了采用HART协议作为粉尘仪与上位机的通讯协议,通过对现有的粉尘浓度变送器加以改进,实现HART协议通讯功能。实验证明,改进后的粉尘仪在维护管理和故障诊断方面的效率均有所提高。     

基于HART协议USB转换器设计

现场总线已经成为过程控制领域的热点．代表着智能仪表发展的方向。本文着重介绍了纂于HART协议的USB转换器的原理及设计,介绍了硬件电路的原理与实现,同时从软件上实现了与PC的通信．很好地实现了在PC平台下对下位机的控制。     

基于HART协议的多路给水自动切换装置设计

在火力发电厂中,使用化学分析仪表检测多通道给水中钠离子、硅酸根和磷酸根的浓度,对减少热力设备的结垢和腐蚀具有重要意义。装置在高性能STM32F103处理器的环境下,采用AD5700调制解调器和AD5421数模转换器的HART通信单元,设计了一套基于HART协议的智能多路给水自动切换装置并进行软硬件开发,有效地解决了在单通道仪表上自动监测6通道给水的问题,具有状态显示、历史曲线、HART数据通讯等功能。     

HART通信协议在汽油机速度测量和监控方面的应用

首先介绍了HART通信协议及他的优点，然后介绍了HART通信协议在汽油机测速方面的软件实现。该软件主要采用目前流行的VB编程语言。可设计出界面友好、功能强大的测量和监控软件。     

Ultra-thin alumina layer encapsulation of bulk heterojunction organic photovoltaics for enhanced device lifetime

Successful organic photovoltaic (OPV) device fabrication is contingent on selecting an effective encapsulation barrier layer to preserve device functionality by inhibiting atmosphere-induced degradation. In this work, ultra-thin AlO_x layers are deposited by atomic layer deposition (ALD) to encapsulate pre-fabricated OPV devices. A summary of ALD recipe effects (temperature, cycling time, and number of cycles) on AlO_x film growth and device longevity is presented. First, AlO_x film growth on the hydrophobic OPV surface is shown to occur by a 3D island growth mechanism with distinct nucleation and cluster growth regions before coalescence of a complete encapsulation layer with a thickness ⩾7 nm by 500 cycles. Encapsulated device performance testing further demonstrates that reducing ALD processing temperature to 100 °C minimizes OPV phase segregation and surface oxidation loss mechanisms as evidenced by improved short circuit current and fill factor retention when compared with the conventional 140–150 °C range. Ultra-thin AlO_x encapsulation by ALD provides significant device lifetime enhancement (∼30% device efficiency after 2000 h of air exposure), which is well beyond other ALD-based encapsulation works reported in the literature. Furthermore, the interfacial bonding strength at the OPV–AlO_x interface is shown to play a crucial role in determining film failure mode and therefore, directly impacts ultimate device lifetime.