新型发射极开关类晶闸管

本文提出了两种新型发射极开关晶闸管：辅助关断发射极开关晶闸管ＡＯＥＳＴ和双注入发射极开关晶闸管ＤＩＥＳＴ。研究了发射极开关类晶闸管ＥＳＴ、ＡＯＥＳＴ、ＤＩＥＳＴ正向工作特性及关态工作特性，比较了它们各自的优缺点，同时为该类功率器件发展提出了设想。     

用于HF激光器的气体火花开关特性研究

气体火花开关是放电激励脉冲HF激光器的关键部件之一,其性能直接影响激光器的正常运转。本文介绍了气体火花开关的设计,并对其静态自击穿特性和动态触发特性进行了实验研究。实验结果表明:在开关工作气压为0.1~0.4 MPa情况下,静态自击穿电压约10~30 kV,且稳定性较好;在触发电压前沿约20 ns,幅值约45 kV的情况下,欠压比大于80%时,开关时延小于120 ns,开关抖动小于6 ns;开关具有较大的工作范围,约为55%~60%。开关用于放电激励脉冲HF激光器,实现了激光器稳定运行。     

发射极开关晶闸管正向特性分析

本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域，从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析，最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较，发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好，同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。     

一种性能完善的静态开关系统

本文介绍了一种性能完善的静态开关方案结合ＵＰＳ中静态开关的原理，着重对控制部分的信号检测，处理和逻辑控制原理进行分析，并给出了主要工作状态下的各种逻辑信号波形。     

AVC系统晶闸管与SF6开关电容投切技术研究

随着AVC系统的投运,变电站内电容器投切更加频繁。传统补偿电容器的SF6开关投切频率低,难以满足投切间隙中出现的无功补偿需求,限制了电容器的作用。为了解决上述问题,文中提出了一种复合开关结构。该结构将机械投切和电子开关投切相结合,构成晶闸管+SF6开关的组合式投切方案。文中对晶闸管+SF6开关投切电容器的工作原理进行了介绍,并分析了开关控制策略。通过合理的投切策略可以实现晶闸管和SF6开关的相互保护,使晶闸管阻断时避免承受高电压,也避免了SF6开关在高频投切的情况下频繁动作,延长设备使用寿命。最后,通过PSIM软件仿真验证了该复合开关的合理性和可行性。     

适用于大功率场合的ZVS三电平辅助谐振变换极逆变器

对于大功率的GTO逆变器，提出了一种零电压转换(ZVS)的三电平辅助谐振变换极逆变器(ARCPI)。提出的辅助变换电路由一个谐振电感和两个双向开关组成，此电路没有增加主开关的电压和电流应力，却给主开关提供了ZVS的条件。辅助开关实现零电流转换，它可以采用低成本的晶闸管。文中提出的ARCPI能够在产生较少谐波的情况下，处理更高的电压和更大的功率(1～10MVA)，并阐明了提出的ARCPI的工作过程及分析并总结了其特性。用一个10kW，4kHz的样机证明了其工作原理。     

低压无功补偿中晶闸管电子开关模块的特点与应用

分析了低压无功补偿装置的开关特点,介绍了交流接触器以及新型晶闸管电子开关模块在无功补偿装置中的优缺点,同时对晶闸管电子开关模块在用于投切时的情况进行了模拟试验,并给出了相关的波形。     

新型功率器件IGCT

集成门极换流晶闸管（IGCT）是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的器件。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一个新型电力半导体器件，它不仅与GTO有相同的高阻断能力和低通态压降．而且有与IGBT相同的开关性能，兼有GTO和IGBT之所长，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。     

高结温双向晶闸管

HiTj系列双向晶闸管在结温高达150℃时仍能保持标称电性能，其开关性能十分出色，是各类设备的电机控制电路的理想选择，特别适用于在高工作温度下控制电机的电路系统。     

简单的晶闸管PSPICE模型

本文利用PSPICE提供的一种理想电压控制开关介绍了晶闸管(SCR)器件的简单计算机模型,对晶闸管的大多数特性进行了模拟,论述了C149M10 SCR的具体模拟过程以及有关应用。     

PWM高频开关稳压整流器应用现状及发展趋势

随着通信事业的发展，对通信电源系统提出了简化供电系统，采用分立式供电方案。对通信设备提出高效率、高性能、模块化等要求，以提高供电质量，发挥经济效应。PWM高频开关整流器，在80年代末投入市场，我国已引进10多个品种，与晶闸管整流器相比，具有体积小，易进行模块组合，使用性能好，维护简便等优点。本文综述了PWM高频变换器模型电路技术的进展，介绍了瑞典、澳大利亚、挪威等国PWM高频开关整流器特性。期望我国电信部门，加速这种类型整流器开发，以促进通信技术的发展。     

场控晶闸管的测试研究

场控晶闸管较之普通晶闸管、门极可关断晶闸管具有正向导通压降低、开关速度高以及正向电压阻断增益高的优点,因此受到很大的关注。本文对场控晶闸管测试时由于测试电阻而造成门极“减偏压”效应进行了较为详细的分析。     

一个快速高压固态开关的设计及实现

大多数固态功率开关中，开关速度会随着电源的增加而降低。基于这种原因，有很多方法在高功率下可获得合适速度。其方法之一是中压和额定电流大功率开关串联或并联的开关结构。这篇文章研究了不同型号的快速固态功率开关并选择IGBT作为开关单元。为了模拟，设计了IGBT的微观工作模型。最后，采用了8个IGBT串联的原型固态开关结构并且在7KV和600A下测试，其开通时间少于150纳秒。     

GTO

可关断晶闸管（GTO（Gate Turn-Off Thyristor）是具备开关功能的电力半导体器件。与一般晶闸管相比,其优点是可不必为关断而设置换流电路。主要特点为：当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。普通晶闸管（SGR）靠栅极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。     

节能延时开关原理及应用

设计和介绍了延时开关的工作原理及照明节能方面的应用，使用此开关，既保证照明又节约能源，可使节能和照明得到较好的统一。     

上海高速磁悬浮地面牵引供电系统

本文首先简单介绍了一般磁浮列车的牵引供电系统，然后以上海高速磁浮列车的牵引供电系统为例，详细阐述了牵引变流器的工作原理，并对以门极可关断晶闸管（GTO）为开关器件的三点式逆变器作了详细的分析。     

大口径倒腔式等离子体开关

大口径倒腔式等离子体开关是神光Ⅱ升级装置倒腔式多程放大方案的关键单元,该方案要求等离子体开关能够在极短的时间内完成工作状态的转换。采用正负开关脉冲驱动的等离子体开关响应时间较长,无法满足装置的使用要求。基于Blumlein脉冲形成线结构的高压低阻抗开关脉冲发生器能够实现倍压输出,使单一脉冲驱动等离子体开关成为可能,从而大幅减小开关响应时间。单一脉冲驱动的350mm×350mm口径倒腔式等离子体开关理论充电时间约为54ns,其开关响应时间可做到小于90ns。实验测得的等离子体开关全口径开关效率大于99.7%,静态消光比大于381,时间窗口顶宽大于160ns,底宽小于400ns,上述指标均满足神光II升级装置的使用要求。     

不间断电源的可靠性

UPS系统的主要目的是改进可靠性，使其达到最佳技术性能，最终目标是完全消除发生故障或间断的可能。带静态开关的新型UPS的可靠性，取决于备用电网供电电源的品质(MTBFMAINS)、UPS的修复时间(MTTRUPS)、并取决于静态开关的可靠性。对于特别重要的用电设备，不能仅靠单个带静态旁路开关的UPS这样的电源配置；而具有(n 1)个并联冗余备用UPS的供电配置，正成为标准的要求。本文阐述各种不同UPS配置的可靠性。整流器／升压电路，电池，逆变器，静态旁路及其它部件的可靠性指标，源于资料MIL-HDBK-217F(Not．2 1995)中列举的…     

IGCT--GTO技术的最新进展

IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍。     

FPGA 布线开关的电路设计

在分析隔离岛式FPGA布线结构的基础上，设计了导通晶体管布线开关和三态缓冲布线开关。设计了级恢复电路，解决了导通晶体管开关引起的静态功耗问题。提出了基于扇人的三态缓冲开关bufm，避免了一般缓冲开关的扇出问题。最后，我们对各种布线开关的延时特性作了比较，提出了一些合理的建议。