电子束扫描式扁平显像管传输系统的电子光学分析

电子束扫描式扁平显像管中，电子束基本要偏转数次后上屏。本文用曲光轴聚焦理论分析了扁平显像管的偏转系统，包括正交场偏转扫描和电极推动方式。文中给出了电子运动所在的电场分布的级数表达式。由变分方程出发，给出了偏转时曲光轴坐标中的高斯轨迹方程，并对方案进行了计算机模拟，分析了各种因素对于偏转电子束的影响。     

电子束扫描式扁平显像管偏转系统的电子光学分析

电子束扫描式扁平显像管中，电子束基本要偏转数次后上屏．本文用曲光轴聚焦理论分析了扁平显像管的偏转系统，包括正交场偏转扫描和电极推动扫描方式．文中给出了电子运动所在的电场分布的级数表达式．由变分方程出发，给出了偏转时曲光轴坐标中的高斯轨迹方程，并对方案进行了计算机模拟，分析了各种因素对于偏转电子束的影响．     

微通道板背散射电子探测器的设计

本文介绍了一种先进的新型背散射电子探测器。随着电子束曝光机的发展,特别是加速电压高的时候,对背散射电子探测器的性能要求就愈来愈高,例如,信噪比、响应时间等。在与各种探测器比较的基础上,我们设计了微通道板探测器,它是目前用于电子束曝光机的最先进的探测器。     

多能谱电子束能量分布的蒙特卡罗模拟和空间电荷效应

利用电子束穿越固体薄膜时，束电子与固体中的原子或电子之间的相互作用而产生能量改变，是获取多能谱电子束的一种方便可行的理想途径，通过改变薄膜材料或组份，薄膜厚度以及入射电子束的能量和方向等，可以得到各种不同能量分布的电子束。为了预测多能束的能量分布，我们采用蒙特卡罗模拟计算电子在固体中的散射效应，得到的透射系数和透射电子的能谱与实验测量结果一致，为计算多种能量电子共存空间的电位分布，我们对多能电子束     

高能束焊接技术及在电子工业中的应用

高能束焊接具有集束、高功能密度（１０＾４－１０＾８Ｗ／ｃｍ＾２）的性能，应用领域广泛。在电子工业中亦有很好的作用电子束焊接与焊接各有特点，均得到很大发展，可发挥各自的优势。本文还原它们进行了综合比较。     

电子束背散射在胶层中的能量沉积

模拟了散射电子在PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）电子束胶层中的能量沉积分布。在处理电子穿越衬底的边界时，采用了几率确定法，用以判断电子是否在界面处发生一次弹性散射。并完成了散射电子束胶层中的前散射和背散射的能量的沉积分布图。     

强电子束泵浦的CW Ar^＋激光

电子束泵浦的离子激光器，由于其高密度的高能电子具有增加效率、功率和在真空紫外区域产生CW辐射的可能。对于离子激光器，控制高密度束电子的能量，使其处于激光上能级的大激发截面区域是非常重要的。     

电子束焊接技术在工业中的应用与发展

介绍了电子束焊接及其主要特点，概括总结了近年来电子束焊接在航空航天、电子与仪表、汽车等工业领域中的应用现状，并对其今后的发展作了展望。     

电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。     

CRT用非轴对称电子枪的电子束分析

装有非轴对称电子枪的显象管的电子束模拟器已开发出来，该模拟器已考虑到了电荷效应，电子热扩散和偏转散焦效应，模拟器中，电子束被分成各个高斯束流，每个高斯束流都具有主轨道和旁轴轨道。为计算主透镜的静电场，对于复杂的电极需采用极场展开法与表面电荷法相结合的办法来减少ＣＰＵ时间，简化数据输入，动态象散校正依靠主透镜上旋转一四极透镜的方法来完成，象散的消除采用电子束形成区域用狭缝和方孔的方法来完成，这些都已