阴极寿命的电流加速试验方法机理及结果

阴极寿命的加速试验一般采用温度加速寿命试验方法，有关电流加速寿命试验方法的文献不多。在研制氧化执分散型氧化物阴极时，分析了大电流密度对阴极的影响；为了避免测试用二极管阳极蒸发物对阴极的影响，采用了模拟电子枪发射系统的电子枪模拟管，并分析了这种测量管测试结果与标准二极管测试结果之间的关系。     

用于CRT的氧化钪分散型阴极的实验研究

介绍分散型氧化钪阴极的实验研究，涂层材料为三元碳酸盐中分散约１０％的Ｂａ３Ｓｃ４Ｏ３。在ＢＰＦ枪中，支取ＪＫ＝１、Ａ／ｃｍ＾２的２０００ｈ寿命试验表明，新型阴极发射电流跌落≤１５％，而普通氧化物阴极，在同样条件下，电流跌落〉３０％。文中还提出了ＣＲＴ电子枪中阴极负载的估算方法，并讨论了Ｓｃ２Ｏ３在阴极中的作用机理。     

离子镀膜用长寿命阴极电子枪

以硼化物为热电子发射体.在热阴极自持弧光放电状态工作的低电压大电流空心明极电子枪,在离子镀膜设备中用以熔化蒸发并电离膜材料。着重简述枪工作原理,对枪结构主要尺寸,气、电工作参数进行了设计.估算了枪效率。枪的结构简单,放电功率5～8kW.工作350h 后性能稳定。     

强发射电流铁电阴极真空二极管试验装置的研制

铁电阴极材料,作为一种新型功能材料,因其发射电流密度高且对使用环境无苛刻要求,而得到各国高度重视.为了测试其电流发射密度,作者研制了铁电阴极真空二极管试验装置,并加以改进,然后将锆钛酸铅(PZT)铁电材料封装入二极管中,进行电子发射试验研究.结果表明,所研制的真空二极管,其真空度达到了试验要求,屏蔽了地电流信号对样品信号的干扰,达到了强电流铁电阴极材料发射电流密度测试的基本要求,为铁电阴极材料在真空二极管中的实用化奠定了基础.     

缺位型强电流铁电阴极材料的研究

采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料,获得１８７Ａ／ｃｍ＾２的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响,从材料学角度出发,总结出提高发专注密度的三种有效方法：即增强阴极表面半导体性,增大内偏置电场的增大材料的介电常数。     

星型阴极的温度分布研究

通过对星型阴极的稳定导热问题进行分析，推导出阴极交叉点附近温度分布的近似解析式。并用有限差分数值计算方法对钨基底金属的温度分布进行了计算、分析。数值计算结果和解析结果在常用的阴极温度使用范围内吻合良好，表明该解析式在热、热－场、Schottky发射阴极的研究和实际应用中具有实用价值。     

铁电阴极电子发射研究进展

铁电发射是一种新型强流受激电子发射，本文综述了铁电弱发射和强发射的研究现状及其发射机理，重点分析了不同的铁电体相结构、电压脉冲激励波形、铁电发射结构以及萃取电压的波形等对铁电阴极电子发射特性和工作机理的影响，总结了目前铁电阴极等离子体辅助电子发射机理和模型，最后介绍了铁电阴极的应用前景。     

GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制

研制了一套由导入室、制备室和储藏室组成的三室Load-Lock超高真空GaAs光阴极制备装置,用于中国科学院高能物理研究所自主研制的500 kV光阴极直流高压电子枪系统。在本装置中,采用溅射离子泵和非蒸散型吸气剂泵的复合方式来获取超高真空,并通过磁力杆完成光阴极在各个真空室之间的传送和取放。真空测试结果显示,用钛金属材料制作的储藏室的极限真空达到3.1×10-10Pa,用不锈钢316L材料制作的制备室和导入室的极限真空分别达到4×10-9Pa和3.6×10-8Pa,三个真空室的真空指标优于设计要求。     

多碱光电阴极

分析了多碱光电阴极的工艺、制备方法及存在的问题。回顾了多碱光电阴极的演变过程。现在高灵敏度的多碱光电阴极以及好的光谱响应是由处理工艺来决定的。就工艺的难易度、残余气体对锑膜的影响及玻璃的物理化学性质进行了实验分析。认为用钾原子处理阴极基底实际上是在玻璃表面与光电阴极之间引进了一层增透膜。     

阴极弧斑放电的机理分析

介绍了阴极弧斑放电的基本特征。参考前人的研究模型和最新的实验结果,系统地分析了阴极弧斑放电的机理和过程：电子的爆裂发射模型;热场致发射理论;阴极电位降区满足的Ｍａｃｋｅｏｗｎ 公式;阴极弧斑在磁场中的运动机理。最后讨论了气压对弧斑运动的影响,解释了阳极弧斑放电特征。     

正负电子亲和势光电阴极

分析了正负电子亲和势光电阴极的工艺、制备方法及存在的问题。回顾了ＰＮＥＡ光电阴极的演变过程。高灵敏度的光电阴极以及好的光谱响应是由处理工艺来决定的。叙述了对正负电子亲和热光电阴极薄膜的研究情况。     

20cm氙离子发动机空心阴极3000h寿命试验

介绍了兰州物理研究所正在进行的离子发动机空心阴极寿命试验.试验表明,该空心阴极在经过3 000h放电工作后,状态稳定,未见衰退趋势.研究结果还表明,该空心阴极暴露大气后具有良好的抗中毒能力.     

缺位型强电流铁电阴极材料的研究

采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料 ,获得了 1 87A/cm2 的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比 ,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响 ,从材料学角度出发 ,总结出提高发射电流密度的三种有效方法 :即增强阴极表面半导体性 ,增大内偏置电场和增大材料的介电常数     

真空阴极弧离子镀阴极斑点的移动研究

建立了真空阴极弧离子镀圆形平面靶侧面引弧时,阴极斑点的受力模型,分析了影响电弧运动的因素,改进了圆形平面靶侧面形状,大大提高了石墨靶阴极斑点从侧面到靶平面的过渡速度。     

激光蒸发薄膜钪系阴极的研究

利用现代激光蒸发薄膜沉积技术，完成了Ｓｃ２Ｏ３＋Ｗ薄膜的沉积实验研究，并应用于薄膜型钪系阴极的研制。初步实验表明，这一方法具有稳定、易控、省时、省料和工艺重复性好的优点。所研制的阴极显示了优异的发射性能和良好的激活与耐高温特性。     

场致发射阴极材料的研究与进展

场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分.介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用研究现状及差距.     

金刚石薄膜阴极电子发射特性研究

宽带隙半导体材料金刚石的负电子亲合势特性使其在电子场发射应用方面备受瞩目。材料的功函数对其热电子发射或场电子发射都有决定性的影响。本文从热电子发射的角度出发 ,对钨基金刚石薄膜阴极有效功函数进行了测量。文章阐述了实验方法、装置及结果 ,测得金刚石涂层阴极的有效功函数为 0 70eV ,并对实验结果进行了理论分析     

金刚石薄膜阴极电子发射特性研究

宽带隙半导体材料金刚石的负电子亲合势特性使其在电子场发射应用方面备受瞩目。材料的功函数对其热电子发射或场电子发射都有决定性的影响，本从热电子发射的角度出发，对钨基金刚石薄膜阴极有效功函数进行了测量，章阐述了实验方法，装置及结果，测得金刚石涂层阴极的有效功函数为０．７０ｅＶ，并对实验结果进行了理论分析。