2010年前中国将成为全球IC制造中心

有消息称，Applied Materials亚洲区总裁Davidwang日前表示，在未来的3年内，中国将建立30家硅晶片工厂。其中绝大多数将基于0．25微米和0．13微米制造工艺。     

2007中国晶原代工市场群雄逐鹿，战况将极为激烈

台积电对当局的此项决定表示欢迎，并表示此举将有助于该公司在大陆地区的市场竞争。台积电何丽梅副总经理表示，未来台积电在大陆除了既有的0．35及0．25μm制程能力外，将加入0．18μm制程，更有利于为客户在大陆地区提供符合其需要的制造服务，相信此举可以争取到更多的订单，并且扩大台积电在大陆地区的市场占有率。     

QuickLogic推出μWatt可编程桥接解决方案

Silicon Image公司日前宣布推出可集成到新片上系统(SOC)的高清晰度多媒体接口(HDMI)和串行ATA(SATA)核心IP。Silicon Image已经将其SATALink SATA核心移植至多种90nm和0．13μm芯片制造工艺中，现在又将其PanelLink HDMI核心移植至0．13μm制造工艺，从而使获得许可的客户在他们的片上系统中集成先进的SATA和HDMI功能。     

Spr ingSoft与Dong bu HiTek共同发表一系列LAKER PDKs

SpringSoft与Dongbu HiTek Co．,Ltd．,近日发表一多年期合作计划,共同开发一系列制程设计套件（PDKs）,运用Dongbu顶尖的制造技术,使定制芯片的设计与制造流程更加顺畅。两家公司也发表Dongbu HiTek0．18微米BCDMOS晶圆制程专属的Spring Sofi Laker PDK,未来一年内将会陆续发表更多PDKs。     

世界逻辑LSI发展的方方面面

预计1998年1350亿美元的世界LSI市场中，用0．8μm以上工艺制造的产品占210亿美元(16％)，0．5μm的310亿美元(23％)，0．35μm的580亿美元(43％)，0．25μm的250亿美元(18％)。展望2001年2350亿美元的世界市场中，0．35μm的产品仍将占1070亿美元，独占46％，还略有提高。     

中国首款卫星DTV信道接收芯片获殊荣

由杭州国芯科技有限公司设计、采用中芯国际0．18μm混合信号技术制造生产的卫星数字电视信道接收芯片GX101，近日荣获第五届中国国家信息产业“重大技术发明奖”。     

力旺推出高电压制程OTP提升芯片良率与性能

新竹讯：力旺电子日前宣布完成0．15μm高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6μm、0．5μm、0．35μm、0．25μm、0．22μm、0．18μm与0．15μm的制程技术。     

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0．13μm及0．13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。     

宏力半导体发布最新低成本高效率0．18μm OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司（宏力半导体）近日发布了最新开发的0．181μm OTP（一次编程）制程平台。     

利用共焦显微技术测试亚微米尺寸

当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时，精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽／间距尺寸，将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术，以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能，测试0．5μm，0．3μm的黑／白条宽，及其仪器测试性能分析。     

中芯和安格科技宣布USB 3．0 digniPHY IP

中芯国际集成电路制造有限公司以及安格科技股份有限公司，一个新兴的、推动消费电子设备和计算机外部设备USB3．0装置端市场的高速SerDes IP供应商，日前共同宣布，安格科技的USB3．0digniPHY已可在中芯国际的0．13μm工艺技术使用。     

EEPW网站精彩内容摘录

2月22日，印度政府公布了该国半导体产业投资奖励方案框架：在印度经济特区内投资的半导体企业，10年内可享受20％的成本优惠补助，并可享受其他一些奖励政策。而对特区外的半导体企业，未来10年，印度将给予它们25％的成本优惠。政策适用对象还包括与半导体相关的项目，如纳米、太阳能电池、显示器产业等。印度政府也为此设定了投资额下限。其中，半导体产品制造项目约为5．68亿美元，其他产品项目约为2．27亿美元。对于半导体企业来说，印度此举可谓诱人，而高额的投资限制自然把矛头直指半导体制造这样的航母级投资企业。在此之前，半导体制造的投资中心集中在中国，印度的举动很明显对中国的半导体制造投资是个强大的威胁。目前中国的半导体制造还停留在世界技术发展的末端，大量的产品基本定位在低端应用，而印度的政策所面对的正是这个庞大的市场。     

电子纸商品化

最近日本凸版公司开发了滚筒压塑料薄膜形成直径30μm的沟槽技术和在沟槽中冲入含有微粒（无数个，大小为几个纳米）液体的技术，成功开发生产电子纸。此电子纸厚度为0．2mm，像纸张一样柔软，制造成本很低，预计明年将商品化。     

中芯国际为杭州国芯制造生产之芯片赢得“重大技术发明奖”

上海1月18日电—由杭州国芯科技有限公司（数字电视及消费类电子终端产品的集成电路设计、开发与销售公司）设计，采用中芯国际（中国及世界领先的集成电路代工厂之一，以下简称“中芯国际”，纽约交易所：SMI；香港联交所：0981．HK）的0．18μm混合信号技术制造生产的卫星数字电视信道接收芯片GX1101，近日荣获第五届中国国家信息产业“重大技术发明奖”殊荣。     

名词术语释义——大马士革镶嵌工艺

采用Cu—CMP的大马士革镶嵌工艺是目前唯一成熟和已经成功用于IC制造中的铜图形化工艺。据预测，到了0．1μm工艺阶段，将有90％的半导体生产线采用铜布线工艺。在多层布线立体结构中，要求保证每层全局平坦化，Cu—CMP能够兼顾硅晶片全局和局部平坦化。     

NEC Electronics扩大加州晶圆厂产能以支持MCU产品

NEC Electronics America Inc．近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器，目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0．15μm制程技术的8-bit和32-bit MCU。重点支持于汽车行业，NEC Electronics America表示，公司正在扩大设于加州Roseville的半导体制造工厂的产能，在原有150mm圆片0．35和0．25μm工艺制程的基础上增加了采用200mm圆片的0．15μm工艺制程。     

IC CHINA特别报道

<正>一、我国直径300mm硅单晶抛光片生产实现零突破进入二十一世纪以来,国际集成电路制造技术进入了新一轮的快速发展时期,0．13μm～0．10μm直径300mm集成电路技术开始进入市场,对直径300mm硅片的需求也由技术研发转变为现实的市场需求。为适应国际半导体产业的发展,有研硅股在国家科技部和北京市政府的共同支持     

华人控股半导体设备公司投资中国1亿美元

由华人控股的美国半导体公司优纳集团近日表示,将要加大进军中国市场的力度,未来5年内将在华投资1亿美元,同时其全球战略核心也将向中国转移。 北京优纳科技有限公司的发言人王琳瑄称：2010年该集团将加大在中国大陆地区的投资额度，并重点发展半导体设备制造上游段的晶圆制造部分和下游段的电路板制造部分的技术研发。     

宏力半导体宣布成功建立国内首个0．18μm

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）,专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage,ULL）嵌入式闪存工艺平台。     

Intel准备生产新型处理器

Ｉｎｔｅｌ准备生产新型处理器Ｉｎｔｅｌ准备采用更复杂的制造技术以保证能显著提高所有类型硬件的性能，使推动计算机行业快速增长的处理器继续在未来若干年内保持强劲势头。据Ｉｎｔｅｌ执行副总裁Ｐａｕｌ　Ｏｔｅｌｌｉｎｉ说，Ｉｎｔｅｌ将于明年开始从０．２５μｍ...