威布尔分布下VFD恒定应力加速寿命试验与统计分析

为了精确地估计真空荧光显示器(VFD)的可靠性寿命,节省试验测试时间,通过建立加速寿命试验模型开展了4组恒定应力加速寿命试验,采用威布尔函数描述VFD寿命分布,利用最小二乘法(LSM)估计威布尔参数,完成了试验数据的统计分析,并自行开发了寿命预测软件,确定了加速寿命方程,实现了VFD的寿命估计。数值结果表明,试验设计方案是正确可行的,VFD的寿命服从威布尔分布,其加速模型符合线性阿伦尼斯方程,每个加速应力水平下VFD的失效机理不变,精确计算出的VFD寿命对其生产厂商和技术人员具有重要的指导意义。     

威布尔分布研究及其在断路器电寿命中的应用

断路器电寿命的检测在断路器可靠性测试中占有重要地位,大量实验数据表明断路器的失效分布符合威布尔分布。采用相关系数法估算威布尔分布的位置参数、形状参数、尺度参数,并利用MATLAB开发对威布尔参数估计和数据拟合的程序。最后,对断路器试验故障次数进行了计算分析与应用。     

基于威布尔分布的水利设备可靠性分析模型及应用

针对水利设备运行过程中可靠性不确定性问题,运用威布尔分布建立了水利设备可靠性分析模型。该模型中,威布尔分布参数估计是关键,直接决定了可靠性分析模型的精度。由于传统的参数估计法人为因素影响大、精度差且操作繁琐,提出了联合最小二乘法和平均秩次法来估计威布尔分布模型参数。通过实例验证了上述方法的可行性。     

威布尔分布无故障数据的可靠性评估

对于威布尔分布无故障数据可靠性评估方法中形状参数已知和未知的两种方法,通过一个例子进行对比分析,指出当形状参数毫无所知时,所得到的基本可靠度置信下限估计最为保守。通过相似产品的信息和工程经验对形状参数作出一个较为精确的估计是可行的。     

用微机实现威布尔分布参数的双线性回归最小二乘估计

威布尔分布是可靠性分析中常用的一种分布,本文针对威布尔分布参数估计中传统的图估计法的弊端,阐述了用微机数值估计方法取代图估计法的可行性、必要性及其重要意义,根据双线性回归原理在微机上用Ｍａｔｌａｂ实现了威布尔分布参数的最小二乘估计。     

用Excel进行威布尔型产品可靠性数值仿真评估

基于最小二乘法,利用Excel的已有函数和单元格的引用,估计威布尔分布的参数m和η,用RAND()函数产生的随机数和逆变法抽取服从分布参数为m和η的威布尔分布抽样样本,计算可靠度的一个抽样值,反复抽样,得到可靠度的分布密度函数,用SMALL()函数返回可靠度置信下限的仿真值。实例表明,仿真结果与计算结果很接近,用Excel进行可靠性数字仿真,可以避免繁杂的编程工作,方便实用。     

小样本数据下继电保护装置可靠性的组合威布尔分布评估方法

面对继电保护装置失效数据缺乏的情况,提出了一种基于组合威布尔分布的继电保护装置可靠性评估方法。首先,利用平均秩次法估算二参数威布尔分布的参数值,得到继电保护装置的分布密度函数;其次,选取蒙特卡罗抽样得到的Bootstrap子样作为三参数威布尔分布的样本数据,并采用灰色估计法对继电保护装置可靠寿命进行参数估计。最后,通过实例计算与其他方法进行对比,证明了方法在对小样本数据下的继电保护装置进行可靠性参数估计时精度更高。     

基于Weibull分布的电力设备寿命损耗预测

电力设备的寿命损耗是企业设备管理部门进行设备检修和更换的重要依据.根据设备寿命服从Weilbull分布,结合Weibull分布的特征,构建设备寿命损耗两个参数的数学模型,用于确定设备的寿命损耗程度,判定设备故障形态.应用实例得出Weibull模型的寿命损耗曲线与实际损耗曲线一致,通过曲线可判定设备在统计阶段所处的故障状态期为早期失效期,根据此模型可以进一步预测设备的最佳检修和更换时机,为企业制定设备维修政策提供支持.     

半导体器件的贮存寿命

从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例.介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.     

Weibull分布下基于MAM的白光OLED寿命预测

为了得到白光有机发光二极管(OLED)寿命信息,降低试验成本,开展了三组恒定电流应力加速寿命试验。采用Weibull函数描述其寿命分布,基于图分析法(MAM)和MATLAB绘制的Weibull概率双坐标纸,描点作图并估计形状参数和尺度参数,实现了白光OLED的寿命预测。数值结果表明,白光OLED样品在各加速应力下失效机理保持不变,加速模型满足逆幂定律,精确计算的加速参数使得OLED寿命快速估算成为可能。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

Weibull分布下基于MLE的红外发光二极管寿命预测

为了对红外发光二极管(LED)恒定及步进应力加速寿命试验的数据进行统计分析,应用Weibull分布函数描述了其寿命分布,利用极大似然法(MLE)及其迭代流程图估计出形状参数和尺度参数,通过最小二乘法确定了红外LED加速寿命方程,对红外LED寿命是否符合威布尔分布进行了Kolmogorov-Smirnov检验,并利用自行开发的寿命预测软件计算出平均寿命和中位寿命。数值结果表明,红外LED的寿命服从Weibull分布,加速寿命方程符合逆幂定律,所估计出的红外LED的寿命对生产厂商和用户有很强的指导意义。     

多元胞半导体电涌吸收器件的研究

设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件（ＳＳＡＤ），旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后，其失效率比单元胞有较显著的降低。     

基于半导体器件的仿真系统显示驱动电路的研究

为了提高基于半导体器件的红外动态景像仿真系统的工作效率,根据仿真系统的工作特点设计了一种驱动电路.首先简述红外动态景像仿真系统的技术要求,其次给出基于半导体器件的动态红外仿真系统的工作原理,最后通过分析半导体器件的特点给出系统显示驱动电路的设计及时序图,并指出使用该驱动电路可使系统具有低功耗、高占空比、无闪烁和良好的均匀性等优点.     

硫酸根离子敏感半导体器件的研究

本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。     

移动存储介质认证方法研究

论述了移动存储介质认证的必要性,给出了识别USB设备插拔的方法,研究分析了几种常见的认证控制方式,提出了一种基于数字证书的移动存储介质认证方法。为移动存储介质的监控管理提供了更可靠的前提保证,可实现对移动存储介质更细粒度的控制,能与现有的电子政务电子军务系统很好地结合起来,充分利用网络环境实现多级认证和远程跟踪。