半导体PN结器件瞬态行为一维模拟

用时域有限差分（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ） 方法对 Ｐ Ｎ 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算,得到了半导体 Ｐ Ｎ 结器件的瞬态行为的一维模拟．     

测量InSb器件PN结深度的有效方法--阳极氧化法

对如何利用“阳极氧化法”显示化合物半导体InSb(锑化铟)PN结的剖面形貌进行了研究，该方法解决了InSb器件PN结深度的测量问题，可操作性强，对于该类半导体器件生产工艺的制定和实施具有一定的现实意义。     

稳态条件下体异质结有机太阳能电池的数值分析

采用Gummel提出的一种非耦合算法对体异质结有机太阳能电池进行数值模拟.在一维模型上对顶电极与底电极之间距离等间距网格划分及基本方程组差分离散,并采用牛顿迭代法将非线性方程组线性化,求出其数值解,最后仿真验证了算法的正确性.     

利用半导体PN结模型分析石英玻璃的极化过程

利用半导体PN结偏置过程的理论模型,类比分析了玻璃的热及电场极化过程。理论分析表明,在热及电场极化条件下,正、负电极与玻璃分界面处的电场及电荷分布规律与其在反向、正向偏置的2个PN结处非常相似;利用PN结偏置模型,并考虑玻璃极化过程中电子的作用,修正了极化玻璃中电场分布和载流子运动方程及其边界条件,并解释了一些已有实验现象。     

一种温控仪的设计

设计出了一种高低温温度控制样品室,温度控制范围-100～200℃,采用二极管和铂电阻作为温度测量传感器件,利用二极管的PN结温度特性对液氮液面进行标定,利用铂电阻对样品室温度进行测量和控制.     

磷化镓绿色发光二极管

文章叙述了GaP绿色发光二极管的材料和器件的制备。对试验所得到的这些材料和器件进行测定与分析表明:用过补偿液相外延方法已能重复地生长出绿色发射PN结。目前已达到的绿色发光二极管性能为:30毫安电流下,正向压降低于2.7伏,总光通量普遍大于10毫流明,有些高达20毫流明以上;发光光谱峰值波长为5600埃左右。     

采用全阶状态观测器的IGBT模块结温预测

为解决控制器功率器件过温失效问题,需要对IGBT的PN结温度进行实时精确估计。设计全阶状态观测器对IGBT的结温进行实时估计,并综合考虑电、热参数的相互影响,采用闭环控制实现结温的估计修正;根据双脉冲测试原理搭建IGBT动态特性离线测试平台,研究导通电流、母线电压、结温对IGBT损耗的影响,采用线性插值法推导IGBT损耗的数学模型;根据热-电比拟理论建立热网络模型,搭建热阻测试平台获得温度与瞬态热阻变化曲线;基于IGBT热网络模型推导各温度节点的状态方程,针对开环估计方法估计精度差的问题,设计全阶状态观测器,利用观测器输出壳温和实测的壳温之间的误差对结温估计值进行实时修正。搭建基于Matlab\\Simulink的仿真平台,验证了IGBT结温估计的有效性和准确性;搭建结温预测实验平台,采用热敏参数法对结温状态观测器进行验证。仿真和实验结果表明,估计的结温能够很好地跟踪实际值,验证了提出方法的准确性。     

水库冰盖数值予报方法

建立了一维冰盖生长数值模型,数值计算结果优于指数日法经验公式。     

基于晶体管PN结温度特性的热电偶冷端补偿

利用晶体管PN结温度特性设计出热电偶冷端补偿电路,并对常用热电偶冷端补偿方法进行比较分析。文中给出了在K型热电偶冷端补偿的基本原理、相关数据和检测精度,提供两个PN结温度补偿电路。     

非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型．实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好．     

PN结传感原理线性化分析

PN结在恒流条件下,通过对其正向偏压随温度升高而降低的线性化分析,得到其传感原理的简化线性公式。在分析过程中,考虑了半导体材料禁带宽度受温度变化所产生的影响,进而对PN结的传感理论进行了修正。实验表明,修正后的理论与实验结果之间的误差减小,解决了PN结传感理论中存在的问题。     

限制的液流中的二元瞬变流

本文用二元瞬变流拟特征线法,提供了压力波通过调压塔与管路连接处时,压力波传播平面状况的数值分析,并用在断面突然扩大及突然收缩处压力波传播的数值解与解析解相比较,论证了本文使用的二元拟特征线法的准确性及有效性。此外,还提供了二元拟特征线法与一元特征线法在断面突然扩大和调压塔与管路连接处压力波传播的计算结果比较。     

基于单片机的半导体禁带宽度测定

针对采用光学法、电学法测量半导体禁带宽度时操作与数据计算都不够简便的问题,依据半导体物理学的基本规律：由半导体材料组成的PN结其正向电压VF和温度T在一定条件下具有高度的线性相关,利用常用物理实验仪器采集PN结的电压和温度信号,并加以放大和转换;单片机自动采集、存储、线性化放大和转换后的电压和温度信号,计算后显示测量结果．测量结果较准确、测量误差较小,用单片机对禁带宽度的实际测量可行、简便．     

应用Matlab软件在验证PN结伏安关系特性实验中求经验公式

介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,对实验测得的数据进行处理,给出了每一步处理的数据和最后结果数据、曲线,提供源代码。     

二极管伏安特性曲线的理论分析

从PN结的导电原理出发,详细地分析了二极管的伏安特性曲线,对大学物理实验"非线性电阻伏安特性曲线测量"的结果进行了合理的解释。