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基于可调谐掺铒光纤激光器和掺铒光纤放大器的光声光谱气体分析仪 总被引:2,自引:1,他引:1
光声光谱技术用于检测低浓度乙炔气体具有灵敏度高、连续和快速实时在线测量的特点.采用近红外可调谐掺铒光纤激光器(TEDFL)串接大功率掺铒光纤放大器(EDFA)作光源,采用一阶纵向共振式双程吸收光声池,并运用波长调制和二次谐波榆测技术,研制出一种新的高灵敏度微量气体近红外光声光谱分析仪.在常温常压下对低浓度乙炔气体的实验测量结果表明,该系统的极限检测灵敏度达到1.3×10-9,其线性响应相关度达到0.99957,能够满足工业、环境监测和电力系统等对乙炔检测和分析的需要. 相似文献
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文章分析了电子电工产品试验方法中二氧化硫浓度测量不确定度。充分考虑了重复测量的重现性、测爨仪器的分辨力、标准气体、二氧化硫气源的稳定性、流量测量、温度压力变化及测量等因素对二氧化硫浓度测量结果的影响,分析出二氧化硫浓度测量的合成扩展不确定度为1.4×10^-6。 相似文献
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在相位测量型光学3维传感技术中,为了正确恢复物体的真实相位,采用了一种基于调制度轮廓线连接极点的相位展开算法。该算法将调制度分布图与分支阻断法相结合,利用图像增强技术中拉普拉斯算子检测边缘,从被测物体调制度分布中提取物体的轮廓线,用于指导极点的连接和截断线的设置,最后结合菱形算法快速展开被测物体的截断相位,能够得到较为真实的相位展开结果。实验结果表明,新方法结合了调制度分布图展开相位可靠和分支阻断法计算时速快的优点。在面形存在陡变和凹陷的复杂情况下,新算法甚至比可靠度排序法更能够有效地恢复出物体的真实相位,保证了测量的精度,而且运算速度比可靠度排序算法快了3倍。 相似文献
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红外气体传感器检测气体浓度具有响应速度快、稳定性高等特点,但检测精度受温度变化影响大。本文对不同温度下矿用CH4-CO2红外传感器待测气体响应信号进行实验研究,并研究传感器的温度补偿算法模型,消除温度对传感器响应信号的影响。研究结果表明:在环境温度20 ℃时,CH4-CO2红外传感器响应信号与待测气体浓度之间呈现良好的线性关系;温度越高,CH4-CO2红外传感器的响应信号越大。通过建立随机森林模型进行温度补偿,CH4红外传感器和CO2红外传感器的响应信号和待测气体浓度之间的相关系数分别为0.9203和0.9099,响应信号与待测气体浓度之间的线性相关度提高、均方误差和平均绝对误差均减小,CH4红外传感器精度更高。基于随机森林温度补偿模型在10~25 ℃温度变化范围内可减小温度对矿井气体浓度监测的影响。 相似文献
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传统差分吸收光谱法(DOAS)对于H2S气体浓度检测原理简单,检测精准,反应速度较快,但在低浓度、光程较短的环境中会产生较大的误差。本文在传统的差分吸收算法的基础上,采用遗传算法对低浓度H2S气体进行反演,但遗传算法容易发生过早收敛,从而陷入局部最优,因此设计了灾变优化后的遗传算法对H2S气体浓度进行反演。结果表明,该方法对低浓度H2S气体有较高的测量精确度,与传统的差分吸收光谱法结合可得到更宽的检测范围。 相似文献
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为了能够集中测量城市路网中CO、NO、NO2和SO2的浓度,利用红外吸收光谱原理和谐波调制技术设计了四向气体浓度检测传感器。将宽带光谱LED作为共用光源,穿过四个方向上特定波长的窄带滤光片后,产生与被测气体吸收光谱一致的光束,再穿过改进的Herriott型长光程吸收气室,并在红外探测器上感应出电信号,最后利用设计的正交锁相放大电路测量出二次谐波系数大小,从而计算出被测气体的浓度。实验结果表明:设计的传感器输出的电压与被气体浓度呈正比例线性关系,平均线性度达到了0.997 85,测量误差均小于2%,可为播报环境质量和制定机动车尾气排放标准提供数据支持。 相似文献
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低损耗高Q值硅基纳米光波导谐振腔,是高灵敏探测器、生物传感器、光通讯器件等发展的关键。而波导表面粗糙度会造成较大的光传输损耗,是制约硅基纳米光波导谐振腔Q值提高的一个重要因素。降低硅基纳米光波导表面粗糙度已成为光波导器件发展的一个关键问题,氢退火工艺是当前改善波导表面粗糙度的一种关键技术。基于表面硅氢键流密度理论,利用Materials Studio软件模拟氢退火光滑化处理过程中硅与氢之间的反应,搜索反应过渡态,探究硅氢键、温度等因素对反应的影响。结果表明:在高温氢退火氛围下,波导表面硅原子与氢原子之间能够形成硅氢键,且温度越高,在硅氢键作用下表面硅原子迁移速率越快,表面由高能态向低能态过渡,表面光滑化效果越明显。 相似文献
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Novel optically excited resonant pressure sensor 总被引:1,自引:0,他引:1
A novel pressure sensitive microresonator structure has been fabricated by anisotropic etching of silicon. An intensity modulated laser beam is focused onto the resonator and generates transverse vibrations, which are detected using optical heterodyne interferometric techniques. The pressure and temperature dependence of the resonant frequency of this structure is reported 相似文献
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Chown M. Goodwin A.R. Lovelace D.F. Thompson G.H.B. Selway P.R. 《Electronics letters》1973,9(2):34-36
Mesa-stripe double-heterostructure lasers operating at room temperature with direct-current bias close to threshold have been directly modulated at gigabit rates. The distortion and ringing effects expected at these frequencies as a result of resonant coupling between photon- and electron-density distributions were found to be suppressed over a range of bias levels. This is thought to result from the multimode behaviour of the device. 相似文献
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R. Slavik 《Photonics Technology Letters, IEEE》2006,18(16):1705-1707
We report on the realization and tuning of a long-period fiber grating-based filter, which is made in a standard telecom optical fiber, with a resonant attenuation of more than 60dB. This is, to our knowledge, by far the highest published value. The realized filters satisfy requirements of applications which are extremely demanding in terms of the resonant depth or require an exact /spl pi/-phase shift at the resonance. 相似文献
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A GaAs-based resonant tunneling permeable base transistor has been developed and evaluated at room temperature. The transistor is fabricated by overgrowing a tungsten gate placed next to an AlGaAs-GaAs-InGaAs resonant tunneling heterostructure. By changing the gate voltage, the effective conducting area of the tunnel diode can be modulated and the collector-emitter current thus controlled. Peak currents above 300 mA/mm and a maximum transconductance of 270 mS/mm have been obtained. 相似文献
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GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性.发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分.控制掺杂接日的浓度能调制这两区域的相对大小,控制两种谷间转移电子效应的相互作用,从而改变器件的静态和动态性能动态模拟给出了器件的新射频工作模式:上能谷电子区的宽度调制和低场耿氏区电场的上下浮动.运用这一工作模式解释了器件的各类新工作特性,并且提出了利用这种量子阶控制极来制作新的异质谷间转移电子三极管的可能性 相似文献
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E. S. Alves M. L. Leadbeater L. Eaves M. Henini O. H. Hughes 《Solid-state electronics》1989,32(12):1627-1631
The current-voltage characteristics of resonant tunneling devices with well widths between 12 and 180 nm are studied. The voltage interval between the resonant peaks in the current is measured as a function of well width. For the wide wells the amplitude of the peaks in the differential conductance is modulated by an “over the barrier” interference effect involving the collector barrier. Space charge buildup and intrinsic bistability effects for a particular resonant state are found to depend critically on its energy difference from the top of the collector barrier and from lower lying standing wave states of the quantum well. 相似文献