ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。     

二氯二乙基锡的合成

二氧化锡透明导电薄膜主要用于非晶硅薄膜太阳能电池和其它光电子器件的透明导电电极，还可以用作除霜玻璃和红外反射玻璃。二氧化锡导电薄膜采用常压ＣＶＤ方法制备。以前一直用四氯化锡作为主要原料。ＳｎＣｌ４与Ｏ２或Ｈ２Ｏ在４００～６００°℃的温度下反应生成固态ＳｎＯ２沉积在玻璃衬底上，形成透明导电玻璃。作为反应产物，大量的ＨＣｌ酸气以废物排出，对设备、人员健康和环境造成损害。再则ＳｎＣｌ４极易在空气中水解氧化，带来设备制造和工艺控制的困难。中间生成的ＳｎＯ２粉尘对透明导电膜的质量影响很大，特别是均匀性差。…     

爆轰合成纳米超微金刚石的提纯方法研究

用炸药爆轰的方法制备了纲米超微金刚石,分别用ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４＋Ｋ２Ｃｒ２Ｏ２以及Ｈ２ＳＯ４＋ＫＭｎＯ４等多种方法对纳米超微金刚石进行了提纯研究。用Ｘ射线衍射、差热和热失重对不同提纯方法得到的超微金刚石进行了分析。结果表明,Ｈ２ＳＯ４＋ＫＭｎＯ４提纯是一种高效、经济、安全、污染小、投资少的提纯新方法。     

掺杂聚苯胺磁化率的研究

分别研究了浓Ｈ２ＳＯ４掺杂本征态聚苯胺（ＰＡｎ）、ＨＣｌ掺杂ＰＡｎ以及ＦｅＣｌ３掺杂这两种聚安在地的磁化率。通过研究磁化率的变化曲线,我们得到了一些有意义的结果：浓Ｈ２ＳＯ４掺杂ＰＡａ和ＨＣｌ掺杂ＰＡｎ的磁化率变化规律不同;ＦｅＣｌ３掺杂浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料可以获得比ＦｅＣｌ３掺杂ＨＣｌ－ＰＡｎ材料更高的磁化率;ＦｅＣｌ３在掺杂ＨＣｌ－ＰＡｎ材料和浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料时,ＦｅＣｌ３在这两种     

掺杂聚苯胺吸波材料的研究

采用３ｃｍ波导式测量线在８￣１４ＧＨｚ频率范围内,用多点拟合的实验和计算方法对掺杂聚苯胺的微波吸收特性及参量进行了研究。发现：浓Ｈ２ＳＯ４掺杂本征态聚苯胺（ＰＡｎ）所合成材料的电脶耗很小、磁损耗较大（相对于盐酸聚苯胺而言）且不利于对微波的吸收;ＦｅＣｌ３掺杂浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料可合成磁损耗较高、基本上有利于吸收微波的材料;更令人注意的是,利用ＨＣｌ－ＰＡｎ具有较大的电损耗,浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ     

气相反应法合成超细粉末过程中的r~＊叶和晶型的研究

本文以ＳｉＣｌ４－ＮＨ３、ＳｉＣｌ４－Ｏ２、ＳｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－ＮＨ３－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｎ２－Ｈ２、ＴｉＣｌ４－Ｏ２、ＡｌＣｌ３－Ｏ２等为体系，运用均匀成核理论，研究了平衡常数Ｋｐ、过饱和比Ｓ及临界核半径，ｒ＊等因素对气相反应法中超细粉末的形成及粉末结构状态的影响．结果表明，当２ｒ＊大于某物质的晶格常数时，用气相反应法得到的该物质的超细粉末一般为晶体粉末，反之则得到无定形粉末．     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

CdO／SnO2双层薄膜的气敏性能

以ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２粉料作为靶，采用直流溅射方法制得ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２双层薄膜元件，比较了ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２与ＳｎＯ＿２／ＣｄＯ在性能方面的差异。认为ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２的气敏性能较好，并初步探讨了工作温度和膜厚等因素对ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２元件的电学性质及气敏特性的影响。     

影响Sol—gel法制SnO2膜的因素及膜特性

Ｓｎ（ＯＣ２Ｈ５）４是制ＳｎＯ２膜的前驱体之一，本文报道控制形成溶胶的Ｓｎ（ＯＣ２Ｈ５）４水解条件，水解产物ｐＨ值（≤３）及粘度等，研究了水解产物的热分解过程及膜的某些特性，包括得到较佳ＳｎＯ２膜的合家热处理温度和加温速率，若干掺杂剂，电子束辐照及衬底加热温度对膜材的电学参数的影响，测定了涂膜后光纤的弯曲断裂强度与此类膜的气敏特性。     

Ni42Cr6Fe封接合金氧化膜和氧化物晶须的结构

用ＴＥＭ、Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ等技术研究了Ｎｉ４２Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿Ｈ２中形成的氧化膜及氧化物晶须的结构。结果表明：氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４两组相成，氧化膜底层是以Ｃｒ２Ｏ３为主的组织，氧化膜表层是以（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４为主的组织；Ｓｉ在氧化膜与合金界面分布，Ａｌ则在内氧化层中形成内氧化物质点；氧化膜表面生长的氧化物晶须的杆部为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４单晶，头部为     

磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性

报导了对圆形平面靶直流磁控反应溅射生成的SnO_2薄膜的实验测试和对实验结果的分析。研究结果表明,SnO_2薄膜对一些有毒气体或可燃性气体有强的气敏效应和良好的选择性。对SnO_2薄膜的掺杂可大大改变气敏元件的灵敏度、选择性和工作温度。本文还对其工作机理进行探讨及提出可能的解释。     

二步热氧化法制备SnO_2薄膜的特性(英文)

采用二步热氧化法制备SnO2薄膜.首先把真空蒸发法制备的金属锡膜在低于锡熔点的氧气气流中氧化半小时,然后提高氧化温度至400-550℃,继续氧化2小时.通过XRD,SEM和UV-VIS光谱仪分析氧化温度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质的影响.XRD分析得知在氧化温度为400℃时能观察到不同的SnO2衍射峰.氧化温度在550℃时能观察到(11O),(101),(200)和(211)衍射峰.如果氧化温度低于550℃,衍射峰(200)很难观察到.通过SEM测量, SnO2薄膜表面致密均匀,而且表面颗粒大小与氧化温度有很大的联系.通过UV-VIS透过光谱得知随着氧化温度的升高,SnO2薄膜的光透过率也升高,光学禁带宽度也随着氧化温度的升高而升高.这种制备SnO2薄膜的工艺具有适于大面积制造,低成本,过程容易控制等很多优点.     

Sol-Gel法制备SnO_2纳米晶薄膜

以Sn(OH) 4 水合胶体为原料 ,采用简单的旋转涂覆与烧结工艺在Si片上成功制备出了表面形貌平整、光亮的SnO2 纳米晶薄膜 ,为该种材料制作实用的气敏元件打下了很好的基础。     

PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究

通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。     

稀土Dy掺杂纳米SnO_2薄膜的结构与气敏特性

采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂Sn薄膜,对薄膜进行合适的氧化、热处理后获得Dy掺杂SnO2薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、静态配气法对薄膜性能进行测试,研究不同掺Dy含量和热处理条件对SnO2薄膜的影响.结果显示,制备的SnO2薄膜呈金红石结构为n型;在相同热处理条件下,Dy掺杂可明显缩短薄膜氧化、热处理的时间;适当掺入稀土Dy可明显改善SnO2薄膜的结构、气敏特性.掺Dy 3at%后可大大提高SnO2薄膜对丙酮气体的灵敏度.     

膜厚影响SnO_2厚膜型气敏元件敏感特性的研究

采用丝网印刷技术制备不同膜厚ＳｎＯ２厚膜气敏试样,在不同温度下进行热处理后测定了试样的阻温曲线和对乙醇气体的灵敏度,结果表明制备不同膜厚试样的气体灵敏度不同,阻温曲线也不同．要制备灵敏度高、一致性好的气敏器件,调整控制膜厚和及其热处理温度至关重要．     

SnO_2和SnO_2-Ag薄膜的电学特性

用磁控溅射法在集成了铂加热电极的Si基膜片型微结构单元上制备了SnO2 和SnO2 Ag敏感薄膜。用温度调制方式和锯齿波加热方式研究了薄膜的电学特性 ,讨论了银催化剂、湿度及氧分压对SnO2 电学特性的影响。从温度调制方式下测得的电阻 温度曲线可以区分由热激发过程和由表面反应过程引起的膜电阻变化。这种方法为研究气敏薄膜表面反应过程和气敏响应机理开辟了新的途径。     

电泳沉积法制备ZnO/SnO_2复合薄膜及其光催化性能研究

在导电玻璃FTO基底上,利用电泳沉积技术成功制备了ZnO/SnO2复合薄膜,并对样品进行了SEM和XRD表征,并以降解罗丹明B为模型反应,考察不同条件下制备的复合薄膜的光催化活性。结果表明电泳沉积时间为20min时,可得到表面致密均匀的ZnO薄膜,膜厚为0.5μm,且随着电泳沉积时间的延长,薄膜的光催化速率不断增加,沉积时间为20min时,光催化速率达到最大（0.016min-1）,如此优异的光催化性能可能是由于异质结构光催化剂ZnO/SnO2减小光生电子-空穴的复合几率,提高了复合催化剂的光催化效率。此外,还研究了热处理温度对ZnO/SnO2复合薄膜光催化效率的影响,结果发现在300℃热处理的光催化薄膜对罗丹明B的降解率最好,活性最高。