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梳理了钨青铜氧化物铁电相变与介电特性的演化规律,构筑了调制结构对其铁电相变与宏观铁电性能影响的物理图像.A位离子通过对氧八面体倾转的影响使晶体形成不同的调制结构,而调制结构自无公度向公度的转变与铁电相变温度的相互关系、决定了钨青铜氧化物由正常铁电体向弛豫铁电体的演化.低温下调制结构逐渐退出,而调制结构退出过程中与铁电序... 相似文献
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通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。 相似文献
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研究了PLZT系统中处在反铁电-铁电相界并在反铁电相一侧的组成用Ba改性后的介电性能和微观结构,获得了介电系数大于5000,介质损耗小于1×10~(-2)和电阻系数为10~(11)Ω·Cm的介质材料。研究结果表明:用Ba置换Pb有助于微观结构中晶粒均匀皮和化学组成均一性的提高。文章对此进行了讨论。 相似文献
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近年来随着电子元器件的微型化趋势,电介质陶瓷材料的晶粒尺寸效应也受到了广泛的关注.本实验系统地研究了0.94Na0.5 Bi0.5 TiO3-0.06BaTiO3(NBT-6BT)陶瓷的晶粒尺寸效应,利用一步烧结与两步烧结法制备出晶粒尺寸为0.72~1.84μm的NBT-6BT陶瓷,研究了晶粒尺寸效应对陶瓷的晶体结构、介电、压电以及铁电性能的影响.结果表明,晶粒尺寸的变化会引起晶格常数的变化,并在晶粒尺寸为1.24μm时,结晶度最佳,相对介电常数与压电系数以及机电耦合系数分别达到最大值(εr=2405、d33=150 pC/N和Kp=29.5%).NBT-6BT陶瓷的剩余极化强度Pr随晶粒尺寸的增大而提高,而矫顽场Ec呈现出相反的趋势.实验研究表明控制铁电材料的晶粒尺寸是获得优异的综合性能的有效手段. 相似文献
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梳理了钨青铜氧化物铁电相变与介电特性的演化规律,构筑了调制结构对其铁电相变与宏观铁电性能影响的物理图像.A位离子通过对氧八面体倾转的影响使晶体形成不同的调制结构,而调制结构自无公度向公度的转变与铁电相变温度的相互关系、决定了钨青铜氧化物由正常铁电体向弛豫铁电体的演化.低温下调制结构逐渐退出,而调制结构退出过程中与铁电序的相互作用应是钨青铜氧化物中普遍存在的低温介电弛豫的结构起源. 相似文献
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采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3陶瓷,研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响。Sm和La两种A位掺杂离子的引入,均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值,同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低。而随着B位离子Mn掺杂量的增加,使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加,焦绿石相逐渐降低;而且部分掺杂的Mn离子会进入到晶格的B位,形成第二相;同时随着Mn离子掺杂量的增加,介电峰值逐渐增大,压电性能有所提高,弥散度依次增大。当锰掺杂量为1.5%mol时的压电陶瓷组分,其介电和压电性能各为:ε=2300,kp=0.54,Qm=900,tanδ=0.004,d33=400pC/N,适合于制作大功率压电陶瓷变压器。 相似文献
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综述了多铁性材料的发展,介绍了单相多铁性材料和复合多铁性材料的特点、改善单相多铁性材料和复合多铁性材料性能的途径,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
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Yongxing Wei Xiaotao Wang Jintao Zhu Xiaoli Wang Jiangjiang Jia 《Journal of the American Ceramic Society》2013,96(10):3163-3168
Perovskite solid solution ceramics of (1 ? x)BiFeO3–xBaTiO3 (1 ? x)BF–xBT, 0.2 ≤ x ≤ 0.45) with high electrical resistivity were prepared by solid‐state reaction method. Actual ferroelectric hysteresis loops and temperature dependence of dielectric constant of the ceramics were obtained. Ceramics of 0.7BF–0.3BT with small rhombohedral distortion show highest remnant polarization (Pr = 26.0 μC/cm2) and piezoelectric coefficient (d33 = 134 pC/N). Compositions with pseudo‐cubic symmetry (intermediate phases) show relaxor‐like dielectric anomaly. The values of Pr and d33 decrease with increasing BT content, from 24.8 μC/cm2 and 104 pC/N for 0.65BF–0.35BT to 8.2 μC/cm2 and 5 pC/N for 0.55BF–0.45BT. 相似文献
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《Ferroelectrics Letters Section》2007,34(3):95-107
Dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties of xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x)(Pb0.988 La0.012)(Zr0.535Ti0.465)O3 ceramic system synthesized through columbite precursor method are investigated. X-ray diffraction patterns of ceramics indicated pseudocubic phase formation with pyrochlore phase. Grain growth (4.47 μ m) and apparent density (7.68 gm/cm3) enhanced remarkably in 0.8PMN-0.2PLZT composition, respectively. Increasing PMN content remarkably increased both room temperature dielectric permittivity (εRT = 2316) and dielectric maximum (εTc = 24747) in 0.6PMN-0.4PLZT composition, respectively. PMN substitution in PLZT system enhanced the ferroelectric remanent (Pr = 28.4 μ C/cm2) and spontaneous (Ps = 31.2 μ C/cm2) polarization while coercive field (Ec) continuously decreased in xPMN-(1-x)PLZT system. PMN modification in PLZT system influenced piezoelectric properties (d33, kp and kt) throughout the PMN-PLZT system. 相似文献
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ZnO一维纳米材料结合ZnO本体性能和纳米尺度效应而具有独特的电、光、磁、机械等性质,在微电子器件和光电器件等领域有广泛的应用前景。综述和分析了ZnO一维纳米材料的最新研究进展,介绍了材料的制备方法、性质和应用前景。 相似文献
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Zn O作为优良的半导体材料,其纳米材料(如纳米线、纳米棒等)在光、电、磁等方面因具有独特的性能而被广泛的应用于各个领域,因此,纳米Zn O的制备在近些年得到充分的发展,主要的制备方法分为固相法、液相法和气相法三大类。就气相法和液相法中常用的几种方法进行研究进展分析,指出每类方法的优势和存在问题,并对纳米Zn O制备技术的发展趋势进行展望。 相似文献
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本文研究了N型ZnO热电材料的热压二次烧结工艺,与普通压制烧结相比,二次烧结工艺能降低压制压力及烧结温度,且可获得热电性能良好并有一定结构强度的多孔块体材料。 相似文献
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Michael J. Reece Clive A. Worrell † Graham J. Hill Roger Morrell 《Journal of the American Ceramic Society》1996,79(1):17-26
The microstructures of ferroelectric glass-ceramics derived from (Pb,Sr,Ba)Nb2 O6 solid solutions have been investigated systematically using electron microscopy (TEM, SEM) and X-ray diffraction (XRD). These data, together with the measured dielectric properties of the materials, have been correlated with both the sintering/devitrification conditions and compositional changes to the base glass. The low incidence of ferroelectric domains suggests that an increase in permittivity results from an increase in internal stress during grain growth. These domains were observed only in a few tetragonal structured crystals with grain sizes >1 μm. Their compositions were typically Sr-rich and Ba-depleted. For a given devitrification/crystallization temperature, the grain compositions and sizes are affected significantly by relatively minor compositional changes to the base glass network formers. The diffuse temperature dependence of permittivity is attributed to the fine-grain (submicrometer) microstrucutres and the compositional range of solid solutions which arise during devitrification. 相似文献