2H(d,n)3He核反应中子注量的伴随粒子法测量

^2H(d,n)^3He核反应单能中子源广泛应用于MeV中子的散射和极化实验。采用伴随粒子法测量中子注量，用Si半导体探测器测量^3He粒子，用0.8μm Al箔来屏蔽散射的d束，系统可很好地分辨^3He,d,T和p，可测d^ 束能量到165keV，测量结果与用NE213探测器的结果相比较，一致性好于97％。     

~(115)In中子非弹性散射截面的实验测量及蒙特卡罗修正

~(115)In是一种重要的活化材料,准确测量它的中子非弹性散射截面数据对中子注量监测具有重要意义。在四川大学原子核科学技术研究所2.5 MV静电质子加速器上,利用核反应D(d,n)~3He产生的单能中子,以~(197)Au作为标准,采用活化法测量了2.95 Me V、3.94 Me V、5.24 Me V能点的~(115)In中子非弹性散射截面。用Monte Carlo程序MCNPX(Monte Carlo N-Particle eXtended)对靶头材料、冷却水层和样品的包层材料等引起的多次散射效应及注量率衰减效应等进行了修正计算,得到最终结果与Loevestam的计算值符合较好,并且实验中可通过减小靶管、靶底衬、水层及样品的包层材料等厚度来减小多次散射效应和自屏蔽效应的影响。     

低能D(d,n)~3He反应中~3He粒子的探测及自生靶稳定性的初步研究

一、引言测量D(d,n)~3He反应中的~3He粒子,对于测量D(d,n)~3He反应的中子产额及应用中子-~3He粒子符合技术很有意义。在D(d,n)~3He反应中,~3He的探测存在困难。原因在于~3He粒子能量低和大量散射氘核脉冲堆积的干扰。另外~3He粒子与竞争的D(d,p)T反应中的氘粒子能量相近。为克服这些困难,人们采用了各种方法:1.用电磁分析器分开~3He,氚,氘粒子。2.用低原子     

3He球形4π中子探测器的设计研究

介绍了一新型的用于(n,2n)反应截面测量的由“80根3He正比计数管和聚乙烯慢化体”组成的3He球形4π中子探测器的优化设计,并采用蒙特卡罗方法计算了探测器系统的单位中子能量注量响应,提高了探测器的设计效率,也为实验验证提供参考依据.     

14.8 MeV中子诱发78Kr(n,2n)77Kr反应截面的测量

快中子诱发(n,2n)反应截面的测量在核反应机制研究和核技术应用等方面有着广泛的应用价值。本文在中国原子能科学研究院的高压倍加器上,基于活化法实验测量了78Kr(n,2n)77Kr在148 MeV能点的反应截面。样品靶为高纯78Kr气体样品,用十万分之一天平称重得到78Kr的质量,将两片高纯93Nb薄片分别固定在样品靶两侧以监测中子注量率。利用T(d,n)4He反应产生148 MeV中子,轰击距中子源约10 cm的样品靶大于4 h后,用准确刻度过效率的HPGe探测器测量活化产物 77Kr和92Nbm的活度。利用蒙特卡罗程序计算中子注量率修正、样品自吸收修正、样品几何修正等因子,得到了78Kr(n,2n)77Kr的反应截面,并将结果与文献值和评价数据库进行了比较。研究结果有助于提高78Kr(n, 2n)77Kr反应截面测量和评价的水平。     

中子活化法测定~(232)Th裂变产物产额

采用中子活化法测量了~(232)Th的裂变产物及其累积产额。利用加速器T(d,n)~4He反应产生的14.9 MeV高注量中子长时间照射ThO_2样品,用高纯锗γ谱仪测量其特征γ谱,求得较长半衰期核素~(99)Mo、~(141)Ce、~(143)Ce、~(131)I、~(140)Ba等的裂变产额,实验结果的典型误差为4%。其中,利用MCNP程序对中子的多次散射效应和自屏蔽效应进行修正,同时考虑了中子注量波动及γ射线在样品中的自吸收影响。     

伴随粒子法测量T(d,n)4He中子源注量率中的本底处理

T(d，n)^4He反应单能中子源广泛应用于14MeV中子的各种物理实验。采用伴随粒子法测量中子注量率，用金硅面垒探测器测量α粒子，用1μm厚Al箔屏蔽散射的d束，经过各种条件下的调节，系统可很好地直接在能谱上分辨各种粒子，从而获得较高精度的中子注量率。     

用金活化法测定加速器中子源中子注量及MCNP4C修正

在四川大学720所2.5MeV静电质子加速器上,由核反应7Li(p,n)7Be,T(p,n)3He产生中子,对中国工程物理研究院研制的新型中子探测器进行效率刻度实验中,需要知道探测器位置处的中子绝对注量,为此我们测量了0.165、0.352、0.576、1.400MeV四个能点的中子注量。测量方法采用的是金活化法,在实验测量中,由靶头材料、冷却水层和样品的包层材料等引起的多次散射效应及中子在样品中的自屏蔽效应等均对实验结果产生影响。这些因素在实验中不可避免,也难以通过实验方法扣除,因此用Monte Carlo程序MCNP4C对上述效应进行了修正计算。     

BF3长计数器效率刻度及其应用

利用²³⁸U裂变反应，通过测量裂变碎块的数量，能够较为准确地测量快中子注量。但这种方法在中子能量为1.6MeV以下（裂变道未开或处于裂变截面第1个台阶上升处）和6.0～7.0MeV能区（第2个台阶上升处）由于不确定度过大而不适用。本工作采用4种不同的核反应作中子源，对北京大学4.5MV静电加速器中子实验大厅的BF₃长计数器的相对效率进行了刻度。将²³⁸U(n,f)反应与相对效率已知的BF₃长计数器相结合，解决了在上述能区准确测量中子注量的问题。      

0.144~1.2MeV单能中子参考辐射场的建立

本工作利用2×1.7MV串列加速器建立了0.144、0.250、0.565和1.2MeV单能中子参考辐射场。所需能量的中子通过⁷Li(p,n)⁷Be和³H(p,n)³He反应产生。利用TARGET程序计算了中子注量谱，利用自行设计的反复充气式反冲质子正比计数器绝对测量了上述能量点的中子注量，合成标准不确定度≤2.0%。2001年参加了由国际电离辐射咨询委员会第三分部组织的单能快中子注量测量国际比对，取得了较为满意的结果。     

600kV高压倍加器大厅内X-γ照射量率和能谱的初步测定

一、引言600 kV高压倍加器,通过T(d,n)~4He、D(d,n)~3He等核反应可产生14 MeV和2.5MeV的快中子,中子产额可达10~(11)n/s。其屏蔽设计情况,以及运行中可能产生的中子辐射场分布,在文献[1]中已有报道。在用该高压倍加器作引出质子束对光调束(质子束轰击铁靶)和离子注入等工作时,所产生的X、γ射线的照射将是主要的。测量和掌握高压倍加器上产生的快中子和X、γ     

CARR冷中子瞬发γ活化分析系统主要性能测试

使用N型HPGe探测器第一次在中国先进研究堆上通过冷中子束流进行瞬发γ活化分析系统(PGNAA)测量技术研究。应用PGNAA测量系统对NH_4CL、Eu、Au、In、Gd、Al、Fe等单质和化合物进行测量,得到实验测量灵敏度值,同时利用标准放射源~(152)Eu、~(137)Cs、~(60)Co以及~(35)Cl (n,γ)和~( 157)Gd (n,γ)瞬发γ源对探测器在宽能区0.1～8 MeV进行能量刻度和相对效率刻度,并利用金片活化法测量了中国先进研究堆运行功率为15 MW时有无冷源情况下的中子注量率,结果显示有冷源时中子注量率约提高一个数量级,最后论述了瞬发k_0法,为定量实验做好准备。     

二元慢化型高能中子剂量探测的影响因素研究

为测量高能辐射场及宇宙射线中的中子剂量,基于SMMC设计,对二元慢化型中子剂量探测器进行改进。在慢化球体中加铅等高原子序数材料层,高能中子与铅产生（n,xn）核反应,可提高高能中子的探测灵敏度,使分析的剂量单调能量上限可达10GeV。利用MCNP和FLUKA程序,对铅层位置、铅层厚度、外计数器位置、慢化体直径等因素进行注量响应计算,最终确定探头设计。     

用屏栅电离室测量~6Li(n,t)~4He反应微分截面

用屏栅电离室对 3.6 7MeV与 4 .4 2MeV中子6Li(n ,t) 4He反应微分截面进行了测量。利用氘气体靶通过D(d ,n) 3 He反应产生中子 ,用BF3 和液闪探测器 (NE2 13)进行相对中子通量监测 ,绝对中子通量用2 3 8U(n ,f)与H(n ,p)反应来刻度。测量结果表明 ,氚的质心系微分截面在中子能量为 3.6 7MeV时很接近 90°对称 ,而到 4 .4 2MeV时则明显前倾     

IHNI-1中子束快中子注量率测量

为检验和确定用于硼中子俘获治疗(BNCT)的医院中子照射器(IHNI-1)的快中子污染源项,设计了用于快中子注量率测量的包硼~(235)U裂变电离室。利用MCNP程序对电离室的注量响应进行优化设计,计算包裹不同厚度硼壳时电离室的注量响应曲线,最终选择35mm厚B4C壳作为低能中子屏蔽层。利用该电离室测量IHNI-1热中子和超热中子束的快中子注量率,并与模拟计算值比较。结果显示,实测的中子束比模拟计算结果具有更多的快中子成分,低于国际原子能机构(IAEA)推荐的目标值。     

14兆电子伏中子引起的~(238)U裂变截面的测量

我们以T(d,n)~4He反应为中子源,用半导体探测器测量伴随α粒子的方法确定中子通量。在中子能量为14.10±0.10,14.60±0.20和15.04±0.13兆电子伏处绝对测量了~(238)U的裂变截面。     

氘化闪烁体的光响应

在迴旋加速器上利用D(d,n)~3He反应和~9Be(d,n)~(10)B反应产生的中子,采用双参数方法测量NE-230和NE-232氘化闪烁体对氘以及国产的ST-451闪烁体对质子的光响应曲线,所测的实验值用二次多项式拟合。对其它性能也作了相对比较。     

共振区中子辐射俘获截面测量技术研究

<正>中子辐射俘获反应截面是一类重要的核数据。在共振区,中子核反应截面随中子能量变化剧烈,需要通过实验测量才能确定各种核反应截面。在中国散裂中子源反角白光中子束线上建立了一套C_6D_6探测器系统,用于开展共振区的中子辐射俘获反应截面测量。开展了~(197)Au、~(169)Tm和     

LiF-TLD的响应对致电离粒子LET的依赖性初步实验研究

对LiF热释光探测器（TLD）的响应对致电离粒子的LET的依赖性进行了初步实验研究。用作实验研究的粒子主要是中子,包括热中子和由7Li(p,n)7Be、T（p,n）3He核反应生成的中能中子、快中子（0.018～0.945MeV）及14MeV中子。实验结果表明：LiF(Mg、Cu、P)-TLD的响应对致电离粒子LET的依赖性是显著的。对于较高能量的中子,由LiF-TLD产生的热释光量仅与6Li、7Li在LiF-TLD中导致的吸收剂量相对应,这与某些文献的报道相一致。     

固体核径迹探测器在核物理中的应用

1.中子物理方面 用于测量快中子、堆中子注量率和高能中子谱,如根据~(12)C(n,n′)3α测量快中子能谱;定量地测量堆中子注量(其测量范围为 10~(14)～10~(21)n/cm~2);使用CR-39测量14.7MeV中子引起~(51)V(n,p)和~(51)V(n,a)反应截面。为了给快中子堆设计提供核数据,在13.5-14.8Mev中子能量范围内,已经测量~(233)U/~(235)U、~(233)U/~(237)Np、~(235)U/~(237)Np、~(235)U/ 237/Np和~(239)Pu/~(235)U的裂变截面比以及~(237)Pu、~(238)Pu、~(242)Pu、~(244)Pu和~(241)Am的裂变截面。