日本半导体制造设备市场

日本半导体制造设备市场航天工业总公司西安微电子研究所王毅编译概况１．１９９２年比上年下降３２％半导体制造设备市场依赖于半导体器件生产厂家对最新存储器制造装置的投资，因而市场的沉浮比半导体器件市场更严峻。半导体器件市场看好时，器件厂家一齐进行设备投资，...     

日本半导体制造设备市场一瞥

简要介绍1991年以来日本半导体制造设备市场的概况，CVD设备、清洗设备、半导体测试设备市场的困境与发展潜力。预计日本半导体制造设备市场还会平淡一段时间，但有些设备的出口潜力很大。     

半导体柔性制造技术

半导体柔性制造技术电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）金圣东东欧剧变，苏联解体，此极对峙格局瓦解，持续半个世纪的冷战时代终告结束。今后，爆发全球性世界大战的可能性变小，随之而来的是频繁引发的各种局部战争。在冷战时期长期被掩盖的一些国家或地区原...     

日本开发出新的半导体制造设备

东京消息，日本东芝公司和半导体制造设备业者日本真空技术公司最近联合开发出制造电晶体基本部分的新离子植入设备，可使制造成本减半，将来可能改变半导体业的竞争环境。     

日本研究开发纳米半导体元件制造工艺

日本于2001年8月起开始实施“半导体未来工程”，研究开发线宽在纳米级的半导体元件制造工艺。据经济产业省新能源产业技术综合开发机构日前发表的科研信息说，这一科研计划将由政府、大学和企业组成的联合开发组织——超尖端电子技术开发机构实施。在今后7年内开发线宽为50~70 nm的半导体元件制造技术，具体研究开发课题有高电容率的门绝缘膜材料及其检测、分析技术，低电容率的层间绝缘膜材料及其检测、分析技术。50~70 nm级元件所需要的新电路结构材料、检测及分析技术、芯片印制技术和电路系统技术等。 这一计划将由日本政府预算给予支…     

日本半导体制造设备市场开始走向衰退

本文介绍了日本半导体制造设备市场从1992年开始衰退的情况,并分析其原因。     

日本组装技术文献

<正>无掩模布线形成技术的特点及关键问题(6页日文)为提高总体生产效率组装生产线的构建(4页日文)系统封装技术(8页日文)选用无铅焊料的要点(8页日文)无铅焊用回流焊炉(4页日文)2D·全3D浆料印刷检查装置(4页日文)DFM和光掩模技术(6页日文)     

半导体工艺与制造装备技术发展趋势

针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度,分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势,重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。     

半导体设备制造中的无尘生产技术

本文叙述了制造半导体设备采用无尘生产技术的必要性、好处及具体做法。     

先进半导体设备制造技术及趋势

本文首先介绍了国内外半导体设备市场,认为市场星有起伏,但前景良好。从晶圆处理和封装的典型设备入手介绍了当前最先进半导体设备技术,之后总结出半导体设备技术发展的四大趋势。     

半导体制造中清洗技术的新动向

多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。     

新春对话——中国半导体产业同日本半导体制造装置业间的合作

2001年以来的世界半导体产业大规模萧条状况已经持续到2002年,所以2003年成为倍受期待的的一年。在萧条的国际形势下,中国半导体市场却成为投资市场焦点,异常火爆。在日本半导体业界如何同中国半导体产业共存共荣,成为一项大课题,被认为有望打破现状的趋势。这个在访日期间进行的谈话就中国半导体协会的情况、欣欣向荣的中国半导体产业、面向今后不断扩大的市场同日本半导体制造装置业界的合作体制等问题进行了对话。本刊与日本半导体制造装置协会会刊,同时在两国以“新春对话”的形式发表此次对话。     

安捷伦杯半导体制造技术论文大赛助力中国半导体人才培养

全球领先的跨国高科技公司安捷伦科技在上海隆重举办了2006安捷伦杯半导体制造技术论文大赛的颁奖典礼，来自国内11所一流大学的学校代表、获奖学生，以及半导体产业界代表与安捷伦科技全球公共事务部、市场部和电子测量部的领导齐济一堂，为荣获一二三等奖的论文颁奖，并感谢各界对此次论文大赛的支持与协助，共同庆祝此次大赛的圆满成功。     

半导体制造技术的新趋势—柔性加工技术

概述了半导体柔性制造技术近年的发展状况，以ＭＭＳＴ为例，介绍了柔性加工中所用的单片加工组合设备、传感器和ＣＩＭ系统。     

日本半导体蚀刻技术取得突破性进展

日本荏原综合研究所和东北大学合作，最近开发成功线宽为０．０５μm的半导体蚀刻技术，预计３年后能够达到实用化水平。蚀刻是制造集成电路最重要的工序，一般采取用正离子照射半导体基板的方法，其缺点是由于负离子的吸引，正离子会出现轨道弯曲的现象，影响加工的精度，并且由于基板上积蓄了静电而需要进行热处理。因此，目前仅制造线宽为０．１３μm的超大规模集成电路。新的方法克服了上述缺点，使用了带负电的掩模，使等离子态的中性粒子束透过掩模上直径为０．０５μm的小孔，几乎垂直地照射在基板上，在上面形成薄膜的电路。据认为…     

节水技术在半导体制造企业的应用

介绍了集成电路制造中的用水,讨论了节水在该行业中的重要性.详细分析了用水的特征和可能实现的节水手段和方法,特别阐述了如何对生产过程中使用的超纯水进行节流回收和再利用有价值的废水,为实现环保节能的集成电路制造企业提供了现实可行的操作依据.     

新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺

在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和微波晶体管制作。在电流型逻辑超高速集成电路及微波晶体管中,由于电极条很窄(例如莫托洛拉公司的MECLⅢ,单门传递延迟时间1毫微秒,发射极条宽为9000埃～1微米),一般都用泡发射极工艺。亦即在形成微波晶体管及ECL电路的发射极扩散层时,由化学汽相淀积法生成掺杂氧化层,经热扩散后,由泡发射极工艺开发射极窗孔,然后形成铝电极。泡发射极工艺是利用掺杂的氧化层(掺杂SiO_2)与不含杂质的二氧化硅之间腐蚀速度的不同,从而可不采用光刻掩蔽(免去发射极光刻)直接腐蚀出发射极     

用于化合物半导体制造的先进光刻技术

重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状。薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题。这种损伤的风险由于要求的多个加工工序而增大,且在接转生产的采用背面加工时会再次出现。叙述了进行自动光刻加工中片子传递和对准过程的一些解决方法。