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以Si3N4、SiC为原料,Y2O3、Al2O3、MgO为助剂,在1500℃氮气气氛下采用无压烧结的方式进行烧结。利用SEM和XRD观察分析了材料的组织结构和物相组成,研究了材料的配方、制备工艺和烧结性能之间的关系。结果表明,当SiC含量为5%时,烧结体的空隙率为22.9%,抗弯强度为395MPa,显微结构均匀、晶粒细小。 相似文献
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采用浆料喷涂与高温熔渗结合的方法,以γ-Y_2Si_2O_7和Y_2O_3-Al_2O_3-SiO_2三元氧化物粉体为原料,在多孔Si_3N_4表面制备致密γ-Y_2Si_2O_7陶瓷涂层,采用XRD和SEM测试方法系统研究原料配比及烧结温度对涂层结构、组织和抗热震性能的影响。结果表明:SiO2与Al2O3物质的量之比较高时,涂层为致密γ-Y_2Si_2O_7层和过渡层的双层结构;SiO_2与Al_2O_3物质的量之比较低时,只能形成单层结构;双层结构涂层的抗热震性能优于单层结构涂层。 相似文献
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经20h机械活化后的Si粉,在空气中可以实现自燃烧合成反应,并表现出二次燃烧现象.燃烧产物的表层与内部具有显著不同的特征,表层产物中以α-Si3N4为主相,并有少量Si2N2O相和非晶SiO2共存,内部为整块的灰白色松散Si3N4粉体,其相组成与反应条件有关.本文研究了经机械活化(MA)处理后的硅粉在空气中燃烧反应的整个过程,证实了机械活化处理后的Si粉在空气中燃烧的可行性,分析了燃烧产物主要是Si3N4而不是SiO2的原因,并通过调整成份实现了对产物相组成的控制. 相似文献
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放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si3N4BN层状复合材料 总被引:2,自引:1,他引:2
采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料。利用SPS技术,在烧结温度为1650℃,保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm^3, 抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m^2。研究表明;特殊的层状结构,SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因。X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构。 相似文献
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以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2(方石英)组成. 所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%~48.86%, 抗弯强度为34.77~127.85MPa, 介电常数为3.0~4.6, 介电损耗约为0.002. 相似文献
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采用高分辨透射电子显微镜对高硬度的TiN/Si3N4纳米晶复合膜的观察发现,这类薄膜的微结构与Veprek提出的nc-TiN/a-Si3N4模型有很大不同:复合膜中的TiN晶粒为平均直径约10nm的柱状晶,存在于柱晶之间的Si3N4界面相厚度为0.5~0.7nm,呈现晶体态,并与TiN形成共格界面.进一步采用二维结构的TiN/Si3N4纳米多层膜的模拟研究表明,Si3N4层在厚度约<0.7nm时因TiN层晶体结构的模板作用而晶化,并与TiN层形成共格外延生长结构,多层膜相应产生硬度升高的超硬效应.由于TiN晶体层模板效应的短程性,Si3N4层随厚度微小增加到1.0nm后即转变为非晶态,其与TiN的共格界面因而遭到破坏,多层膜的硬度也随之迅速降低.基于以上结果,本文对TiN/Si3N4纳米晶复合膜的强化机制提出了一种不同于nc-TiN/a-Si3N4模型的新解释. 相似文献
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自增韧氮化硅陶瓷显微结构与力学性能的表征 总被引:3,自引:0,他引:3
运用主成分分析法对自增韧氮化硅陶瓷显微结构与力学性能的表征进行了研究.确定了该材料的显微结构可以用其表征变量的第一主成分一综合结构指标代表.为了获得结构优良的自增韧Si3N4陶瓷,需要保证致密(基体晶粒直径d1小、材料相对密度ρ高)的基体、长径比 AR2大、直径均匀(Y2 × 100小)的增韧相·通过综合结构指标的计算证实了综合结构指标相近的材料具有相近的力学性能二材料的力学性能可以用表征变量的第一、二主成分代表,分别称它们为性能稳定性指标和平均性能指标.前者代表材料受显微结构彼动影响的力学性能-断裂韧性KIC和Weibull模量m,后者代表材料的平均力学性能一抗弯强度σf. 相似文献
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