掺杂V_2O_3系PTC陶瓷中金属相的研究

报导在掺杂Ｖ＿２Ｏ＿３系ＰＴＣ陶瓷中引入Ｆｅ金属相，采用ＸＲＤ，ＳＥＭ分析技术确定Ｆｅ金属相在材料中的结构状态，并结合材料ＰＴＣ性能测试结果讨论了Ｆｅ金属相对材料烧结性能和ＰＴＣ性能的影响。     

掺杂V2O3系PTC陶瓷电极的研究

本文采用一次烧渗法制备出掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的Ａｇ－Ｚｎ－Ｔｉ电极，测量了电极的电学性能，采用差热—失重分析、ＸＲＤ分析和电子探针Ｘ射线衍射显微分析等方法研究了电极的结构，同时对电极与陶瓷基体的接触状态进行了分析。研究结果表明：在电极与陶瓷基体间获得良好的欧姆接触，Ｚｎ和Ｔｉ固溶进入Ａｇ晶格而形成固溶体，Ｚｎ对形成欧姆接触具有重要影响。     

掺杂V2O3系PTC陶瓷的研究及进展

简要介绍了掺杂Ｖ２Ｏ３中的Ｍ－Ｉ相变以及相关ＰＴＣ特性，综述了国内外掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的研究现状，论述了近期在掺杂体系、淬冷处理工艺和金属添加剂等方面的研究进展，并展望了掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的应用前景。     

Yb2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR特性

曾有报道认为离子半径较小的Ｙｂ＾３＋离子,在ＢａＴｉＯ３中主要取代Ｔｉ位表面为受主杂质,从而不能使ＢａＴｉＯ３材料在空气中半导化。本文研究了Ｙｂ２Ｏ３的掺杂行为,表明它同其它稀土杂质一样,可以使空气烧成的ＢａＴｉＯ３陶瓷半导化。在纯施主掺杂的ＢａＴｉＯ３半导化陶瓷中,材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低,这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。     

BaTiO3基PTCR陶瓷中Bi2O3蒸汽掺杂和Mn的协同作用

BaTiO3基陶瓷材料的PTCR效应与施受主掺杂密切相关。通过BaTiO3、Sb2O3等蒸汽掺杂，材料的PTCR效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，PTCR效应提高的幅度在含受主Mn的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得多。这与BaTiO3蒸汽掺杂和Mn协同作用密切相关。这种协同作用可能进一步形成三阶Mn或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷，从而增大了电子捕获中心的浓度，使材料PTCR效应大幅提高。     

PTC陶瓷掺杂高分子PTC材料的研究

研究了PTC陶瓷粉末掺杂高分子PTC材料的电性能,发现掺杂后复合材料的室温体积电阻率降低,PTC强度增加,这为解决高分子PTC材料中室温体积电阻率高与PTC强度低的矛盾提供了一条新的途径,同时发现绝缘高介陶瓷粉末对高分子PTC材料也有改善作用。另外,辐照交联可以很好地加材料的PTC强度和降低NTC强度。对实验现象从理论上进行了定性分析。     

Y2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电特性

讨论了掺杂Ｙ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３陶瓷的介电特性，并计算了晶粒电阻、晶界电阻、晶界宽度和晶界势垒高度，也讨论了在掺Ｙ２Ｏ３材料中加入少量Ｌｉ２ＣＯ３对材料微观结构与宏观性能的影响。     

BaPbO3掺杂对（Sr,Pb）TiO3陶瓷性能的影响

研究了一系列ＢａＰｂＯ３掺杂的钛酸锶铅基陶瓷的制备过程和电学性能，结果表明：低阻的ＢａＰｂＯ３的添加能显著降低材料的烧结温度，促进晶粒生长，但并不能明显降低材料的室温电阻率，ＸＰＳ分析证实了ＢａＰｂＯ３加入后在与（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３固溶时，四价的Ｐｂ被还原为二阶，ＢａＰｂＯ３不以低阻相单独存在。     

Al2O3—TiC—Co新型复合材料的力学性能及断裂行为

对于钴包覆陶瓷粉末热压烧结的Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ－Ｃｏ新型复合材料力学性能和断裂行为进行了研究。结果表明，Ｃｏ在基体中以金属相存在，分布于晶界的金属钴的存在能有效地改善Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ材料的力学性能，影响其断裂行为。     

Sm2O3掺杂Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷的结构与性能

研究了Sm2O3掺杂的bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(O≤x≤0.6,BSZN),的结构及介电性能.结果表明纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(O＜x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相.同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.     

Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明,对于Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷,其晶粒生长的动力学指数n等于4,激活能Q等于(400±26)kJ/mol.Al2O3掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2O3尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3+和O2-通过ZnAl2O4尖晶石的扩散.     

SrTiO3陶瓷中掺杂和Ti／Sr比的配合

在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷的制备中，最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。ＳｒＴｉＯ３晶粒生长和半导化受到多种因素的影响，诸如杂质的各类和含量、Ｔｉ／Ｓｒ比、烧结温度、氧分压等，这些因素是相互制约、共同作用的。研究表明，适当的Ｔｉ过量促进晶粒生长；Ｔｉ／Ｓｒ≈１时，可降低数烧结对氧分压的要求；过量Ｔｉ＾４＋和Ｓｒ＾２＋的固溶限受到氧分压和施主掺杂的影响，与此类似，施主杂质Ｎｂ＾５＋和Ｌａ＾３＋     

La2O3掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料。用La_2O_3掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善.本文主要报道 La_2O_3对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响。     

ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂

本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶粒表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强，如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿，则会使大电流区的非线性变差。     

Y2O3掺杂量对ZnO-Bi2O3-Nb2O5压敏陶瓷电性能的影响

通过掺杂Y2O3和优化烧结工艺制备了ZnO-Bi2O3-Nb2O5压敏陶瓷。利用XRD、SEM和VSR研究了Y2O3掺杂量对其电性能的影响。结果表明，随着Y2O3掺杂量增加，陶瓷电阻率ρ减小，非线性系数α增大；Bi2O3气氛下烧结（1170℃、保温2．5h）的陶瓷，当x（Bi2O3）和x（Nb2O5）为3％、y（Y2O...     

金属相对NiFe2O4-10NiO基金属陶瓷致密度的影响

采用冷压-烧结技术制备xNi/（NiFe2O4-10NiO）、xCu/（NiFe2O4-10NiO）和x（80Cu-Ni）/（NiFe2O4-10NiO）金属陶瓷材料,研究金属相含量和种类对NiFe2O4-10NiO基金属陶瓷致密度的影响。结果表明金属陶瓷的致密度随着金属含量的增加先增大后减小,在5%金属含量达到峰值。金属种类对陶瓷致密度的影响程度不相同,但对金属陶瓷材料致密度变化趋势还是一致的,因此认为金属相对致密度的影响有促进和阻碍双重作用。     

Nb掺杂对（Sr,Pb）TiO3基陶瓷半导体晶粒及晶界导电特性的影响

研究了施主掺杂的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＳｉＯ３陶瓷，探讨不同的施主Ｎｂ掺杂浓度对材料电阻率和显微结构的影响，通过复阻抗解析，分别得到施主浓度的变化对材料晶粒和晶界电阻率的影响规律。结果表明随施主浓度的增加，晶粒和晶界电阻率变化呈现相似的Ｕ型曲线，但晶界的电阻率值及变化幅度远大于晶粒，证明了晶界对材料的电阻特性起主导作用。     

A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究

用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.     

施主掺杂（Sr,Pb）TiO3陶瓷的正电子湮没（PAT）研究

本文采用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了施主掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的半导化机制，结果表明，在低施主掺杂浓度下，半导化行为与准自由电子浓度有关，主要取决于电子补偿机制，同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时，重新绝缘源于缺陷的缔合。