InP与In1—xGaxAsyP1—y／InP的电解液电调制反射光谱

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱，利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量，增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子，并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界能量值Ｅ０和Ｅ２。     

电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。     

InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算

采用有效质量框架下一维有限深单阱的Ｋｒｏｎｉｇ － Ｐｅｎｅｙ 模型对ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 量子阱结构的跃迁波长与组分及阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此材料体系的生长临界厚度。计算结果表明,ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘ ＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 是制作１ ．３ μｍ 或１ ．５５ μｍ 波长量子阱激光器的良好材料体系,此材料体系在２ ～３ μｍ 的中红外波段也有很大潜力。采用ｙ 约为０ ．４ 的组分和约１ ．３ ％ 的压应变可以满足１ ．３ μｍ 波长激光器的要求, 而ｙ 约为０ ．５５ 的组分和约１ ．８ ％ 的压应变可以满足１ ．５５ μｍ 波长激光器的要求。     

张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究

给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD

报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条件下，晶体具有更好的质量和特性。     

采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT

采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ　ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９...     

IN1—x—yGaxAlyAs四元混晶的喇曼散射

报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ模．喇曼光谱的偏振分析表明３种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的，而在偏振条件下是喇曼非活性的．由于混晶中的无序效应，可观察到泄漏的ＴＯ模叠加在ＬＯ的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状．     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算

采用半经验的紧束缚方法计算了与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的电子联合状态密度及介电常数虚部,并根据Kramers-Kronig关系式求得了光透明区的折射率常数.     

In_(1-x)Ga_x As_y P_(1-y)的喇曼光谱(英文)

Quaternary Ⅲ-V semiconductor compound In1-xGaxAsyP1-y has recently attracted much attention to the application of various optoelectronic devices. And the lattice dynamics of InGaAsP is also interesting from a physical point of view.We reported a Raman spectra of quaternary InGaAsP epitaxial layers grown on InP over the whole range of composition (0≤y≤1 and 0≤x≤0.47). Raman measurements were performed in the backscattering geometry using a variety of lines of Ar+ laser in the room-temperature and liquid nitrogen temperature ambient. From these measuments, we confirmed that the phonon spectra of InGaAsP exhibited four-mode behaviour of the alloy. We plotted the peak frequencies of the Raman spectra as a function of y (or x), temperature and wavelength of incident light,and also discussed the composition dependence of the peaks intensities.     

(100),(111)B InP衬底上InGaAsP相图的计算

本文运用DLP模型计算了与(100),(111)B InP衬底晶格匹配的In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)相图。计算表明,根据DLP模型原理,对K值加以取向修正后,DLP模型可以描述不同取向InP衬底上InGaAsP体系的相平衡。     

低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管（SPAD）的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGaAs （x=0.53）材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y（x=0.78,y=0.47）材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与InP材料晶格匹配良好,可在InP衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 eV,截止波长为1.2 m,可满足1.06 m单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06 m InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 kHz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。     

InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。     

Current drifting behaviour in InP MISFET with thermally oxidised InP/InP interface

Inversion-mode InP MISFETs with a thermally oxidised InP/InP interface have been fabricated. The devices exhibit fairly stabilised drain-current/time characteristics compared with those of the conventional devices reported so far. The MIS interface properties are also discussed.     

Refinements of fabrication processes in sputtered double-layer ITO/InP solar cells

A two-layer fabrication technique developed to avoid surface degradation in sputtered indium tin oxide (ITO)/indium phosphide (InP) solar cells, initially provided insight into junction formation mechanisms, and has now been further refined to provide gains in efficiency. A critical parameter is the deposition rate of the first layer (indium tin) onto the InP surface, and it was found that this layer should be deposited at greater than 1Ås^?1. A major problem was the series resistance and, to improve this, extensive experimental work was carried out into varying the post-deposition annealing procedure of the second film, the ITO layer. Finally, a preliminary study of devices with the first layer electron-beam evaporated was carried out and a comparison between sputtered and electron-beam devices confirmed previous ideas on junction formation mechanisms.     

基于异变缓冲层与应变层超晶格的InP/GaAs异质外延

利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并进一步在正常InP外延层中插入In1-xGaxP/InP(x=7.4%)应变层超晶格。在不同低温GaAs缓冲层厚度、应变层超晶格插入位置及应变层超晶格周期数等条件下, 详细比较了InP外延层(004)晶面的X射线衍射谱, 还尝试插入双应变层超晶格。实验中, 1.2 μm和2.5 μm厚InP外延层的ω扫描曲线半峰全宽仅370 arcsec和219 arcsec; 在2.5 μm厚InP层上生长了10周期In0.53Ga0.47As/InP 多量子阱, 室温PL谱峰值波长位于1625 nm, 半峰全宽为60 meV。实验结果表明, 该异质外延方案有可能成为实现InP-GaAs单片光电子集成的一种有效途径。     

InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长

用液相外廷获得了与InP晶格匹配的Ga_(0.47),In_(0.53)As单晶外延层.本文叙述在(100)和(111)InP衬底上Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP液相外延生长方法.用常规滑动舟工艺生长的这种外延层,其表面光亮,Ga的组分x=0.46～0.48,晶格失配率小于2.77×10~(-4),禁带宽度E_g=0.74～0.75eV.使用这种Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP/InP(衬底)材料研制的长波长光电探测器,在波长为0.9～1.7μm范围内测出了光谱响应曲线,在1.55μm处呈现峰值.