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氧化铝多孔陶瓷制备工艺的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本研究了氧化铝多孔陶瓷的制备工艺,探讨了制备工艺参数对多孔陶瓷性能的影响。研究结果表明,氧化铝骨料颗粒度是得到不同孔径多孔陶瓷的关键;粘结剂含量对多孔陶瓷的孔隙率、强度有很大影响;烧 是得到性能多孔陶瓷的重要因素。通过改变工艺参数,可以得到平均孔径1至10μm,开气孔率40%的氧化铝多孔陶瓷。 相似文献
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沉淀法制备纳米氧化铝粉体的新工艺研究 总被引:20,自引:0,他引:20
以(NH4)2CO3为沉淀剂,并采用一种高分子分散剂,研制出沉淀法制备纳米氧化铝粉体的新工艺。制备出球形纳米氧化铝粉体,在800℃煅烧得到的颗粒尺寸为5-6nm,在1100℃煅烧得到的颗粒尺寸约为8nm。研究了沉淀pH、溶液浓度、煅烧温度和分散剂用量对纳米氧化铝粉体性能的影响。 相似文献
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本文提出了一种采用添加有机表面活性剂处理钢球球磨过的工业Al2O3细粉的新工艺。采用该工艺可以大大地加快除去Al2O3粉中杂质铁的速度。另外,本文还讨论了Y-PSA含量及烧成温度对ZTA陶瓷性能的影响。 相似文献
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原位合成纳米氧化铝烧结助剂制备轻质氧化铝陶瓷 总被引:2,自引:0,他引:2
采用氧化铝空心球和α-Al2O3细粉为原料,以硫酸铝和硫酸铝铵水溶液及PVA水溶液为结合剂,并以硫酸铝和硫酸铝铵受热分解而原位合成的纳米γ-Al2O3作为烧结助剂制备轻质高强氧化铝陶瓷。研究结果;引入的氧化铝空心球助烧剂能促进轻质高强氧化铝陶瓷的烧结,烧结温度为1700℃,对应密谋为1.21-1.60g/cm^3,常温抗压强度为22-42MPa。荷重软化温度超过1700℃(0.1MPa),是高温窑炉理想的轻质高强内衬结构材料。 相似文献
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原位生长棒晶氧化铝陶瓷的制备 总被引:15,自引:2,他引:15
α-AI2O3中加入CAS(CaO-AI2O3-SiO2)添加剂,在≥1550℃,3h条件下无压烧结,制备出原位生长棒晶自增韧氧化铝陶瓷。烧结行为和显微结构研究表明:1500℃完全生成棒晶,棒晶的大小均匀,样品的相对密度达到>97%,烧结湿度升至1600℃时,烧结对棒晶的尺寸几乎无影响,不含CAS添加剂的样品在1300-1600℃烧结不能生成氧化铝棒晶,而0.1%-0.5%(质量分数计,下同)CAS的加入可引发氧化铝晶粒异向生长,形成棒晶,CAS的添加量从0.1%增加到0.5%对氧化铝棒晶的显微结构没有明显的影响。 相似文献
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反应烧结制备AlN—Al2O3复合陶瓷的机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
探索性地研究了用反应烧结技术在Al2O3陶瓷中引入原位生成的纳米级的AlN,制备AlN-Al2O3纳米复合陶瓷,结合衍射仪,微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。 相似文献
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以PAA-NH4与阿拉伯树胶为分散剂,采用有机泡沫浸渍和凝胶注模工艺制备了不同气孔率的氧化铝陶瓷。探讨了工艺参数对坯体的干燥和烧结状况的影响,以及有机泡沫的压缩比对多孔陶瓷的气孔率的影响。结果表明,坯体干燥最佳的升温速率为0.5℃/min;坯体的排胶温度为200~600℃.此时升温速率为0.5℃/min。大于600℃时.升温速率为10℃/min左右;可以根据有机泡沫的压缩比例,设计多孔陶瓷的气孔率的大小。 相似文献
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影响氧化铝陶瓷烧结的因素分析 总被引:6,自引:0,他引:6
阐述了氧化铝陶瓷的烧结机理 ,分析了烧成气氛、物料分散度及添加熔剂等因素对氧化铝制品烧结程度的影响 ,总结出理想的升温制度、保温时间、绘制烧成曲线。 相似文献
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塑性挤压成型90氧化铝陶瓷工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了塑性挤压成型生产90氧化铝陶瓷新工艺,进行了吨级规模氧化铝瓷球工业生产试验。结果表明,塑性挤压成型较之等静压成型生产90氧化铝陶瓷,具有工艺设备简单,投资小,成本低,产品适用面宽的优点。用本工艺试制的1号氧化铝瓷球比重大于3.54g/cm^3,干磨磨耗0.100-0.12g/kg.h,湿磨磨耗0.230-0.356g/kg.h,可与用相同原料配方,等静压成型生产的氧化铝瓷球的磨耗值(干磨0.111-0.141g/kg.h,湿磨0.235-0.352g/kg.h)相媲美。本工艺可推广应用于外形各异,断面相同的棒,管,柱,板状90氧化铝陶瓷异型件的规模生产。 相似文献
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工艺参数对氧化铝陶瓷烧结性能和显微结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了工艺参数对氧化铝陶瓷致密化行为和显微结构的影响。通过控制工艺参数,如粉料的粒径和粒度分布、生坯密度、温度机制等可以改善烧结性能、改变显微结构。 相似文献
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工艺参数对反应烧结AIN陶瓷的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以Al,AlN粉为原料,采用反应烧结技术制备AlN陶瓷。Al粉含量、Al粉粒径、成型压力和升温制度是RBAN的重要工艺参数,优化工艺参数可制备出性能良好的AlN陶瓷。Al体积分数45%,1700℃温度下可制备出烧结密度为93%,抗弯强度为292MPa的AlN陶瓷。 相似文献
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本文综合了Al2O3陶瓷在真空电子器件中的应用背景、沿革和前景,根据应用的不同,提出了金属化用陶瓷和非金属化用陶瓷两种陶瓷的分类方法,两者显微结构迥然不同,前者是粗晶结构(D平=10~20μm),而后者则是微晶结构(D平=2~3μm)。 相似文献
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