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溶胶—凝胶法基本原理及其在陶瓷材料中的应用 总被引:37,自引:0,他引:37
概述了溶胶-凝胶法的基本原理及其在陶瓷材料中的应用。首先强调了溶胶体系的稳定性原理和溶胶-凝胶体系的制备过程(包括金属盐-水溶胶和金属醇盐-醇溶胶)。对于溶胶-凝胶法在陶瓷材料中的应用作了详细的比较和评价,并着重从工艺上介绍了一些应用实例,其中包括金属氧化物的微球、超细颗粒、涂层、薄膜以及连续陶瓷纤维。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜,F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测定了10-300kHz范围内电容随频率变化的曲线,并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明,F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶-凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响,并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备含PbTiO3微晶的玻璃陶瓷 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶工艺低温合成含有Pb,Ti成份和玻璃相组成成份的均匀透明凝胶,并通过热处理在凝胶玻璃中原位生长出纯净的铁电PbTiO3微晶。利用热分析手段和IR谱分析了凝胶在热处理过程中有机基团的分解及内部元素键合方式的演变。 相似文献
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溶胶—凝胶碳热法制备超细Si3N4粉的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用溶胶-凝胶碳热氮化法、在高氮气压下(1.5MPa)各种参数对氮化硅生成的影响。在1700℃/5h下能得到初始粒径为几十nm的超细α-Si3N4粉,氮含量达38wt%以上,且无结晶的SiO2和SiC。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备纳米钛酸锶 总被引:17,自引:1,他引:16
采用溶胶-凝胶方法,从Sr(AC)2-Ti(OC4H9)4-H2O-isoC3H7OH体系中合成了钛酸锶粉末。DTA和XRD的分析结果表明,在500℃时,开始有立方晶相的SrTiO3生成;反应在800℃基本完成,由Scherrer公式计算,粒径在47.1nm到49.7nm之间。DTA和FT-IR分析结果表明,锶离子和酸根离子均匀地分散于凝胶基体之中,我们还研究了反应物、溶剂等因素对形成钛酸锶凝胶的 相似文献
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YSZ超细粉末的溶胶——凝胶法制备 总被引:11,自引:1,他引:10
应用溶胶-凝胶方法合成了YSZ(Zr02+9mol%Y2O3)超细粉末。对凝胶形成超细粉末的热分解及晶化过程用x射线衍射(XRD)和热重一差热(TG-DTA)等分析方法进行了研究。试验表明,溶胶-凝胶法制备YSZ超细粉末的反应过程分为:水份和有机溶剂的挥发;有机基团的燃烧和无定形Zr02的形成;无定形Zr02向立方要Zr02的转变三个阶段。在470℃时,凝胶转变为YSZ固溶体,形成立方相Zr02结 相似文献
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溶胶—凝胶法制备BaTiO3薄膜的介电性质的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以正丁醇钛和钡为主要原料,采用溶胶-凝胶法在铂基底上制备了BaTiO3薄膜。用TG-DTA和XRD分析了该薄膜形成过程和结构。研究了薄膜厚度、温度和频率对薄膜的介电性质的影响。结果表明,在室温,1kHz下,薄膜的介电常数ε’为760,介电损耗为0.017。 相似文献
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研究了异丙醇铝水解形成溶胶的条件及溶胶转变为凝胶焙烧形成氧化铝膜的影响因素。在选择合适的条件下,制备成功孔径为0.7μm的无载体氧化铝膜;并在孔径为50μm的微孔陶瓷管载体上制备成功孔径为0.5μm氧化铝膜,将有可能用于膜分离器件。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备特殊光学石英玻璃的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了由溶胶-凝胶法制备特殊光学石英玻璃的原理和实验路径及条件,该方法主要特点是通过高纯正硅酸乙酯水解的化学途径在低于300℃的条件下制得具有非常好光学性能的央玻璃。 相似文献
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本文报导了通过溶胶-凝胶法制备Pb1-xCaxTiO3(x=0.1 ̄0.3)铁电陶瓷原料粉末,所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺CaO量对晶体结构和烧结温度的影响。在PCT晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过1000 ̄1200℃的烧结过程,所得PTC陶瓷可达理论密度的88 ̄94%。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备WO3—SiO2材料的氨敏特性研究 总被引:21,自引:0,他引:21
采用溶胶-凝胶法制备了WO3+xwt%SiO2(x=0,5,10,20)粉体材料。对其结构、形貌进行了XRD、AFM、XPS和比表面积测量、分析,结果表明:获得了单斜晶系结构的WO3多晶材料;晶粒尺寸随SiO2含量的增加而减小。测量了材料的NH3气敏特性,得到敏感元件的电阻和灵敏度随SiO2含量的增加而增加;溶胶-凝胶法制备的WO3+5wt%SiO2粉料用于NH3测量具有优良的特性,在350℃及以上应用优于纯WO3材料。 相似文献