磁记录资料索引

l、带育屏蔽的M尺磁头 电子通信学会MR 76一25一27,25一31(l扫阵!科才支』{l峰报所藏)2、记忆装置薄漠磁头的设计、计算与使用问题 3a,、·:,。宋zla只I)a八牡。:,,2 eK:11〕。,l,一x Ka D付n。10.eTP.23一44,1976。3、磁记录头用的晶体铁氧体(2) 电子陶瓷(印8卷秋一号“百玲77年飞、‘磁记录的低噪声芍膜传感器 IBM Tee卜n。Disel.Rull.,V〔)1.2O.No。2.79斗,1{,77.6、MoZ。单晶铁氧体的加工方法及磁场构造 电子通信学会MR76一25一27,灼76、巧一2‘4(中国科技情报所欣)6、烧结后的冷却速度对‘M:Zn铁氧体的影响 J。入丁a ter。ge…     

垂直磁记录开发动向

以垂直磁记方式的实用化为目标。各家公司进行了使用各种垂直记录介质和垂直头的浮动磁盘及硬盘装置的试制研究。作为垂直介质。Co-Cr溅射膜已达到批量生产阶段;除溅射以外,也采用蒸镀、     

垂直磁记录的研究进展

一、引言垂直磁记录(Perpendiculor magnetic recording)是近几年才研究发展起来的一种新型磁记录方式,它得名于所记录的磁信号是垂直于磁记录介质表面。或者说,被记录信号所磁化的“小磁体”是处在磁介质厚度方向上。它跟目前常用     

磁记录用磁阻头

概述了磁阻头的工作原理、结构性能以及发展状况。     

磁记录的一般概念

一、前言声音、图像、数值、文字及其他一切能转换成电信号的信息,都能记录在磁介质上,然后根据需要进行再现,这就是磁记录的功能。常用的磁记录器件有磁芯、磁盘、磁鼓和磁带。磁芯是外径O.3～O.6毫米的矩磁铁氧体环,按一定排列方式构成存贮器,容量可大于10～6位,存取周期可小于1微秒,取数时间可小于300毫微秒,主要用作计算机的内存贮器。磁盘主要也是记录数值量,用作计算机的外存贮器,一张盘的容量可达10～8位,取数时间是10～1毫秒量级。磁带既可记录数值量又可记录模拟量,记录数值量时主要也作计算机的外存贮器,一卷数值带的容量     

垂直磁记录介质的新进展

一.导言垂直磁记录作为高密度记录发展的一个方向,为人们所关注。1974年,日本东北大学的岩崎俊一等人,首先发现Co—Cr膜具有垂直各向异性。在这个基础上,1975年,他们指出介质垂直磁化的可能性,并试验用Co—Cr垂直各向异性膜和环形磁头进行记录和再生。1977年,他们正式提出垂直记录模式,引起各国有关学者的极大兴趣。从此,垂直磁记录成为热门的研究课题。     

垂直磁记录介质的新进展

介绍了垂直磁记录介质近几年的一些新进展.由于磁记录技术的迅速发展,不断出现新的设计和革新,这里着重介绍了传统的垂直磁记录介质、倾斜垂直磁记录介质和热辅助垂直磁记录介质.对于传统的垂直磁记录介质,大致总结了在矫顽力、成核场、晶粒大小及其分布、尺寸分布、退耦合相互作用等方面的研究工作.其他两种介质的出现主要是为了解决超高密度磁记录所面临的非常尖锐的写磁头能力限制问题.对于倾斜介质,着重介绍了交换耦合复合介质的发展、进展和它的一些优点.对于热辅助垂直磁记录介质,主要介绍了它的工作原理.     

垂直磁记录的研究现状

一、前言磁记录技术的每一个历史阶段,都是把提高记录密度作为主要的研究课题,垂直磁记录的研究目的也正在于此。从1975年开始,日本东北大学的岩崎俊一教授就着手研究垂直磁记录方式。经过短暂的五年时间,就得到了世界各国的承认。目前,其研究方向已逐步从基础研     

磁记录介质的记录位密度

本文从理论上探讨磁记录介质在纵向记录时磁层上的表露磁场、退磁场和退磁因子;从而推导出磁记录介质记录位密度的计算公式;最后对影响记录位密度的因素进行了讨论;并计算了一些国内外磁带记录位密度的理论值。     

垂直磁记录再生特性的分析

通过对单极形磁头再生过程的理论分析，推导出再生电压波长响应的解析表达式，这个表达式适用于间隙量为零的普遍情况，实验结果证实了这个表达的正确性。探讨了提高记录密度和再生灵敏度的途径。     

垂直磁记录介质技术进展的新动态

一、前言自从1898年丹麦人V.Powlsem发明磁记录方式以来,经历了一个漫长的岁月。磁记录技术已发展成为世界领先的科学技术之一。记录波长由最初的100μm发展到蒸镀带的0.3～0.4μm。无论是磁记录装置或是磁记录介质都得到了迅速的发展。     

新型磁记录用金属磁粉—碳化铁

介绍了一种新型磁记录用金属磁粉:碳化铁(Fe_3C、Fe_5C_2、Fe_7C_3)。详细介绍用各种氧化铁和α—Fe粉作原料,与CO起碳化反应时碳化铁的生成特性及其磁性。最后进行了讨论,并给出几种有希望作磁记录介质的碳化铁的制备条件。所得磁粉的磁性及氧化性与氮化铁Fe_4N的相当。     

垂直磁记录介质材料研究的新进展

一、引言日本学者岩崎俊一(S.Iwasaki)等人在1977年的国际应用磁学会议(Inter MAG)上首次发表了题为“高密度磁记录磁化模式的分析”文章,用具体实验数据说明这种新型磁记录方式,在线密度上远远地超过目前常用的纵向磁记录方式,展示出它有很大的发展前景。文献对81年前的研究概况及主要成果已作了综合性     

磁记录为化工原料开辟了广阔市场

1981年电子机器用的存储器装置销售额大约是140亿美元,今后十年内的年增长率至少35％。仅1982年一年的时间,加利福尼亚州就建了22个磁带和磁盘生产厂家。估计1986年磁记录设备的销售额为:软磁盘9.2亿套,价值14.7亿美元(1980年的价格,下同);     

提高磁记录介质定向效果的途径

本文对与磁记录介质定向技术有关的定向装置、定向磁场大小、定向作用时间、干燥及固化方式、磁性粒子分布状态、磁浆配比和涂布等工艺因素进行了分析和讨论.说明介质的定向效果和工艺中的多因素有关,只有从各方面采取合理的工艺路线,才能最大限度地提高记录介质的矩形比和定向系数、     

用电镀技术制备钴垂直磁记录膜

美国XeroX公司采用电镀技术,试制了纯钴的垂直磁记录介质。因钴磁化强度高,作成薄膜时,由于退磁场的影响,很难使磁化的方向原封不动地保持在与膜面垂直的方向上。因此,在钴里掺杂(合金化),削弱其磁化强度,利用溅射、电镀等工艺,试制垂直记录介质。Xerox公司采用PH值为6.4～6.6的钴硫酸盐电     

连续薄膜型高密度磁记录介质的研究

在高密度(短波长)记录的场合,连续薄膜型磁记录介质的研究和应用愈来愈重要。本文介绍和讨论了薄膜磁记录介质的近期研究概况,着重介绍了溅射Co-γ-Fe_2O_3薄膜磁盘;电镀和化学镀Co-P和Co-Ni-P薄膜磁盘;真空蒸镀的Co-Ni合金薄膜磁带以及高密度记录介质的发展动向。     

扫描电子显微镜在磁记录技术中的应用研究

本文研究了扫描电子显微镜在磁记录技术中的应用.根据对磁粉在磁层表面分散性的观察表明,磁粉在磁胶里分散程度的好坏与磁带或软磁盘的矩形比是一一对应的,当分散好时矩形比就高;对磁粉取向表面均匀性的观察表明,取向度高的磁带,其磁粉取向表面均匀性并不一定好;在涂层厚度的测量中,通过对几种测厚方法的比较,认为用扫描电镜测量最为准确。     

高密度磁记录用部分晶化钡铁氧体薄膜

对于沉积态非晶薄膜,通过严格控制其块速热处理时间,从而制备出了部分晶化钡铁本薄膜,和学显微镜（ＡＦＭ）观察表明,与完全晶化的薄膜相比,部分晶化的薄膜具有更光滑的表面,振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测量结果表明,这种薄膜具有非常低的△Ｍ值,这主要是由于磁性粒子之间存在非磁性相,使和磁性粒子之间的磁耦合减小的缘故。     

用涂复技术制备钡铁氧体垂直磁记录膜

东京芝浦电气综合研究所用钡铁氧体作磁性微粒子材料,采用涂复方式制备了垂直记录介质。六角钡铁氧体微粒子呈片状,片状微粒的直径比厚度大得多,并且易磁化轴垂直于片面。因此,如果把钡铁氧体粒子(用CoTi离子置换部分Fe离子)的片状磁