退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

Cu粉及纳米Cu粉填充聚甲醛的摩擦学性能研究

利用ＲＦＴ－Ⅲ往复摩擦磨损试验机测试了Ｃｕ粉（２００目）及纳米Ｃｕ粉填充聚甲醛所形成复合材料的摩擦磨损性能，并利用电镜、ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了其磨损机理。研究发现，填加一定量Ｃｕ粉（２００目）及纳米Ｃｕ粉均可降低聚甲醛的磨损，但填加纳米Ｃｕ粉效果更好，，ＸＰＳ分析钢对偶面发现，Ｃｕ粉（２００目）在摩擦过程中生成Ｃｕ２Ｏ，而纳米Ｃｕ粉在摩擦过程中生成Ｃｕ（－ＣＨ２－Ｏ）。     

应用量子化学研究Ca2Fe2—xAl2O5的水化活性

用量子化学ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法分析了Ｃａ２Ｆｅ２－ｘＡｌｘＯ５体系听ａ２Ｆｅ２Ｏ５，Ｃａ２Ｆ３１．４３Ａｌ０．５７Ｏ５和Ｃａ２Ｆ３１．２８Ａｌ０．７２Ｏ５，认为它们的水化活性随Ａｌ的增加而提高的原因是：（１）Ａｌ的净电荷比Ｆｅ高，易吸收水分子的弧对电子；（２）Ａｌ－Ｏ键比Ｆｅ－Ｏ键弱，易断裂而容易与水反应。     

Sol—Gel法制备Y系高温超导材料及烧结条件的研究

介绍了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和Ｆ掺杂的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｆ０．６Ｏ７－δ高Ｆｃ超导材料的Ｓｌｏ－Ｇｅｌ法制备，并对烧结条件进行了研究。     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

高电导有机金属聚合物的制备及性能研究

利用ＴＴＦＴＴ为矫合成一系列的有机金属聚合物（ＭＴＴＦＴＴ＾２－）ａ（Ｍ＝Ｎｉ,Ｃｕ,Ｆｅ）研究了它们的电性质,结果表明,在室温下,它们的电导出现在１０＾０５－０．０４Ω＾－１．ｃｍ＾－１范围内。（ＴＥＡＸＮｉＴＴＦＴＴ）ｎ是室温下聚合物中导电最高的,我们测定了它的电阻对温度的依赖关系,呈半导性质,同时对该样品还采用了ＶＳＣ的测量方法,结果表明该聚合物的电阻对温度的依赖关系在２８３～１５０Ｋ区间内     

用热还原生成法制备自生Al2O3/Cu基复合材料

用热还原生成法制备了自生Ａｌ２Ｏ３－Ｃｕ复合材料，并从化学反应热力学和动力学的角度，对Ｃｕ２Ｏ－Ａｌ二元体系反应过程进行了研究，同时通过ＳＥＭ、Ｘ－ｒａｙ等手段，对所制得的材料进行了分析，结果表明，用此方法制备此复合材料的可行的。     

GaAs功率场效应管失效中源一漏烧毁现象的SEM／SAM研究

采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧毁源、漏条部位表面化学元素有Ｃ、Ｏ、Ｔｉ、Ｎ和Ｇａ，其中Ｃ、Ｏ在表层几十纳米深度内均有相当高的含量。结合分析结果，讨论了源－漏烧毁的物理机理。     

CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１－２２ｎｍＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热－失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ），透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征，实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ２晶粒的生长，以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化。     

AMT保护青铜的研究

采用电化学方法和ＸＰＳ、ＡＥＳ法研究５－氨基－２－巯基－１、３、４－噻二唑（ＡＭＴ）在青铜表面形成的保护膜。结果表明，ＡＭＴ溶液处理后的青铜试片在ｐＨ值为７的０．５ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４和５％ＮａＣｌ溶液中，其腐蚀过程受到了明显抑制，是由于ＡＭＴ在青铜表面形成Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ络合物膜，其结构为Ｃｕ｜Ｃｕ２Ｏ｜Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ。     

CuO－SnO_2纳米晶粉料的Sol－Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无机盐为起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１～２２ｎｍ，ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ_２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热—失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ）、透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征．实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ_２晶粒的生长；以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ_２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化．     

雅西卡（YASHICA）300Auto Focus单反相机

雅西卡（ＹＡＳＨＩＣＡ）３００　Ａｕｔｏ　Ｆｏｃｕｓ单反相机蒋宁日本京磁么司（ＫＹＯＣＥＲＡＣＯＩｔＩＭＲＡＴＩＯＮ）于１９９３年新推出一款３５ｒｕｍ自动聚焦单镜头反光相机——ＹＡＳｆｆｉＣＡ３００Ａｎｔ。ＦｏｃＳＳ，该机属普及型，性能价格比较好，在...     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

光激励发光材料BaFCl：Eu中的发光中心

本文研究了光激励发光材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中的发光中心。在不同的反应气氛下ＢａＦＣｌ：Ｅｕ具有不同的发光性质。利用光谱的方法、Ｘ射线光电子能谱的方法，研究了在不同条件下制备的ＢａＦＣｌ：Ｅｕ样品中，稀土离子Ｅｕ的性质。     

紫外线辐照对HDPE结晶结构及化学结构的影响

采用ＤＳＣ、ＷＡＸＤ、元素分析、ＦＴ－ＩＲ、ＥＳＣＡ、ＧＰＣ、交联度和密度测定，研究了紫外线辐照了ＨＤＰＥ的结晶结构及化学结构变化。结果表明，紫外线辐照后，ＨＤＰＥ的熔融温度降低、熔融热焓升高、结晶度增大、晶胞结构未发生变化；ＨＤＰＥ分子甸主了ＣＯＯＨ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ－Ｏ、ＯＯＨ、ＯＨ等含氧官能团，分子量降低，分子量分布加宽，基本无交联发生。     

PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料,采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦ_ｘ、ＣＦ₂等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是３００℃．     

冷却速度和添加剂对SiO2—Al2O3—CaO（MgO—Fe2O3—Na2O）系玻璃分相的影响

运用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＤＴＡ和化学分析等手段研究了不同冷却速度及添加剂对ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ（ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ｎａ２Ｏ）系玻璃分相及性能的影响，结果发现不同冷却速度处理对玻璃的分相有明显影响，使玻璃呈不同颜色其中冷却速度为１５℃＝ｍｉｎ处理得到玻璃其抗折强度高于６００℃退火玻璃。     

CaO—MgO—Fe2O3—Al2O3—SiO2渣系玻璃晶化动力学

根据玻璃形成动力学理论,计算了ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系中成核速率（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ）,获得晶体形成的最佳温度,研究了热处理温度对ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系晶体的影响,计算的晶体形成的最佳温度结果表明与该体系的最佳热处理温度一致。     

金属填充PTFE复合材料的摩擦磨损性能研究

利用ＭＨＫ－５００型环块磨损实验机,对金属Ｃｕ、ｐｂ及Ｎｉ填充改性的ＰＴＥＦＥ复合材料在干摩擦条件下与ＧＣｒ１５轴承钢对摩时的摩擦磨损性能进行了系统研究,并利用ＪＥＭ－１２００ＥＸ／Ｓ分析电子显微镜和光学显微镜对ＰＴＥＥ复合材料的磨屑及摩擦磨损表面进行了考察。摩擦磨损实验的结果表明,金属填料Ｃｕ、Ｐｂ及Ｎｉ大大改善了ＰＴＦＥ复合材料的耐磨性,ＰＴＦＥ复合材料的磨损量比纯ＰＴＦＥ降低了１－２个数量级     

单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的Ｋ边ＮＥＸＡＦＳ谱，研究显示ＮＥＸＡＦＳ谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟ｃ－Ｓｉ的团簇引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，ＭＳＣ计算证实吸收边位置上升约０．５ｅＶ，说明纳米晶硅的禁带比ｃ－Ｓｉ的展宽了。