Fe／Ag复合团簇镶嵌薄膜微观结构和磁性的研究

提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积制备复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并分别在方华膜和单晶Ｓｉ（１１１）衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ磁性复合团簇镶嵌薄膜样品，对所制备的样品进行了透射电镜分析，Ｘ射线能谱分析和振动样品磁强计磁性测量。结果表明，样品中Ｆｅ、Ａｇ形成了相分离，为ｆｃｃ结构的Ａｇ和ｂｃｃ结构的Ｆｅ多晶共存形态；对应于不同大小的Ｆｅ团簇样品，与块材相比，Ｆｅ团簇的晶格常数呈现出不同程度的收缩，     

单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

利用多重散射团簇方法（MSC）计算了单晶硅的K边NEXAFS谱，研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟C－Si的团簇中引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，MSC计算证实吸收边位置上升约0．5eV，说明纳米晶硅的禁带比c-Si的展宽了。     

Ag／Si3N4纳米复合材料的电学性质研究

利用干压方法制得了０－７０ｖｏｌ％Ａｇ弥散的Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复合材料。借助于ＳＥＭ，ＥＤＳ和复阻抗谱等方法研究了Ａｇ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的结构和反常电学性质。结果表明，纳米Ａｇ粒子以μｍ尺寸的团聚体形式存在于纳米Ｓｉ３Ｎ４基体中。     

Fe—Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

最新分析方法缩略语

最新分析方法缩略语ＡＦＭ－ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ原子力显微镜ＡＭ－ＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ声学显微术ＥＳ－ＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ发射光谱术ＥＳＣＡ－ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｆｏｒＣｈａ...     

最新分析方法缩略语EI

最新分析方法缩略语ＡＦＭ－ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ原子力显微镜ＡＭ－ＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ声学显微术ＥＳ－ＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ发射光谱术ＥＳＣＡ－ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｆｏｒＣｈａ...     

SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。     

离子注入对纳米Si_3N_4结构的影响

通过ＦＴ－ＩＲ、ＸＰＳ和荧光光谱研究了离子注入对纳米Ｓｉ３Ｎ４结构的影响．发现离子注入改变了材料中游离硅（ａ－Ｓｉ）的结构,使其变成了ＳｉＮｎ（ｎ＝１,２）．荧光谱研究表明纳米Ｓｉ３Ｎ４具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性．根据实验结果给出了纳米Ｓｉ３Ｎ４的能级结构图.     

快凝Al-Fe-V-Si-Nd合金中纳米相穆斯堡尔谱的介电子结构分析

测量了快凝Ａｌ－Ｆｅ－Ｖ－Ｓｉ－Ｎｄ合金在６４８Ｋ热处理前后的穆斯堡尔谱。依据固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）,计算了快凝Ａｌ－Ｆｅ－Ｖ－Ｓｉ－Ｎｄ合金中Ａｌ８Ｆｅ４Ｎｄ相的介电子结构,并建立了Ｆｅ与近邻原子的空间键络。通过与α－Ａｌ３（Ｆｅ,Ｖ）３Ｓｉ相中Ｆｅ原子的价电子的价电子结构的比较分析,从键络的微观角度出发初步探讨了Ａｌ－Ｆｅ－Ｖ－Ｓｉ－Ｎｄ合金在相变前后穆斯堡尔谱参数变化的原因。     

SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度     

反应离化团束（RICB）法生长CN硬质薄膜

用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ－Ｎ薄膜，透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和红外吸收谱（ＩＲ）表明存在Ｃ，Ｎ原子的化学键合。     

Si3N4／SiC纳米复合陶瓷的微观结构

利用ＪＥＭ２０００ＥＸⅡ高分辨电镜和ＨＦ２０００冷场发射枪透射电镜对Ｓｉ３Ｎ４ＳｉＣ纳米笔合陶瓷材料的微观组织，结构和成分进行了研究。结果表明，ＳｉＣ颗粒弥散分布基体相β－Ｓｉ３Ｎ４晶内和晶界，晶内ＳｉＣ颗粒与基体相的界面结构有三种类型；１）直接结合的的界面；２）完全非晶态的界面；３）混合型的界面，晶间ＳｉＣ颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。     

UHMWPE-SiAlON陶瓷摩擦副的生物摩擦学特性及机理的研究

为了探索ＳｉＡｌＯＮ陶瓷与超高分子量聚乙烯（ＵＮＭＷ－ＰＥ）组合作为人工关节置换材料的可能性,利用Ｆａｌｅｘ摩擦磨损实验机测定了ＳｉＡｌＯＮ陶瓷与ＵＨＭＷＰＥ在３７℃、血浆润滑条件下的生物摩擦学性能。同时,在扫描电镜下观察了摩擦副表面形貌。实验结果表明ＵＨＭＷＰＥ－ＳｉＡｌＯＮ陶瓷摩擦副的摩擦系数为０．０６,ＵＨＭＷＰＥ的磨损系数小于８．４５×１０－１０ｍｍ３／（Ｎ·ｍ）。表面轮廓仪对摩擦磨损前后ＳｉＡｌＯＮ陶瓷表面测试,未发现明显变化,说明陶瓷磨损甚微。根据ＸＰＳ分析结果,提出了生物摩擦磨损机理。     

团簇大小对Fe－Ag和Co－Ag包埋团簇形貌及结构的影响

利用蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，在有方华膜的电镜载网上制备了Ｆｅ－Ａｇ及Ｃｏ－Ａｇ系列纳米磁性包埋团簇，通过控制蒸发电流等沉积条件，获得了不同团簇大小的样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，当样品中Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较小时（分别为１０ｎｍ和２０ｎｍ），样品形貌表现为Ｆｅ（Ｃｏ）团簇弥散地分布在Ａｇ膜基质中，形成了Ａｇ膜对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的分隔与包埋；其结构分别为Ｆｅ、Ａｇ多晶和Ｃｏ、Ａｇ多晶共存的形态。而当Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较大时（分别为９０ｎｍ和５０ｎｍ），样品中Ａｇ原子也相对聚集，Ａｇ膜没有形成对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的完全包裹，在形貌上Ｆｅ－Ａｇ样品呈现为“串状”，Ｃｏ－Ａｇ样品呈现为“花瓣状”；而在结构上则都表现为非晶形态     

PECVD法生长的nc－Si：H膜电导率的研究

使用ＰＥＣＶＤ方法生长了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在７７Ｋ～４００Ｋ温度范围的电导率，并使用二相随机分布有效介质理论，计算了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析，初步探讨了ｎｃ－Ｓｉ结构对其导电性能的影响，提出ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。     

关于我国瓦楞纸板与瓦楞纸箱标准的几个问题

关于我国瓦楞纸板与瓦楞纸箱标准的几个问题邓江玉，吴中复ＩＳＳＵＥＳＯＮＴＨＥＮＡＴＩＯＮＡＬＳＴＡＮＤＡＲＤＳＯＦＣＯＲＲＵＧＡＴＥＤＢＯＡＲＤＳＡＮＤＢＯＸＥＳ￥ＤｅｎｇＪｉａｎｇｙｕ；ＷｕＺｈｏｎｇｆｕＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｄｏｕｂｌｅｎａｔｉ...     

Nb镀层对c—BN—玻化陶瓷结合剂界面成分结构的影响

用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ晶体在６００－１０００℃范围的界面反应过程、界面成分和结构特征，讨论了烧结时Ｎｂ镀层与ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３玻化结合剂的作用，结果表明：Ｎｂ镀与ｃ－ＢＮ晶体在６００℃以上发生界面反应，外延生长形成ＮｂＮ，８００℃以上形成ＮｂＢ２，它们使Ｎｂ镀层与ｃ－ＢＮ牢固结合并阻止结合剂中的碱性组分对ｃ－ＢＮ的侵蚀，镀Ｎｂ的ｃ－ＢＮ表层的Ｎｂ则作     

机械球磨法制备纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B95的结构研究

对Ｆｅ７３．５Ｃｕ１ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９成分的母合金进行了机械球磨，并对不同时间的球磨样品进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱（ＭＳ）的测量，结果表明样品难以完全非晶化，形成了无序的αＦｅ－Ｓｉ固溶体的纳米晶，晶粒尺寸在５ｎｍ左右，同时共存一部分富集Ｎｂ，Ｂ元素的界面非晶相。在各种球磨条件下对αＦｅ－Ｓｉ固溶体中的Ｓｉ含量进行了计算。     

热处理过程中纳米非晶Si－N－C粉的晶化及微结构变化研究

本文在１４７３～１９７２Ｋ温度范围内对激光合成的、平均粒径为３０ｎｍ的非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉进行热处理（ｌａｔｍ．Ｎ２，１ｈ）；研究了粉体的晶化及微结构变化，结果表明，纳米非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉具有短程有序的亚稳结构，此亚稳结构在＞１５２３Ｋ发生稳定团相分离，在１７７３Ｋ开始形成α－Ｓｉ３Ｎ４；β－ＳｉＣ，此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇；到１８７３Ｋ晶化加剧，α－Ｓｉ３Ｎ４和β－ＳｉＣ明显增多，并有少量的石墨碳形成。在１７７３～１８７３Ｋ，由固相分离形成α－Ｓｉ３Ｎ４／β－ＳｉＣ纳米复合结构。