黑钨矿浸出条件的研究

对黑钨矿浸出过程的工艺进行了研究.考察了反应温度、反应时间、NaOH浓度对黑鸽矿中有效成分钨浸出的影响.在最佳浸出条件下进行反应,得到白色均匀仲钨酸铵晶体,并对晶体进行了X衍射分析、扫描电镜分析和差热一热重分析,结果满意.     

燃烧合成法制备CaB6的研究

以CaO、B2O3、Mg粉为原料燃烧合成制备了CaB6粉末.考察了不同反应体系的差热曲线,采用XRD、SEM以及粒度分析技术对燃烧产物、浸出产物进行了表征.结果表明:Mg-B2O3-CaO反应体系872℃附近放热峰的表观活化能E=15.71kJ·mol-1,反应级数n=1.1,反应的表观活化能很小,说明合成CaB6的反应容易发生.燃烧产物由MgO、CaB6以及少量的Mg3B2O6和Ca3B2O6等组成,在空气中进行燃烧合成反应并不生成氮化物;燃烧产物经硫酸浸出处理后CaB6纯度达92.5%;随着制样压力的增大,CaB6粒度逐渐变小.     

瑞木氢氧化镍高效浸出研究

采用硫浸出瑞木氢氧化镍,对浸出过程中不同阶段浸出渣的元素成分及主要物相变化进行研究,对杂质元素锰在浸出过程中的行为进行理论分析,提出导致生产中浸出率低、过滤困难的原因。采用不同还原剂进行高效浸出,研究了还原反应的温度、pH值、反应时间对浸出率的影响。在中试放大实验中得到了镍浸出率98.27%,钴浸出率92.43%的浸出效果。高效浸出法可有效提升镍钴浸出率及过滤速率,为企业的工艺改进提供了理论支持。     

水热/溶剂热法形貌控制合成铜基微纳米晶体颗粒材料的研究进展

简述了利用水热/溶剂热法合成铜基微纳米晶体颗粒材料的最新研究进展。介绍了氧化亚铜、碱式碳酸铜、碱式钼酸铜、碱式氯化铜、碱式磷酸铜等铜基微纳米材料的合成方法。对铜基微纳米晶体颗粒材料生长机理和形貌控制合成进行了分析,获得了对铜基微纳米晶体颗粒材料生长规律的一般性认识,实现了在水热/溶剂热条件下对铜基微纳米晶体颗粒材料生长的形貌控制合成。     

干燥处理后水泥石抗碳化性能研究

将水泥石试件在60℃干燥24h后进行加速碳化试验.通过酚酞喷涂法、碳酸盐定量分析法、X射线衍射分析(XRD)、差示扫描量热法(DSC)和热失重法(DTA)等对水泥石及大掺量粉煤灰水泥石的碳化性能进行研究,利用扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS)观察水泥石碳化产物的晶体形貌及分布情况.结果表明,干燥处理大大加速了水泥石的碳化进程,使碳化程度较严重且不均匀;由于缺少化学反应所需的水分,碳化反应不充分;碳化反应产物CaCO3晶体的晶粒细小,并在孔隙中集中生成,堆积成束.     

硫镓银晶体热分析动力学

本文对AgGaS_2晶体的结晶过程进行了热分析动力学研究,获得了"动力学三因子"。利用动态多重扫描速率法获得的三个不同升温速率下的晶体结晶动力学参数,采用微分法Kissinger模型计算出AgGaS_2晶体结晶活化能为515.78KJ/mol,指前因子lnA为51.06,积分法FWO计算出结晶活化能为509.80kJ/mol,并运用普适积分法逻辑推导出AgGaS_2晶体结晶的最概然反应机制方程为Aurami方程Ⅱ。这对于了解AgGaS_2晶体的结晶动力学特性,生长大尺寸、高质量的AgGaS_2晶体具有非常重要的意义。     

热爆反应合成钒铝碳材料

以V、Al和C粉体为原料,采用热爆合成技术制备V2AlC材料,并对V-Al-C体系进行了热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析,探讨了热爆反应合成V2AlC材料的反应机制。结果表明,V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2767K;2V/Al/C粉体热爆合成产物的主相为V2AlC,并含有少量的VCx和AlV3;原料中添加过量的Al,可消除AlV3副产物,并显著地促进V2AlC反应合成;2V/1.3Al/C热爆产物中V2AlC呈片状和板条状两种晶体形貌,长度大约为10μm;热爆反应合成V2AlC的机制为VC与V-Al共晶液相反应合成V2AlC。     

钠化富硼渣中硼化物析晶动力学分析与实验研究

富硼渣经熔态钠化—热处理析晶—水浸工艺可制得硼砂晶体。硼的浸出率与渣中硼组分析出形态直接相关,若以NaBO2为主晶相析出,硼浸出率高;若以玻璃态存在,硼浸出率低。根据非晶固体形成动力学理论,计算富硼渣钠化过程中NaBO2成核速度(I)和晶体长大速度(IL),获得了NaBO2晶体在熔体中的最佳形成温度。采用化学分析方法研究了热处理温度对渣中硼浸出率的影响。结果表明,钠化渣的最佳热处理温度与理论计算所得最佳温度一致。     

LD端面抽运长方形激光晶体的热效应

通过对二极管激光器端面抽运激光晶体工作特点的分析,提出了长方形激光晶体热模型。在热模型中考虑了激光晶体具有沿轴向对称加热、周边恒温等特点。利用热传导方程得出了激光晶体内部温度场和端面热形变场的一般解析表达式。研究结果表明,若使用输出功率为18W的二极管激光器端面抽运Nd:YVO4晶体(钕离子掺杂质量分数为0.5%),抽运光斑为0.4mm时,长方形激光晶体抽运端面具有267.6℃的最大温升和发生6.2μm的最大热形变量。对激光晶体产生的温度场和端面热形变场的研究为解决晶体热透镜效应、提高激光器的性能起指导作用。     

低光泽度热隐身光子晶体薄膜北大核心CSCD

为了降低热隐身薄膜在可见光探测下的显著性,研究了低光泽度热隐身光子晶体薄膜的设计和制备问题。首先分析了影响光子晶体热隐身薄膜光泽度的因素,然后从基底的粗糙度,可见光波段平均反射率,以及合适的镀膜工艺三个方面进行优化,按照优化方案进行制备和测试分析,最终得到低光泽度热隐身光子晶体薄膜。结果显示,所研制的光子晶体薄膜的光泽度可以减小到4.2个光泽单位左右,符合相关标准。并且在中、远红外大气窗口内的波段发射率分别为0.20和0.25,说明该低光泽度薄膜对中远红外具有较强的隐身性能。     

超声强化废SCR催化剂浸出V和W的研究

废SCR催化剂的V和W的回收再利用具有巨大的社会、环境和经济效益。研究了碳酸钠焙烧-水浸法回收废SCR催化剂中的V和W,并引入超声波对浸出过程进行强化,同时还考察了超声时间、液固比、超声功率对超声浸出率的影响。结果表明,相对于常规搅拌浸出,超声强化提高了V和W的浸出率,缩短了浸出时间,超声浸出3 min时V的浸出率为76.92%,W的浸出率为69.87%,比常规搅拌条件下的分别提高23.08%和2.59%。超声强化浸出最佳工艺条件为超声时间90 min,液固比12∶1,超声功率500 W,最终V和W的浸出率分别为89.01%和96.05%。废SCR催化剂的V、W的溶解动力学符合Stumm方程,其中V的溶解反应属于一级反应,W的溶解反应属于二级反应。     

利用硼泥制备氧化镁的工艺条件

采用浓度为1∶1的盐酸浸取硼泥中的镁得到氯化镁溶液,以氢氧化钾为沉淀剂与氯化镁反应生成氢氧化镁,氢氧化镁经煅烧后制得氧化镁。研究了浸出温度、浸出时间、盐酸与硼泥比例对硼泥中镁浸出率的影响,通过DSC曲线确定了氢氧化镁的最佳煅烧温度,利用XRD和SEM对产物氧化镁进行了表征。结果表明,在浸出盐酸足量的条件下,反应温度对镁浸出率影响最大。硼泥中镁浸出的最佳工艺条件为:浸出温度85℃,浸出时间30min;盐酸体积与硼泥质量比4∶1。氢氧化镁在600℃下煅烧2.5h得到平均粒径小于100nm的氧化镁粉体。     

低光泽度热隐身光子晶体薄膜

为了降低热隐身薄膜在可见光探测下的显著性,研究了低光泽度热隐身光子晶体薄膜的设计和制备问题。首先分析了影响光子晶体热隐身薄膜光泽度的因素,然后从基底的粗糙度,可见光波段平均反射率,以及合适的镀膜工艺三个方面进行优化,按照优化方案进行制备和测试分析,最终得到低光泽度热隐身光子晶体薄膜。结果显示,所研制的光子晶体薄膜的光泽度可以减小到4.2个光泽单位左右,符合相关标准。并且在中、远红外大气窗口内的波段发射率分别为0.20和0.25,说明该低光泽度薄膜对中远红外具有较强的隐身性能。     

低温酸浸高铁铝土矿中铁和铝的溶出规律研究

采用低温酸浸法对广西高铁铝土矿中的铝和铁的溶出规律进行了研究,考察了硫酸浓度、浸出温度、浸出时间及液固比因素对铝土矿中铝和铁溶出率的影响.结果表明,最优浸出条件为浸出时间60min,浸出温度100℃,液固比5∶1,硫酸浓度20％.此条件下铁的浸出率为98.68％,铝的浸出率为3.02％,溶出比为32.68,可实现高铁铝土矿中铁和铝的分步溶出.对该浸出过程进行动力学分析研究表明,此条件下浸出过程属化学反应控制,其控制动力学方程为:lgk=3-1.83×10-31/T反应活化能Ea=35.11kJ/mol.     

晶态层状N,N-二乙酸亚氨基亚甲基膦酸-磷酸氢锆的制备及插层研究

采用氢氟酸络合法合成了结晶度高的N,N 二乙酸亚氨基亚甲基膦酸 磷酸氢锆 (α ZPPMIDA) 层状晶体,层间距为 1. 477nm。研究了正丁胺对α ZP PMIDA的插层反应, 用 IR、XRD、TG DSC热分析和元素分析对该插层复合物进行了表征。结果表明正丁胺在主体底物中呈双分子层,层间距增大了0.847nm。     

低温溶剂热法合成形貌可控的EuS中空微球

采用(Phen)Eu(Et_2CNS2)_3·nH_2O做前驱物,乙腈做反应溶剂,在230℃的低温下,通过溶剂热法首次成功地合成了EuS中空晶体。对样品进行扫描电镜表征,发现EuS晶体是空心微球,通过样品的傅里叶红外光谱和液体紫外可见吸收谱表征,确定了EuS空心微球表面吸附的有机物成分;通过乙腈溶剂热法在不同反应条件的研究得出如下结论:当温度升高,压强增大,样品结晶质量变好,粒径减小;通过改变溶剂热条件,可以合成形貌可控的EuS中空微球。     

苯乙烯-顺丁烯二酸酐共聚物/PbS纳米棒复合材料的制备与表征

以硝酸铅、硫脲为主要原料,苯乙烯-顺丁烯二酸酐共聚物(SMA)为模板,利用水热/溶剂热法,在120℃下反应24h制备了SMA/PbS复合材料。并利用XRD、SEM、FTIR、UV-Vis等多种测试手段对所得纳米晶体进行表征,证实所得晶体为立方结构的PbS纳米棒。考察了溶剂、pH值和硫源对合成产物的影响,发现当使用N,N-二甲基乙酰胺作为溶剂、pH约11、硫脲作为硫源时,SMA可很好的修饰PbS并形成棒状结构,并初步探讨其成形机理。     

硫代钨酸盐晶体的低温溶剂热合成及表征

应用低温溶剂热方法合成了(ＮＨ_４)_２ＷＳ_４和Ｋ_２ＷＳ_４晶体,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤ对样品进行了表征．结果表明:这种方法反应条件温和,操作简便,对环境无污染;得到的晶体晶貌良好,晶相纯．     

顺丁烯二酸/酐共聚物的合成、结构和阻垢机理

以过氧化物为引发剂,用顺丁烯二酸/酐、丙烯酸、丙烯酸甲酯合成了顺丁烯二酸/酐-丙烯酸-丙烯酸甲酯共聚物。研究了单体克分子比,反应温度,反应时间,引发剂用量对共聚物收率、阻垢率的影响及溶液中钙离子浓度,溶液温度、pH值等因素与共聚物阻垢效果的关系。与国内外一些阻垢剂比较表明,该共聚物有较好的阻垢效果。通过红外、差热、热失重、核磁共振和渗透压法测定了共聚物的结构和性能。用扫描电子显微分析,研究了共聚物吸附于无机盐晶体和导致无机盐晶体发生畸变的阻垢机理。     

用TiO2、LiBH4和Mg低温制备TiB2纳米晶体

TiB2是一种超高温陶瓷材料,通常采用碳热、硼热法在1000℃以上的高温制备,其纳米晶体的制备一直是个难题.在本研究工作中,采用TiO2、LiBH4和Mg在600～800℃成功制备并分离提纯出了10～20 nm的TiB2纳米晶体.在反应中,LiBH4既作为硼源,又作为还原剂,而Mg则作为助还原剂.该反应使TiO2在60...