自催化方式制备的ZnO一维纳米结构

ZnO一维纳米材料由于在压电、光电等方面的优良性质，正引起广泛的关注。介绍了目前不用催化剂合成ZnO一维纳米结构的几种方法，其中包括热蒸发方法、金属一有机物化学气相沉积方法（MOCVD）和自组装生长等，同时对合成的一维ZnO纳米结构进行了分析，简单地比较了这几种制备方法的优劣。     

溶液生长ZnO一维纳米阵列及其复合纳米结构的研究进展

对溶液生长ZnO一维纳米阵列的研究进展进行了评述,分析了晶种制备和溶液生长过程中各工艺因素对阵列微观形貌的影响,并介绍了在溶液中通过控制定点成核并利用有机基团调控ZnO晶体生长习性的合成路线用于构筑ZnO复合纳米结构的最新研究,指出了溶液生长ZnO一维纳米阵列和构筑复合结构中存在的问题及今后的研究方向.     

基于ZnO纳米带的纳米器件

ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料,在具有了纳米带状结构之后,展现出了更多的奇特性质.主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二极管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究.     

纳米结构氧化锌的制备新方法

介绍了一种在纯水环境中水热法合成纳米结构ZnO的新方法,讨论了该方法制备纳米ZnO的生长机理和影响因素。通过扫描电镜检测可知,合成的纳米结构ZnO形貌均一,晶形规则。由荧光光谱可知,合成的纳米结构ZnO在370nm左右有典型的较窄的本征激发光峰,在500~550nm有宽泛的深能级激发光峰。     

纳米结构氧化锌的制备新方法

介绍了一种在纯水环境中水热法合成纳米结构ZnO的新方法，讨论了该方法制备纳米ZnO的生长机理和影响因素。通过扫描电镜检测可知，合成的纳米结构ZnO形貌均一，晶形规则。由荧光光谱可知，合成的纳米结构ZnO在370nm左右有典型的较窄的本征激发光峰，在500－550nm有宽泛的深能级激发光峰。     

阵列纳米ZnO的一种新颖的制备方法及其光致发光特性研究

将锌粉、炭粉和氧化锌粉末混合,用简单的热蒸发方法一步就合成了大量的尖锥状纳米ZnO阵列,该方法克服了其它制备方法需要先单独制备催化剂再合成ZnO的缺点而且得到产物不含杂质.用SEM、EDX、XRD和PL对样品进行了形貌、结构和发光特性分析.结果表明,生成的锥状阵列纳米ZnO为六方纤锌矿结构,产物中氧的含量不足,初步探讨了阵列纳米ZnO结构的生长机理和光致发光性质.     

基于ZnO纳米带的纳米器件

ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料，在具有了纳米带状结构之后，展现出了更多的奇特性质。主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二板管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究。     

用于环境光催化的固载型ZnO纳米结构的研究进展

光催化技术是解决当今环境污染问题的最有效途径之一。氧化锌(ZnO)作为一种重要的n型宽禁带半导体,不仅具有优异的光电性质,而且包含丰富的纳米结构,在光催化领域受到广泛关注。通常用作光催化剂的ZnO纳米材料是以粉体形式呈现,使用后需经过离心和过滤等回收工序,还容易造成二次污染。将ZnO纳米结构固定在可以移动的基底上,形成固载型的光催化剂,可以避免上述麻烦。从基本"结构单元"的维度的角度出发,综述了用于环境光催化的固载型ZnO纳米结构,包括零维、一维、二维和三维结构。零维结构主要是固定后的纳米颗粒,一维和二维结构分别以纳米棒和纳米片阵列为主,三维结构由低维度形态组合而成,大多形成复杂的分级结构。最后对固载型ZnO纳米结构在环境光催化的实际应用中所面临问题和挑战进行了展望。     

无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带

通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构.合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米.同时对纳米带的生长机制作了详细讨论.     

化学溶液法外延组装ZnO分级纳米结构

采用气相法、液相法相结合的方法外延组装了一种形貌新颖的复杂ZnO分级纳米结构--"纳米毛刷".首先用热蒸发的方法制备了宽面为极性面的ZnO纳米带,然后采用化学溶液法,在强碱溶液中在ZnO纳米带的极性面上外延生长Zno纳米棒阵列,实现了ZnO分级纳米结构"由下而上"地外延组装.采用负离子配位多面体生长基元模型讨论了ZnO分级纳米结构的外延组装机理.这种ZnO分级结构的实现,可望作为ZnO纳米器件的原型材料构建新型光电器件.