Ni/Cu电极MLCC烧端工艺的研究

通过对烧端工艺的详细研究,给出了最佳工艺参数:烧端温度为850～880℃,保温10min;用N2/O2混合气,在排胶段保持φ(O2)为300×10–6,在高温烧结段采用φ(O2)为10×10–6;600℃以下的升温速率控制在30～40℃/min,600℃以上的升温速率控制在50～60℃/min。在上述工艺条件下,选用合适的链式连续炉,可以得到端头性能良好的MLCC产品。     

半导体封装Cu-Cu互连接头烧结性能研究

使用不添加任何助焊剂的铜膏,获得了高烧结性能的Cu-Cu互连接头。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和热重分析仪对粒径分别为（20±10） nm、（80±20） nm和（100±20） nm的纳米铜颗粒进行分析表征。选择粒径为（80±20） nm的纳米铜颗粒和松油醇混合配成纳米铜膏,用于互连接头的烧结性能研究。探究了不同的烧结温度、保温时间、升温速率和烧结压力对互连接头的剪切强度和失效面微观形貌的影响,得出了最佳的工艺参数。在升温速率为0.1℃/s、保温时间为30 min、烧结温度为260℃和无压条件下烧结,互连接头的剪切强度达到了5.0 MPa。在同样的升温速率和保温时间、烧结温度为300℃、压力为5 MPa的条件下烧结,互连接头的剪切强度达到了33.3 MPa。Cu-Cu互连接头能够满足功率半导体器件的互连应用要求。     

无铅SAC PBGA676使用SnPb焊料与SAC焊料焊接可靠性评估

概述：几大公司合作，分别对无铅SnAgCu PBGA676进行焊接，并对焊接可靠性进行一系列评估。焊接选用了SnPb共晶焊膏和SnAgCu无铅焊膏，实验用PCB厚度为93mil。可靠性评估包括：1．加速温度循环（ATC）试验，即温度从0-100℃之间变化，并在0℃和100℃时各停留一个时间段，每一时间段最短是10分钟，最长是60分钟。2．PBA机械弯曲后对器件焊点做可靠性评估。 该篇文章主要对SACPBGA做无铅SAC焊接后，进行ATC可靠性测试，并用最新版本的IPC标准评估。与之对照的试验：SACPBGA做SnPb焊接，并进行ATC可靠性测试，锡铅焊接回流峰值温度分别设置为205℃和214℃，通过记录数据、目检、X-RAY检测、染色渗透／截面分析、失效分析及韦伯图，对SACPBGA不同焊接材料、焊接工艺实验结果做可靠性评估。[编者按]     

退火工艺对La-Nb共掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜结构的影响

采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响。结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550℃升高到750℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10℃/min提高为20℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降。     

红外热像下激光熔丝成形过程冷却速率实时监测

激光熔丝增材制造技术是一种具备成形精度高和加工余量小的一体化制造技术,但由于其非平衡态凝固和复杂的传热传质等物理现象,使得很难通过常规手段监测得到其冷却速率。针对这一问题,提出了一种利用红外热像技术的熔池温度和冷却速率实时监测算法。该算法利用FLIR X6520sc型红外热像仪实时捕获增材制造过程中的温度场信号,通过定位温度场中心位置得到熔覆道各点的实时冷却速率,实现了熔覆道冷却速率的全过程实时监测。在此基础上,研究了不同工艺参数对熔池温度和冷却速率的影响规律。最后,探讨不同冷却速率对凝固组织的影响。研究结果发现:在其他工艺参数不变的情况下,扫描速度从60 mm/min上升到300 mm/min,熔池温度减少了339 ℃,冷却速率却增加了1741 ℃/s;激光功率从200 W降低到100 W,冷却速率和熔池温度分别降低了264 ℃/s和420 ℃;随着送丝速度从120 mm/min升高到600 mm/min,熔池温度和冷却速率分别降低195 ℃和224 ℃/s;扫描速度是对冷却速率影响最大的因素,为后期研究闭环控制系统提供了基础。此外,随着冷却速率的增加,熔覆道经过快速凝固,其凝固组织得到显著细化。     

全CMOS温度补偿电流源

本文采用迁移率与阈值电压互相补偿的原理,实现了一个与温度无关的电流源。该电流源完全与标准的CMOS工艺相兼容。测试结果显示,在温度范围为-20℃到110℃之内,电流源的温度系数小于290ppm/℃。     

热处理对氧化铈粉体3～5μm波段红外发射率的影响

在600℃以内,氧化铈粉体在3～5 μm波段的红外发射率随着测试温度的升高而降低.通过设计关于热处理的正交实验和单因素实验,发现采用以4℃/min的升温速率升至1300℃保温4h后,氧化铈粉体在常温下的发射率最低,可降至0.37;测试温度升至600℃时,发射率则可降至0.3,可以考虑作为发动机用红外低发射率耐高温涂层的...     

基于InPb合金的非制冷焦平面探测器窗口低温焊接工艺研究

研究了采用纯度为99.9%的In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术,分析了焊接时候的影响因素:焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度,通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层,在215℃、5×10~(-7) torr的真空环境下进行了焊接,焊接后的样品采用X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率,结果表明:焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好,能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求。     

PTC欧姆铝电极浆料印烧工艺对元件性能的影响

以In/Ga电极作为参考电极,研究讨论了铝电极厚度对最终PTC元件性能的影响,并得出了最佳厚度参数。采用差热分析法,观察了在升温过程中铝电极的物理化学变化,并详细讨论了影响铝电极烧渗过程的三个重要参数:升温速度,最高烧渗温度及保温时间与元件性能的关系。得出在本电极组成条件下,最佳工艺参数:丝网目数为220目,升温时间为10 min,最高烧渗温度为660℃,保温时间为10 min。     

两种热电分离式基板导热性能的对比研究

基于热电分离式设计理念，开发出FR4/Cu与FR4/AlN两种高导热散热基板，并利用SMT工艺将13Ｗ的Osram S2W型LED灯珠分别与上述两种散热基板焊接后组装成LED模组，利用半导体制冷温控台恒定散热基板底部温度后，使用结温测试仪对LED的结温进行了测试，同时借助直流电源和积分球分别对LED的总功率和光功率进行了测量后得到了模组的热功率值。最后根据LED结温测试结果与热功率值计算得出了模组的热阻值，并在此基础上对两种基板的散热性能进行了对比研究。结果表明，FR4/AlN基板的散热性能较之FR4/Cu基板稍逊，当使用FR4/Cu基板散热时，LED的结温和热阻分别是49.72 ℃ 、2.21℃ /Ｗ，当使用FR4/AlN基板散热时LED的结温和热阻分别是51.32 ℃、2.32℃/Ｗ。