MOS器件热载流子效应的测方法

对当前ＭＯＳ器件器应用广泛的两种的两种热载流子效应测试方法及其人应用进行了详细论述。还对ＭＯＳ器件的热载流子效应的参数撮进行了讨论。     

MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．     

PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟,进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟道 Ｍ Ｏ Ｓ器件的工艺设计具有普遍意义     

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展，负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重．研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题．首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响，这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应；然后给出了这种混合效应的解释．最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法．     

PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以ＰＭＯＳ结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟,进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件的工艺设计具有普遍意义。     

LY732－PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压（ＶＣＳ）与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程．     

LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程。     

模拟三维MOSFET的集成系统

文章介绍了一个基于ＳＵＮ４工作站上新的ＭＯＳ器件的三维模拟集成系统ＸＤＭＯＳ－３Ｓ的基本理论。重点阐述了方程的离散化方法、数值算法、与ＳＵＰＥＲＭⅢ的接口以及其良好的图形显示界面。ＸＤＭＯＳ－３Ｓ是一个从工艺模拟到器件特性输出为一体的适合ＭＯＳ器件在整个有较域的各种特性的实用模拟软件。     

功率VDMOS开关特性与结构关系

ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响,笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同,而表面结构不同的器件。实验结果表明,这种３结构器件的开关时间都明显减少。     

双马型聚酰亚胺／SiO_2杂化材料的合成

本文主要应用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了双马型聚酰亚胺／ＳｉＯ２的分子杂化材料。应用ＦＴＩＲ、ＳＥＭ及热分析对杂化材料的机理、结构及热性能进行了表征，这为新材料的研究奠定了一定的理论基础。     

Fe－Mn－Si形状记忆合金研究进展

对近年来Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金形状记忆效应的影响因素及工程应用的研究结果进行了评述，并对Ｍｎ、Ｓｉ元素，母相强化及热－机械训练对记忆效应的影响进行了讨论     

外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用

少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精     

改善栅控晶闸管关断特性的一种新结构

提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅,有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．     

功率MOSFET及其在逆变器中的应用

本文结合逆变器实例，介绍了一种新型全控型器件功率ＭＯＳＦＥＴ的特点及其在逆变器中的应用．     

功率MOSFET及其在逆变器中的应用

本文结合逆变器实例，介绍了一种新型全控型器件功率ＭＯＳＦＥＴ的特点及其在逆变器中的应用。     

1000V MOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果，文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

负滤光片膜系讨论与修改

阐述了实验室条件下修改理想负滤光片膜系的可行性,采用新膜系镀制的光学器件满足了单态氧二聚物非线性效应实验研究的需要,修改后的负滤光片膜系用到三种介质材料（ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２）５：３混合料,ＺｒＯ２及ＳｉＯ２,比理想负滤光片系所用材料减少一种,膜系由高级次修改为调谐比,不但保证了反射带宽度而且降低了膜层厚度,膜系最外层介质材料由ＳｉＯ２替代ＭｇＦ２提高了光学器件耐用性能,同时,本文对膜系进行了简化处     

Fe—Mn—Si形状记忆合金研究进展

对近年来Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金形状记忆效应的影响因素及工程应用的研究结果进行了评述，并对Ｍｎ，Ｓｉ元素，母相强化及热－机械训练对记忆效应的影响进行了讨论。     

深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测

分析并模拟了SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响，并对器件的低压热载流子效应进行实验测试，得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果，以及器件尺寸对这种退化的影响。并实验测试了一个SOINMOS器件电流电压特性的应力退化。     

24LC××B串行EEPROM及接口程序设计

本文从应用的角度介绍了一种Ｉ２Ｃ两线总线器件２４ＬＣ××Ｂ串行ＥＥＰＲＯＭ的基本原理和基本规程，并给出２４ＬＣ３２Ｂ串行ＥＥＰＲＯＭ与ＭＣＳ５１单片机连接时实用的通讯接口程序。