千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。     

RF LDMOS功率晶体管及其应用

论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点,从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能,对其发展动态和应用情况作了介绍。     

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品后推出的新一代器件。此外,飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件,其峰值功率为10W。     

第七代LDMOS新型基站晶体管

BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管基于NXP公司第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术,专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。与上一代产品相比,功率密度提高了20％,功率效率增长了两个百分点,而R th热阻则降低25％以上。第七代LDMOS的性能实现新的突破,达到3．8GHz,且输出电容减少25％,可实现宽频输出匹配,从而设计出更加简单、性能更好的Doherty放大器。     

飞思卡尔WiMAX基站射频功率晶体管

飞思卡尔半导体公司（Frecscale Semiconductor）成功取得了．在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术获得重大突破。通过提供采用射频LDMOS和GaAsPHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用，     

3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管

南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ,脉冲宽度３００μｓ,占空比１０％,输出功率大于５０Ｗ,功率增益大于７ｄＢ,效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为１００μｓ时输出功率大于６０Ｗ。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高,器件的高频功率优值（Ｐｏ·Ｒｏ）下降,微波寄生参量变得非常突出,信号损耗增大,造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制,硅功率器件一般工作于Ｓ波段以下。限制器件功率输出的另一重…     

英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管

正英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50 V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管一具备400 W和500 W输出功率,适用于L频段和UHF频段雷达系统一和一个适用于965MHz至1215 MHz商用航空电子设备频率的应用的1000 W器件。每个器件最低都能承受10:1 VSWR(电压驻波比)负载失配,其可靠性是同类器件的两倍。     

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管

这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用,例如在2．5～2．7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下,提供16W平均输出功率时,PTFA260851E／F 85W可实现14dB增益（典型值）和22％效率（典型值）。在WiMAX信号条件下,提供32W平均输出功率时,PTFA261 702E 170W可实现15dB增益（典型值）和20％效率（典型值）。     

BLL6H1214-500：LDMOS晶体管

NXP推出针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（简称LDMOS）晶体管，该晶体管在1.2GHz到1．4GHz的频率之间带来达500W的RF输出功率。     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

微波功率晶体管的发展与分析

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。     

硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势

从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。     

微波功率异质结双极晶体管

本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。     

新型的功率器件--射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。     

微波功率LDMOS的工艺仿真及研制

利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真.结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能.