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利用HFSS仿真软件对一种基于电感耦合的新型磁芯螺线管微电感进行设计,并优化得出其结构参数,该电感尺寸为7 mm×6.6 mm×0.44 mm。利用Agilent E4294A射频阻抗/材料分析仪对微机电系统(MEMS)工艺实现的该新型螺线管微电感进行了性能测试分析。测试结果表明:该电感在1 MHz~20 MHz频率范围内保持较高的电感值和品质因数Q,测试结果与仿真结果较好的吻合,电感值是相同几何结构参数下空心电感的16倍以上,在10 MHz频率时,微电感的电感值为1.17μH,Q值达到50。 相似文献
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通过磁控溅射工艺制备出三种框式薄膜电感,其中特殊磁芯电感、全磁膜电感为设计制作的具有闭合磁性回路的特殊薄膜电感,而三文治结构电感是目前流行的薄膜电感,这些电感均由下层磁芯层、下层绝缘层(聚偏二氯乙烯,厚度约为40μm)、线圈和线圈中心的磁膜、上层绝缘层和上层磁芯层组成,其差别在于磁芯结构不同。在1~3 MHz频率范围内,比较了三种电感的等效电感、寄生电容和损耗因子。结果表明:与三文治结构电感和全磁膜电感相比,特殊磁芯电感有较高的等效电感量和较小的寄生电容,但损耗较后两者高。 相似文献
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采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1~10MHz频率下,其电感量为0.408~0.326μH,Q值为1.6~4.2。 相似文献
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温度传感器是制冷型红外焦平面探测器的重要组成部分,它用于测量探测器工作温度,其输出用于制冷机控制,从而控制探测器温度。探测器的工作温度将直接影响探测器的性能,如信噪比、探测率和盲元率等。针对传统PN结温度传感器需要模拟信号处理电路及易受电磁干扰的弊端,设计了一种基于CMOS工艺的集成式数字温度传感器,可以集成到红外焦平面探测器读出电路中,直接通过SPI接口输出数字测温值。设计的集成式数字温度传感器采用0.35 m CMOS工艺流片,芯片面积为380 m500 m(不包含PAD),在电源电压2.5 V和采样频率6.1次/s条件下,功耗为300 W,分辨率0.061 6 K。在77 K温度下输出的RMS噪声为0.148 K。测试结果表明,集成式数字温度传感器可以应用于制冷型红外焦平面探测器温度测量。 相似文献
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新型悬空结构射频微电感的制作与测试 总被引:1,自引:0,他引:1
利用MEMS(Micro Electro-Mechanical System:微机电系统)工艺中的牺牲层技术制作了一种新型悬空结构微电感,在此悬空结构中,微电感的线圈制作在与衬底平行的平面上,线圈与衬底之间有立柱支撑;此新型微电感的制作工艺流程简单,与集成电路工艺相兼容,且其高频性能较好。并对此结构微电感的性能进行了测试,测试频率范围在0.05~10 GHz之间,结果表明:当悬空结构微电感的悬空高度为20 靘,工作频率在3~5 GHz范围内时,其电感量达到4 nH,其Q值最大可达到22。 相似文献
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制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感.该电感使用溶胶-凝胶法制备的CoZrO铁氧体作为磁性薄膜;采用平面单匝形式的金属线圈,从而形成"SiO2绝缘层/磁膜层(CoZrO)/SiO2绝缘层/Cu线圈"的结构,具有结构简单、制作工艺与常规集成工艺兼容等特点.同时,采用相同工艺同批制作了无磁膜微电感作为对比样品,并取各项结构参数与磁膜电感相一致.测试结果表明,2GHz处,磁膜结构微电感的感值(L)为1.75nH、品质因数(Q)为18.5,与无磁膜微电感相比,L和Q的值分别提高了25%和23%. 相似文献
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硅基COZrO铁氧体磁膜结构RF集成微电感 总被引:1,自引:0,他引:1
制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感.该电感使用溶胶-凝胶法制备的CoZrO铁氧体作为磁性薄膜;采用平面单匝形式的金属线圈,从而形成"SiO2绝缘层/磁膜层(CoZrO)/SiO2绝缘层/Cu线圈"的结构,具有结构简单、制作工艺与常规集成工艺兼容等特点.同时,采用相同工艺同批制作了无磁膜微电感作为对比样品,并取各项结构参数与磁膜电感相一致.测试结果表明,2GHz处,磁膜结构微电感的感值(L)为1.75nH、品质因数(Q)为18.5,与无磁膜微电感相比,L和Q的值分别提高了25%和23%. 相似文献
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针对超长线列红外探测器杜瓦具有容积大、零部件种类多、材料放气源多,特别是集成式超长线列杜瓦与内充3 MPa高压氦气的直线脉管冷指封装集成等特点,基于材料解析放气及渗透理论,建立了超长线列杜瓦组件真空寿命评估模型,对分置式与集成式超长线列杜瓦的真空寿命进行了计算,其真空寿命预计值均可以达到2年。设计了一种杜瓦真空度在线监测结构对这两类杜瓦的真空度进行了实时监测,分置式及集成式杜瓦真空寿命预计值与实测值相对误差分别为5.8%和6.96%。因集成式杜瓦真空寿命估算较为困难,对其热负载通过制冷性能进行实验验证,其热负载2年后未发生明显变化。 相似文献