大图架初缩相机的改造

近几年来,随着中大规模集成电路的飞速发展,图形精度在不断提高,电路面积不断增大,这给半导体器件的制版工艺带来了新的课题。现在,利用图形发生器代替初缩照相是制造中大规模集成电路掩模的先进方法。但是目前在我厂还没有此设备。过去从日本进口的初缩相机的图架面积只有600×600毫米,要完成中大规模电路的拍摄有困难。目前一米以上的大图越来越多,这是现有设备所无法解决的问题。面对这种情况,是停滞不前,等待条件,还是敢想敢于创造条件,这是直接关系着我厂生产发展的关键问题。     

超微细平面图形成形技术的发展

<正> 概 述 为适应微电子技术迅速发展的需要,作为其中一项基础技术的微细平面图形成形技术随之得到飞速的发展。 平面图形的成形技术,到目前为止有以下几种: 1、a.绘图、刻图、揭膜、初缩、精缩、接触光刻; b.自动刻图、揭膜、初缩、精缩、 接触或接近式光刻; 2、a.光学图形发生器作初缩版、精缩、接触或接近或投影式光刻;     

精缩拼图制作超大芯片掩模版

随着电子工业的迅速发展,集成电路制版已有相当精密的成套设备.图象发生器问世之前,版图设计既使按很小的比例画图,有时其几何尺寸也很大,初缩机稿架比之还将略大才可能使照度均匀.图象发生器的使用园满地解决了大图小稿架的矛盾,但目前国内需要制掩模版的不少行业并未能普遍使用图象发生器加工初缩版,用电子扫描一次作成掩模版的更是曲指可数了.对于目前普遍使用传统工艺设备     

关于提高坐标刻图机分辨精度问题的初步探讨

一、引言当前,在表声波器件的制作过程中,大家共同关心和遇到的一个问题,就是如何提高刻图精度。也就是说,从某种意义上来讲,刻图精度成了提高器件性能的关键工艺技术问题。国内生产的刻图机精度,其最小分辨精度为一丝,由于丝槓的加工误差和使用过程中的磨损,使得刻图机的刻图定位精度在5—6丝或7—8丝的范围,这样的精度来刻图将会给器件质量的提高带来很大的困难。为了提高器件质量,大家都在力求用高精度的刻图机进行刻图,用长刻机进行刻     

超大规模集成电路微细加工技术的新局面 光刻法的极限是0.6微米吗?

用光制作集成电路图形,也就是光刻,从光的性质来看,可以说存在着本质上的极限。目前光刻作为可靠性最高的技术应用在大规模集成电路的研制中,并将得到进一步地发展。现在批量生产的全属氧化物大规模集成电路(MOS LSI)光刻工艺为6微米,但以4—5微米为标准的大规模集成电路的生产也进入了成批生产阶段,以2—3微米为目标的大规模集成电路的批量生产也将为期不远。     

适于亚微米光刻的高精度莫尔对准技术研究

大规模集成电路生产中,光刻机是一关键设备,而光刻机中的掩模——硅片对准系统又是集成电路生产中提高器件的成品率和生产效率、实现光刻操作全自动化的关键,其研究一直受到有关半导体设备研制、生产单位的重视。     

大面积氧化铁版的制备

一、引言 在电子工业飞跃发展的今天,半导体器件生产已进入了一个崭新的阶段。目前半导体器件生产正朝大规模集成电路、超高频大功率、超高频低噪声方向发展。图形尺寸越来越小,套刻精度越来越高。制版为半导体器件生产的先行。光刻版质量优劣直接影响产品的成品率、稳定性与可靠性。制造高精度、完美、容易套刻的大面积细线条的掩模版已成为半导体器件生产工艺中十分关心的问题。 采用低温汽相淀积氧化铁版是从去年开始的,日趋成熟的新工艺。低温汽相淀积法具有设备简单、经济,适合于批量生产的特点。氧化铁版耐磨,单色光掩蔽性能好。它与铬版比较,具有透明,可以看准套刻、利于制造细线条等优点。低温汽相淀积氧化铁     

用光学制版设备制作1μm光掩模版

本文研究了用常规光学制版设备制作微细线条光掩模的加工技术,分析了精缩机,初缩版(原版)、化学处理、工艺环境在1μm光掩模版制作中的作用和要求。研制结果表明,采用反差大、过渡区小的初缩版,在严格聚焦的情况下进行分步精缩制版,精确控制显影和腐蚀时间,就能够制作出1μm条宽的光掩模版。     

用于大规模集成电路光刻掩模版的保护膜

一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。     

图象识别自动对准

<正> 概 述 在大规模集成电路生产中,自动对准技术是极其关键的一项技术,它主要解决IC生产中的图形刻套问题,以提高产品成品率及生产效率。该技术是西方发达国家对我国微电子工业发展实行技术封锁与控制的重点,也是自七十年代初至今这二十余年来严重困扰和阻碍我国集成电路制造与发展的一项久攻未破的老大难问题。我所作为我国专门从     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

国外大规模集成电路用的基础材料发展概况

一、前言 随着半导体工业的迅速发展,特别是大规模集成电路在较短的时间内获得飞速发展,对整个电子工业起着推动作用。为了展望大规模集成电路的发展前景,可以认为二十世纪七十年代是大规模集成电路的全盛时代。但大规模集成电路之所以能如此发展,是与集成电路所用的材料发展联系在一起的,尤其是基础材料更是大规模集成电路的基础。由于大规模集成电路功能复杂,对基础材料的要求就更高。倘若在电路生产过程中混入不应有的杂质,就会直接影响到集成电路的性能和成品率。因而近年来,随着器件     

微缩镜头的正确使用与维修保养

<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

高速发展的门阵列电路

现在国内外都对大规模集成电路和计算机的发展非常重视,因为这两者对生产建设和军事应用都是很关键的技术。计算机发展的重要物质支柱之一是大规模集成电路,而大规模集成电路的发展也依靠计算机的技术支持。了解这一内在联系,对我们制定自己的技术政策是至关重要的。     

用拼版法研制大规模集成电路的掩膜版

本文讨论一种能立足于中小规模集成电路制版设备、通过设计与制版的密切配合以制备大规模集成电路掩膜版的方法——拼版法.简介了用拼版法设计大规模集成电路掩膜版的程序、拼版制版的工序及研制的结果.着重分析用拼版法制版为什么能够提高原设备可制成集成电路掩膜版的规模的道理及拼图设计的原则,以说明此方法应用的前景.     

掩模精密分合照相技术在中、大规模集成电路中的应用

一、前言 无产阶级文化大革命和批林批孔运动,激发了战斗在电子工业战线上的广大工人革命干部和技术人员的革命积极性,促进了北京地区的中、大规模集成电路的大会战,推动了我厂中、大规模集成电路的研制和生产。 发展大规模集成电路,扩大电路的功能,不仅要提高电路单元的集成度,而且电路的单元面积也有所扩大。促使电子束,激光扫描、图形发生器等多种自动制版方式的出现。但是,由于设备庞大,造价昂贵,技术复杂,至今较难于普及应用。一般地刻大图照相制版方式,尽管在不断扩大幅面条件,也较难适应(高精度、大面积)发展中的大规模集成电路生产的需要。 一九七四年,中国科学院计算技术研究所开门办所,同我厂四车间工人、技术人员相结合,在车间党支部领导下,研制一种急需的大规模集成电路。由于掩模图纸面积大和电路单元尺寸大,无法按常规制版。针对这个问题,我们认真学习了毛主席关于“破除迷信,解放思想”和“独立自主,自力更生”的教导。决心“在自己力量的基点上”,开展大规模集成电路掩模的制版工作。 我们制版组,在六车间党支部的领导下,得到各兄弟车间的大力协助。立即组成了     

国外电子束曝光设备的新进展

<正> 一、前言从六十年代末以来,电子束曝光设备在技术上的进展是十分显著的。由于电子束曝光设备具有高分辨率、高精度和使用灵活的特点,在集成电路的制造工艺中,主要用于制版(1×掩模版、10×和5×中间版)和在硅片上直接扫描制作电路图形。目前,电子束曝光设备已经成为大规模集成电路和超大规模集成电路     

超净技术

超大规模集成电路与大规模集成电路在结构及工艺方面没有多大差别,即使在制造技术上超大规模集成电路部分地采用了电子束曝光及干法工艺等新技术,但在制作方式上与大规模集成电路基本上没有什么不同。因此,在超大规模集成电路制作工艺过程中,所使用的净化间方面并不一定会出现特别新的问题,它与目前大规模集成电路制作工艺过程中所使用的净化间     

发展微细加工技术提高大规模集成电路水平

经国家科委批准,《微细加工技术》(季刊)正式创刊并在国内公开发行。它是反映国内外微细加工技术发展的综合性刊物,为发展微细加工技术,提高大规模集成电路水平服务。最近,国务院领导同志在全国电子计算机和大规模集成电路规划会上指出:“没有计算机和大规模集成电路,就没有四个现代化。”把计算机和大规模集成电路摆在十分