英飞凌成功推出第五代thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管

英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系数（QcxVf）与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。     

第五代thinQ!SiC：肖特基势垒二极管

英飞凌近日宣布推出第五代650VthinQ!SiC肖特基势垒二极管。新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ!产品，PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。英飞凌第五代产品的目标应用是高端服务器和电信SMPS（开关模式电源）、PC银盒和照明应用等。     

英飞凌成功推出第五代thinQ TMSiC肖特基势垒二极管

正英飞凌近日宣布推出第五代650 VthinQ TMSiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使     

英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份有限公司近日推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。     

英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容．可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中提高效率,且可     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1 200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管

英飞凌科技日前宣布推出第三代thinQ!SiC萧特基二极管。全新的thinQ!二极管拥有业界最低的装置电容，适用于所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助于降低整体电源转换的系统成本。此外，英飞凌第三代产品提供业界最丰富的SiC萧特基二极管产品组合，     

英飞凌推出第五代1200VthinQ!TM碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ！ TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO-220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,     

英飞凌推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO-220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。独具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准     

采用T0—220FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出采用TO一220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的T0220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。     

基于混合PN／肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管

第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

碳化硅器件发展概述

概要介绍了第三代半导体材料碳化硅(SiC)在高温、高频、大功率器件应用方面的优势,结合国际上SiC肖特基势垒二极管,PiN二极管和结势垒肖特基二极管的发展历史,介绍了SiC功率二极管的最新进展,同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及发展方向做了概述及展望。     

SiC元器件领先投入实际应用

在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在2006年3月又推出功率损耗更少的第二代产品。关于MOS晶体管，日本ROHM公司预定在2006年内开始提供样品。三菱电机公司使用自行开发的MOS晶体管和肖特基势垒二极管构成变频器电路，用于驱动额定功率3．7kW的电动机。并且已经证实，同使用硅元器件时相比，功率损耗大约减少54％。     

SiC肖特基二极管势垒不均匀分布理论与研究进展

碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异的性能,在高温、高频和大功率器件领域具有广阔的应用前景.SiC肖特基二极管是最早商用化的SiC器件,然而,由于决定金属接触性能的肖特基势垒无法得到有效控制,高性能的SiC欧姆接触和肖特基接触制备仍然是SiC肖特基二极管研制中的关键技术难题.基于此,首先对金...     

罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象

正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。     

浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性

SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的研究具有十分重要的理论和实际意义。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反