RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

纳米复合镶嵌薄膜

阐述了镶嵌纳米复合薄膜的发展、制备、评估及物性。这类薄膜含有镶嵌在介质薄膜中的纳米尺度的金属颗粒或半导体颗粒。作为基础研究，它们可用于研究量子点效应、电子－空穴限域效应、声子限域效应、巨磁阻及非线性光学性能等的研究；作为应用，它们已在光－热转换、恒温数的电阻膜等获得应用，并将在电双稳开关、光开关及光电器件中获得应用。本文主要介绍了ＧａＡｓ镶嵌薄膜，同时还介绍了巨磁阻镶嵌薄膜及电双稳薄近年来的实验结     

三氧化钼薄膜的结构的电致色性质的热处理效应

本文用真空热蒸发方法在Ｉａ２Ｏ３导电玻璃上制备了ＭｏＯ３薄膜，并在１００－４００℃空气环境中将薄膜进行了热处理，分别用ＳＥＭ、ＸＲＤ观察了薄膜的表面形貌，分析了薄膜的微观结构，用二电极和标准三电化学方法测量了薄膜的Ｔ－Ｑ关系和Ｉ－ｔ曲线，分析了热处理温度对薄膜的结构和电致     

非晶FeSiB薄膜中的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法在三组不同溅射条件下制备了ＦｅＳｉＢ薄膜。测量了溅射薄的磁滞回线，并利用ＨＰ４１９４Ａ阻抗分析仪，在１－４０ＨＭｚ频率范围内研究了样品的巨磁阻抗效应。     

纳米复合镶嵌薄膜

阐述了镶嵌纳米复合薄膜的发展、制备、评估及物件。这类薄膜含有镶嵌在介质薄膜中的纳米尺度的金属颗粒或半导体颗粒。作为基础研究，它们可用于研究量子点效应、电子-空穴限域效应、声子限域效应、巨磁阻及非线性光学性能等的研究；作为应用，它们已在光-热转换、恒温系数的电阻膜等获得应用，并将在电双稳开关、光开关及光电器件中获得应用。本文主要介绍了GaAs镶嵌薄膜，同时还介绍了巨磁阻镶嵌薄膜及电双稳薄膜等近年来的实验结果。     

用溶胶—凝胶法制备铁电薄膜

介绍了溶胶－凝胶技术制备铁电薄膜的基本原理，工艺过程及工艺特点，综述了溶胶－凝胶法制备铁电薄膜的最新进展。     

钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应的研究

本文测量了钛酸铅和锆钛酸铅铁电薄膜的热释电效应，在这些以钛薄片为衬底，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备的铁电薄膜上可测到明显的热释电响应，同时，对这些薄膜的牡民Ｉ－Ｖ特性也进行了测试，对敏感元工之间的热传导以及材料中发现的光效应对热释电响应的影响进行了分析和讨论。     

脉冲偏压作用下MgO薄膜表面的荷电效应

采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压作用下鞘层对离子的加速时间(即鞘层的寿命)与脉冲宽度的大小以及偏压鞘层的初始厚度与离子穿越的距离的大小,讨论了不同占空比下偏压鞘层对离子的加速效应。利用X射线衍射及扫描电子显微镜对样品的观察结果表明,由于荷电效应,脉冲偏压幅值为-150 V,占空比在10%~40%的范围内,占空比的变化并不能改变MgO薄膜的微观结构和表面形貌。     

溶胶凝胶法制备的Mn系氧化物热敏薄膜的尺寸效应

本文阐述了用溶胶凝胶法制备ＣｏＭｎＣｕＯ等热敏薄膜的方法，研究了它们的电学性质。结果表明，薄膜的Ｒ－Ｔ特性基本符合Ｒ＝Ｒｏｅｘｐ（Ｂ／Ｔ）关系。在本文样品厚度的范围内，厚度对电阻率（ｐｔ）和材料常数（Ｂ）有较大的影响。利用扩展电阻仪分析了电阻率随深度的变化，用俄歇电子能谱分析了组分随深度的变化，在此基础上对尺寸效应作出了相应的解释。     

Ag-TCNQ电双稳薄膜的疲劳和锻炼效应研究

用真空蒸法的方法制备了Ag-TCNQ电双稳薄膜.研究了在不同的电压作用下薄膜的阻抗转变规律.发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应即用连续的高于阈值的窄电压脉冲作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间缩短;而用低于极限电压的脉冲连续作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间变长.从阻抗转变的能量效应出发,通过外电场的作用导致分子取向的弹性和塑性形变讨论了薄膜电阻跃迁的机理.     

制备具有“跳跃效应”Terfenol—D的研究

利用浮区法和布里奇曼法制备Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ１．９５的Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ，通过磁致伸缩系测定，发现利用浮区法制备的样品在一定的压应力下有“跳跃效 ”，利用布里奇曼法制备的样品具有较大的压力效应但没有出现“跳跃效应”。     

溶胶－凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究

本文介绍了用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺，并指出采用快速热处理工艺能有效地防止薄膜开裂。比较了用３种不同锆盐原料制备的ＰＺＴ薄膜的性能。实验结果表明，用无机盐硝酸锆制备的ＰＺＴ铁电薄膜的性能最好。     

热处理对无机盐-螯合-凝胶法制备的PMN-PT弛豫铁电膜钙钛矿相形成的作用

研究了PMN－PT薄膜的无机盐－螯合－凝胶法制备，分析和讨论了薄膜热处理工艺对薄膜相结构形成的影响，探讨制备近全钙钛矿相的PMN－PT弛豫铁电薄膜的最佳工艺。     

Langmuir探针的中毒效应及其抑制

射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。探测和控制等离子体参数是选取最佳工艺条件、制备优质薄膜的关键问题。Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是获得等离子体荷电参数的诊断技术。本文分析了探针诊断技术中的一大难题－中毒效应产生的原因，提出并验证了用加热探针抑制中毒效应的机理。理论分析和实验结果表明，探针被加热升温到２００℃时，其中毒效应完全得到了抑制。     

MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜,采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺, 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见, 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 特性提出了合理设想     

MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜,采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺, 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见, 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 特性提出了合理设想.     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34薄膜作为过渡层的坡莫合金Ni0.81Fe0.19薄膜的磁电阻效应和饱和磁场，分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应，并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理，计算结果符合实验。     

Ba1—xSrxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶方法制备Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜材料，研究薄的结构和电性能。用ＸＤＲ及ＳＥＭ分析了沉积在硅片上的ＢＳＴ薄膜的结构，测试了在室温下ＢＳＴ薄膜的电滞回线及介电特性。     

PZT铁电薄膜结构及疲劳特性研究

铁电薄膜的电疲劳是铁电存储器等应用的主要障碍，我们用Ｓｏｌ－ｇｅｌ（溶胶－凝胶）方法制备ＰＺＴ铁电薄膜，对其结构和疲劳特性的研究表明，组分及工艺因素合影响薄膜的结构，具有玫瑰花形的ＰＺＴ薄膜内部存在较多的带电缺陷，在外电场作用下１０＾６周期后出现疲劳，改进组分配方或改进热处理工艺，使薄膜为纯钙钛矿结构，薄膜的寿命可超过１０＾１１周期。