低噪声SAW反馈稳定压控振荡器

仔细选择声表面波谐振器,可得到输出很纯的300MHz压控振荡器(VCO)。用于锁相环(PLL)的压控振荡器必须经常在调频范围和相位噪声之间折衷考虑,以确保所有条件下的锁定。怎样得到好的折衷以满足低噪声指标将取决于选择的谐振器带宽,插入损耗和稳定度。声表面波谐振器提供了这种通用性并可在300MHz压控振荡器内得到非常低的噪声。     

基于新颖调谐谐振器的低相噪VCO设计

介绍了一种采用新颖谐振器的低相位噪声窄带压控振荡器(VCO)的设计方法。该谐振器采用源与负载横向交叉耦合结构,形成一个传输零点,提高了谐振器的Q值。该谐振器通过弱耦合与变容二极管连接,从而实现电压控制滤波器通带中心频率调谐。利用该谐振器设计了一个窄带VCO,并在先进设计系统(ADS)软件里仿真验证。该VCO中心频率6.15 GHz,在调谐电压从0到15 V的范围内调谐带宽60 MHz,相位噪声在整个调谐范围内优于-132 dBc/Hz@1MHz,输出功率为8.4 dBm,功率平坦度±0.1 dBm。     

低相位噪声VCO的设计

设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730～840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率处,其实测相位噪声分别为-99.42 dBc/Hz@10 kHz,-116.44 dBc/Hz@100 kHz,-135.06 dBc/Hz@1 MHz。提出了一种采用基极低频滤波的办法消除VCO的杂散频率,整个测试频段内观察不到明显的杂散。阐述了VCO相位噪声的主要来源,给出了低噪声VCO的设计方法。理论计算,仿真结果和实物测试取得了一致的结论,对低噪声VCO的设计提供了一定的参考。     

用于以太网物理层时钟同步PLL的VCO设计

研究了一种基于以太网物理层时钟同步的高带宽低噪声压控振荡器（VCO）,该VCO采用交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过级联11级环路电路和改善其控制电压变换电路,优化了VCO的输出频率范围以及降低了输出时钟的相位噪声,完全满足以太网物理层芯片时钟电路的性能指标。基于TSMC3．3V0．25μmCMOS工艺的仿真结果表明,中心频率为250MHz时,压控增益为300MHz／V,其线性区覆盖范围是60～480MHz,在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc。     

用于微处理器时钟同步PLL的VCO设计

研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的相位噪声.基于CSMC 3.3 V 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,取延迟单元沟道长度为1 μm、中心频率为365 MHz时,压控增益为300 MHz/V,其线性区覆盖范围是30～700 MHz,在偏离中心频率600 kHz处的相位噪声为-95 dB/Hz,低频1/f噪声在-20 dB/Hz以下.该VCO可以通过适当减小延迟单元沟道长度来拓宽压控增益线性范围.     

MAX2310中频压控振荡器槽路设计

该文简单介绍了压控振荡器(VCO)的槽路设计方法,并给出了常用的85MHz、190MHz、210MHz压控振荡器的设计实例。     

一种低相噪压控振荡器的设计与实现

基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带宽电路共同产生正弦波频率信号的设计方法,通过线路设计、高Q元器件的应用及精细的工艺加工,逐步提高性能指标,实现了低噪声压控振荡器(VCO)制造的目的。测试结果表明,振荡器单边带相位噪声10 k Hz、100 k Hz处分别达到了-125 d Bc/Hz、-145 d Bc/Hz,较同类压控振荡器产品降低了-15 d Bc/Hz左右。     

1.8 GHz相位噪声优化的差分压控振荡器

针对DCS-1800标准，设计了应用于频率综合器中的差分压控振荡器。采用噪声滤波器，降低了VCO的相位噪声；采用片上电感，压控振荡器可以单片集成。其可调频率为1660～1815MHz，在偏置频率为600kHz的条件下，仿真测得的相位噪声为-125dBc／Hz。整个VCO的工作电压为2．5V，工作电流为6mA。     

低增益变化宽线性范围低噪声压控振荡器设计

应用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款低调谐增益变化,恒定调谐曲线间隔,恒定输出摆幅的低功耗低噪声宽带压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).本振荡器的振荡频率覆盖1.153~1.911GHz(49.5%)范围,相邻调谐曲线的覆盖范围大于50%,调谐增益变化范围为45.5~52.7MHz/V(13.7%),相邻调谐曲线间距变化范围为43.2~45.9MHz(5.9%),VCO输出波形的峰峰值为694~715mV(3%),调谐曲线的线性范围为0.2~1.6V(1.4V).在1.8V的电源电压下,VCO在中心频率1.53GHz处耗电电流为3.2mA,相位噪声在1MHz频偏处为-130.5dBc/Hz,FOM值为-186.5dBc/Hz.     

带高电压电荷泵的PLL频率合成器

ADF4113HV整数分频频率合成器是专门为那些需要宽频率调谐范围和高调谐电压（15V）的压控振荡器（VCO）的应用而设计的。其工作在200MHz～4GHZ频率范围，供电电压为2．7～5．5V。该器件包括一个低噪声鉴相器（PFD）、一个高精度的高电压电荷泵、一个可编程参考分频器、可编程A计数器和B计数器，以及一个双模预置分频器（P／P＋1）。     

自调谐VCO频段选择技术比较与设计

系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.     

一个8GHz高功率AlGaN/GaN HEMT VCO

基于中科院微电子所的AlGaN/GaN HEMT工艺研制了一个X波段高功率混合集成压控振荡器（VCO）。电路采用源端调谐的负阻型结构,主谐振腔由开路微带和短路微带并联构成,实现高Q值设计。在偏置条件为VD=20V, VG=-1.9V, ID=150mA时,VCO在中心频率8.15 GHz处输出功率达到28 dBm,效率21%,相位噪声-85 dBc/Hz@100 KHz,-128 dBc/Hz@1 MHz。调谐电压0~5V时,调谐范围50 MHz。分析了器件闪烁噪声对GaN HEMT基振荡器相位噪声性能的主导作用。测试结果显示了AlGaN/GaN HEMT工艺在高功率低噪声微波频率源中的应用前景。     

一种低功耗C类LC压控振荡器

采用SMIC 65 nm标准CMOS工艺,设计了一种新型的低功耗电容电感压控振荡器(LC VCO)。采用幅度监测负反馈技术,保证振荡器正常启动并且工作于C类工作状态,最大程度地增加输出摆幅。与常规C类电容电感压控振荡器不同,采用电流复用技术可以在保证性能不变的情况下使VCO的功耗下降50％。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该压控振荡器的功耗为1.1 mW,相位噪声为-123 dBc/Hz @1 MHz,FOM为190,振荡频率范围为2.3~2.6 GHz,可调谐范围为12%。     

声体波谐振器压控振荡器

声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题.研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5～10 dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143 dBc/1 Hz@1 MHz.     

基于802．11a标准的5GHz振荡器设计

介绍了一种全集成的LC压控振荡器（VCO）的设计。该振荡器的中心频率为5．25GHz,电源电压为1．8V,工作在802．11a标准下,采用0．18μmCMOS工艺实现。仿真结果表明。VCO的相位噪声在偏离中心频率1MHz时达到-121dBc／Hz,调谐范围达到31％,输出电压峰峰值为830mV,有良好的线性纯度。     

功率管L波段宽带VCO的设计与实验

本文介绍一种实用的功率晶体管宽带压控振荡器(VCO)工程设计方法,电调电并采用此法设计了一种 L 波段 VCO。该 VCO 工作频率为740～860MHz,压控带宽在压0～-15V 变化时达200MHz,输出功率>40mW,输出不平稳度<1dB,文中还介绍了该 VCO 的实验调整方法。     

基于CRO的低相噪频率合成器设计

频率合成器是现代电子系统的重要组成,本文采用同轴陶瓷介质振荡器(CRO)进行了压控振荡器(VCO)设计,给出了频率合成器的实现原理和设计方法,实现了低相噪的频率合成器模块,并对其性能进行了测试。     

一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构，具有集成度高，噪声性能良好的优点。该设计基于0．8μm BiCMOS工艺，实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器（VCO）。电路采用3V电压供电，频率范围399．8～465．1MHz，偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc／Hz。     

微波砷化镓超突变结电调管容压特性的研究及其在VCO的应用

本文叙述低-高-低n-GaAs多层有源层的扩散平面超突变结的容压特性及其控制,并给出容压特性与压控振荡器(VCO)频率特性的关系.在X波段FET VCO的应用获得大于1000MHz的线性电调带宽,在X波段体效应波导腔VCO的应用获得大于600MHz的线性电调带宽,最后评述X波段倍频程VCO的应用前景.     

1.8 V低相位噪声全集成LC压控振荡器的设计

介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计。该电路的中心频率为3.8 GHz,电源电压为1.8 V,采用0.18μm CMOS工艺制作。测试结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1 MHz时达到-126 dBc/Hz,调谐范围达到9%,VCO核心电路功耗小于8 mW。