基于EIT技术的微区薄层电阻测试系统研究

分析了各种半导体材料电阻率测量方法的优缺点及适用性,利用电阻抗成像技术(EIT),探究了一种用来检测Si片内微区薄层电阻率均匀性的无接触测试技术.实现这种测试技术的硬件电路系统主要由激励模块恒流源、驱动模块多路模拟开关、信号处理模块前置放大电路、A/D转换器件和DSP(数字信号处理器)芯片、计算机等构成.分别介绍了各模块的构成与功能,并略述了用一种图像重建算法等位线反投影法进行阻抗分布图像的重建.     

微区薄层电阻四探针测试仪及其应用

用斜置的四探针方法 ,依靠显微镜观察 ,将针尖置于微区图形的四个角区 ,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻。文中对测准条件作了分析。并用该仪器测定了硼扩散片的薄层电阻分布。在测试过程中应用微处理器 ,加快了计算速度     

微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量，在测试过程中应生处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。     

微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

本文利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全乍的灰度图，这种微区薄层电阻测试Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量。在测试过程中应用微处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快了计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

再谈经典四探针测试方法中圆片连界修正系数

介绍经典法直排四探针测量电阻率或薄层电阻时，圆片边界修正系数的计算公式，计算程序和修正系数表。     

四探针技术测量薄层电阻的原理及应用

对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.     

无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,使探针处于规定的位置,实现自动调整、测试;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析,推导出探针游移产生误差的计算公式,绘制了理论及实测误差分布图;测出无图形100mm样品电阻率,并绘制成等值线Mapping图.     

无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测U L SI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,使探针处于规定的位置,实现自动调整、测试;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析,推导出探针游移产生误差的计算公式,绘制了理论及实测误差分布图;测出无图形10 0 m m样品电阻率,并绘制成等值线Mapping图.     

再谈经典四探针测试方法中圆片边界修正系数

介绍经典法直排四探针测量电阻率或薄层电阻时，圆片边界修正系数的计算公式、计算程序和修正系数表。     

双位组合四探针法测量硅片电阻率

本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直接套用常规的厚度计算方法，而且还必须采取新的厚度修正。本文给出两种双位组合法的计算公式，分析新的厚度修正原理，给出测试结果，得出相应结论。     

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法 ,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试 ,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论 .应用此测试方法得到了 75mm的全片电阻率分布的mapping图 ,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性 ,是一种行之有效的测量方法     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得知均匀性 .推导出用于体电阻率时的厚度函数 .论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理 ,给出了Rs 和 ρ的计算公式.     

基于探头导纳模型的复介电常数测量技术

基于开口同轴探头的导纳模型,建立被测材料复介电常数与反射系数之间的数值关系。使用矢量网络分析仪测量探头终端的矢量反射系数,利用虚拟仪器构建可视化界面,通过软件编程反演计算来确定被测介质的复介电常数,并对已知材料的测量值、HFSS软件仿真值、模型理论值对比,能够很好地吻合,验证了该模型的准确性。对一些常见介质及吸波材料进行了测量。本方法具有非破坏性,适于现场测量,而且具有设备简单、操作方便直观、测量精度高等优点。     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

版图设计导致薄膜电阻率不均匀性的研究

在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例偏离效应。这主要体现在R_□值随该电阻所连金属面积与该电阻面积比例的增大而增大。     

基于小型阵列探头的声波分离方法研究

声级计等现有的声压在线测量工具并不能够抑制干扰噪声对测量精度的影响,针对这一问题提出了一种基于小型阵列探头的声波分离方法,该方法以球波函数叠加逼近理论作为分离算法的基础,可应用于噪声环境下目标对象辐射声压的简易快速准确测量。为验证该方法的可行性,设计了一个由5只传声器组成的小型立体阵列探头,在含有干扰声源的声场中,通过对探头所测得的复声压信号进行声波分离算法处理,便可将测量对象辐射的声波从存在干扰声波的声场中分离开来。数值仿真及实验结果表明,通过该方法可以简易快速地得到较好的声波分离效果。     

基于STM的多模式扫描探针显微镜的建立

在已有的扫描隧道显微镜（STM）基础上设计了一套集STM、 光子扫描隧道显微镜（PSTM）、近场扫描光学显微镜（NSOM）、扫描近场声学显微镜（SNAM）为一体的多模式扫描探针显微系统（SPM）。系统的4种模式可通过转换开关方便地切 换,探头的更换也很容易。利用本系统对典型样品进行了扫描成像。测试表明,系统具有良好的稳定性和超高分辨率。