显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了CuCr真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Cu50Cr50合金,首次击穿相为Cr相,而对于CuCr50Sel合金,首次击穿相为Cu2Se相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高。电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织细化和成分均匀化。本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提高耐电压强度。     

老炼过程中CuCr系触头表层组织形成的特点

研究了CuCr和CuCrWC真空触头合金老炼过程中表层组织形成的特点。研究表明老炼过程主要造成合金表面熔化层组织细化和成分均匀化,从而使耐电压强度升高。在CuCr合金加入WC可以提高其耐电压强度。本文还讨论了电流大小对电压老炼过程的影响。     

选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

根据微放电现象的研究评评真空灭弧触头材料的性能

本文研究了真空灭弧室用ＣｕＣｒ２５、ＣｕＣｒ５０、ＷＣｕ３０烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象－微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。     

合金材料在真空中的电击穿行为

测试了纯铜、铬青铜及４０Ｃｒ铁基合金在真空间隙中的耐电压强度,研究了合金元素及显微组织对合金材料电击穿行为的影响。认为对于合金材料不能根据材料硬度作为评价电极间隙耐电压强度的标准,而应该考虑成分、组织状态、材料缺陷等一系列显微组织参数的综合作用。     

Cu—Cr二元合金状态图与Cu—Cr触头的工艺探索

本文从Ｃｕ－Ｃｒ二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Ｃｕ－Ｃｒ合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ５０触头材料的合金化特点，分析了产生组织的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。     

真空灭弧室电压老炼新技术研究

研究了并联电容器在真空灭弧室工频电压老炼中的作用,并与现有的电压老炼技术作了比较。通过在真空灭弧室的排气过程中的应用,证明了并联电容器后,不但可以使放电点非常均匀地覆盖整个触头表面,有助于触头材料表层的释气,而且迅速提高间隙耐电压强度,大大减小了工频电压老炼的时间     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

真空灭弧室CuCoTa触头材料研究

介绍了国内首次研制的铜钴钽（ＧｕＣｏＴａ）触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,ＣｕＣｏＴａ触头材料较ＣｕＣｒ５０触头材料提高分断能力２４％。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ路器上，通过了全部开关试验。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

提高真空断路器容性开断性能方法的研究

利用大电流对真空断路器的灭弧室进行老炼,可以提高弧后真空间隙的耐电压强度,减少断路器发生重燃及重击穿的概率,相应地改善真空断路器开断容性负载的特性。通过比较同种触头老炼前与老炼后ＦＮ 图所提供的微观信息,从触头材料的功函数和电场增强因子β两方面对电弧老炼作用的机理进行阐述。     

Fe掺杂纳米复合Ag-SnO2电接触材料耐电压性能

利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察.实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中.纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商业用AgSnO2In2O3集中,但平均耐电压强度比商用低9.8%～29.7%.放电后,纳米复合电接触材料表面蚀坑凸凹起伏程度小,烧蚀轻微.     

老炼方式对40.5kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响

为了降低真空灭弧室在投切背对背电容器组时的重燃率,文中采用试验的方法,研究了电压老炼、电流老炼和纳秒脉冲老炼对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响,得出了老炼方式对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响。纳秒脉冲老炼可以比较均匀的覆盖整个触头表面,而电压老炼和电流老炼只能覆盖触头表面的局部。纳秒脉冲老炼的真空灭弧室一次性通过投切背对背电容器组试验,电流老炼的真空灭弧室完成16次投切背对背电容器组试验后发生重燃,电压老炼的真空灭弧室完成一次投切背对背电容器组后300 ms发生重燃。     

温度对真空断路器触头材料耐电压强度的影响

本文测定了Cu、Cu-Te、Ca-Se、Cu-Te-Se-Fe、Cu-Cr等触头材料在300～1600K温度范围内的耐电压强度。测定结果表明,对于不同的触头材料,存在不同的临界温度。并用扫描电镜观察了在高温下被击穿触头材料的表面形貌,根据观察到的形貌特点和Langmuir空间电荷方程讨论了温度对耐电压强度的影响。     

CuFeW触头材料的性能

为了提高CuW的物理机械性能,使其具有更好的耐电弧烧蚀性能和更长的使用寿命,笔者采用熔渗法制备了添加不同体积分数Fe元素的CuFeW合金,研究了Fe元素的添加对CuW合金的组织、硬度、电导率、电击穿性能的影响。结果表明,CuFe合金中Fe的加入量小于1.5%时,熔渗后的CuFeW合金的硬度随Fe体积分数的增加略有增加,而电导率则随之减小,固溶时效处理后合金的电导率有所提高。Fe元素的添加提高了CuW合金的耐电压强度,降低了材料的截流值。对真空电击穿后的材料表面电烧蚀形貌观察发现,电弧在CuFeW合金表面分布较为分散,Fe的加入使首次击穿由原来集中连续地发生Cu/W相界面上转移到非连续地选择性在Cu基体上击穿,产生的击穿坑较小且分散,铜液的飞溅现象减少。     

耐硫酸露点腐蚀用NS1钢的开发和应用

上海第一钢铁（集团）有限公司新开发的耐硫酸露点腐蚀用ＮＳ１钢,系在钢中添加适量的Ｃｕ、Ｓｂ、Ｃｒ等合金元素,使金属表面生成钝化膜,较好地解决了硫酸露点腐蚀问题,并试制开发出具有耐硫酸露点腐蚀性能相同而强度级别不同的ＮＳ１系列钢种及配套的焊接材料,以满足不同场合的需求。