氧化铝陶瓷低温烧结研究

为降低氧化铝陶瓷的烧结温度,分别采用固相法和水热法制备了CaMgSi₂O₆和CaTiO₃,并将其按比例进行复合,作为氧化铝陶瓷烧结添加剂。采用X射线衍射仪对添加剂物相组成进行研究,采用扫描电子显微镜(SEM)对氧化铝陶瓷微观结构及烧结性能进行研究,采用维氏硬度计、液压式材料万能试验机,对氧化铝陶瓷材料力学性能进行研究。结果表明：2种方法制备的添加剂中都含有一定量的杂质。水热法制备的添加剂对氧化铝陶瓷烧结性能的影响比固相法制备的添加剂显著,在其他条件相同的条件下,采用固相法制备的添加剂,氧化铝陶瓷在1350℃烧结6 h后其致密度随添加剂使用量的增加呈先增加后减小的趋势;而采用水热法制备的添加剂,其致密度则随添加剂使用量的增加而增加。低温烧结氧化铝陶瓷的硬度和抗弯强度,随添加剂添加量的增加,均表现出先减小后增加的趋势。当添加剂添加量为10%时,硬度最小;当添加剂使用量为12%时,抗弯强度最小。     

稀土氧化物对ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响

研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm,改善了ZnO压敏陶瓷的电气性能。     

稀土氧化物掺杂ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的介电特性

在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。     

Y_2O_3掺杂压制钡钨阴极的制备及发射性能研究

通过溶胶凝胶法制备氧化钇、活性盐和钨均匀混合的前驱粉末,结合氢气高温烧结制备得到稀土氧化物Y2O3掺杂压制钡钨新型阴极材料,并分别测试其热电子发射性能和二次电子发射性能。试验结果表明,采用溶胶凝胶法制备的阴极粉末颗粒分布均匀且细小,在高温烧结过程中有利于活性盐与基体钨之间反应充分,从而形成有利于提高发射的活性物质。发射性能测试结果显示:激活良好的阴极在测试温度1 050℃时的零场电流密度J0为4.18A/cm2;二次电子发射系数随Y2O3含量增加而增大,最大二次电子发射系数δm可以达到2.92。对阴极进行表面分析,激活过程中活性元素Ba、Y和O等从阴极内部向表面扩散,在表面形成均匀分布的发射活性层,促进了阴极的发射。     

CeO2改性陶瓷涂层硬度和断面金相试验分析

本实验以奥氏体不锈钢片为基体,以高温玻璃、粘土、Cr2O3为主要原料并加入一定比例的稀土氧化物CeO2,制备而成的稀土与金属的复合陶瓷涂层。通过试验对不同CeO2含量涂层材料的硬度、断面情况进行分析研究。     

稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷导电过程的影响

掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。     

高强度瓷 第三部分

<正> 用稀土金属氧化物代替碱金属氧化物的瓷与含碱性熔剂的长石瓷相比,具有较高的机械强度和较小的介质损失.随着稀土金属添加量的增加,tgδ降低,降低程度依添加的稀土金属种类而异,其顺序如下.MgCO_3、SrCO_3,CaCO_3、BaCO_3.坯料中石英含量很高对tgδ影响很小,而氧化铝含量很高则降低tgδ.添加硅线石及硅酸锆促使机械强度提高热膨胀系数降低,耐冷热急变性能好,介质损失小,烧结范围宽.添加硅酸锆的瓷质电性能优良,可使之     

TiO2、MgO添加剂对Al2O3陶瓷材料烧结致密化影响的研究

利用在氧化铝中添加微量氧化钛和氧化镁的方法，通过烧结工艺制备了具有明显各向异性晶粒的氧化铝陶瓷材料圆片。研究了添加剂的添加量和烧结温度对材料致密度的影响。与单纯添加氧化钛的氧化铝相比，氧化镁的加入细化了氧化铝晶粒。因此，可以通过调整氧化镁的加入量，在保证氧化铝晶粒各向异性形貌的同时，通过调整晶粒的尺寸的途径，实现改善氧化铝陶瓷材欧的密度和强度等性能。     

低温烧制刚玉陶瓷

在陶瓷中增加A1_2O_4的含量可改进陶瓷的物理和技术性能,但这样所需要的烧成温度也会提高。如用于电子和电气工程中的刚玉陶瓷的烧结温度范围就在1540～1900℃之间。 俄罗斯Tomsk PolytechnicInstitute的工作者采用在基质中加入改良剂(TiO_2、MnO_2、滑石)的方法,在1400～1450℃的温度下进行烧制刚玉陶瓷可行性的试验。通过引入上述氧化物和烧结     

陶瓷基板的技术动向和展望

陶瓷基板的技术动向和展望据日本《工业材料》报道：陶瓷基板的主流是氧化物陶瓷，特别是氧化铝，它理化性能稳定，并具有其它优良特性，所以目前正大量应用。最近受到重视的材料是ＡＬＮ、ＳｉＣ等。以粉末压制法和制带成型法为主，成型后的金属喷镀则采用同时烧成法，高...     

表面改性对光固化3D打印Al2O3陶瓷性能的影响

陶瓷粉体表面改性是一种改善陶瓷浆料流变性能的有效方法,已应用于光固化3D打印用Al2O3陶瓷浆料的制备,然而目前鲜有关于表面改性对光固化3D打印Al2O3陶瓷烧结体性能影响的研究报道.本文采用油酸对Al2O3陶瓷粉体进行表面改性处理,利用光固化3D打印技术制备Al2O3陶瓷,研究表面改性对Al2O3陶瓷浆料流变性能、固...     

棕红色颜料的制备及形成机理的研究

以ZnO、Cr2O3、Fe2O3、MnO2为原料合成了棕红色的尖晶石型颜料,并用XRD、DAT等手段对合成产物进行了表征。结果表明,该颜料在1129℃开始合成,其主晶相为锌铁尖晶石(ZnFe2O4)、铬铁尖晶石(FeCr2O4);且在1260℃～1300℃下,该颜料具有良好的稳定性。笔者还分析了颜料的发色机理及矿化剂在颜料制备中的作用。     

用稀土Ce2O3生产耐候性优良的PVC—U透明建材

在用有机锡稳定的PVC-U透明户外用制品中,加入少量的稀土氧化物Ce2O3 ,使制品透明性得到保持,耐候性及物理性能均得到提高。     

粉煤灰建筑微晶玻璃工业化试验研究

根据微晶玻璃的基础组成,选择铝硅酸盐系统做为配方依据.在粉煤灰中加入钙质材料,制成硅灰石型微晶玻璃.主晶相是硅灰石,玻璃相是CaO—Al_2O_3玻璃,Na_2O—TiO_2-Al_2O_3玻璃和Na_2O—CaO—SiO_2玻璃.在实验室试验基础上,利用工厂坩埚窑完成其工业性试验.经检验,该产品性能均优于国内外同类产品指标,是一种新型建筑装饰材料.     

Co2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用

研究了金属氧化物Co2O3含量对ZnO压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响。分析了Co2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善,以及所产生缺陷类型。实验结果表明:随着Co2O3含量在0郾6%~0郾2%(质量分数)范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性。为获得产品优良的重复性和稳定性,以及降低成本起到十分重要的作用。     

新疆西天山阿拉套山南缘阿克沙克组变质碎屑岩地球化学特征及其对物源区和构造环境的制约

新疆阿拉套山南缘出露的下石炭统阿克沙克组沉积地层,是西天山石炭纪构造演化的重要物质记录.阿克沙克组第一段以碎屑岩发育为特点,在泥质粉砂岩中含少量珊瑚、腕足及苔藓虫化石;阿克沙克组第二段受后期晚石炭世花岗岩侵吞,呈残留状出露,以碎屑岩角岩化和含板岩为特征.阿克沙克组变质碎屑岩岩原岩为泥质岩,高SiO2含量(63.91％～...     

矾土瓷—一种新型高电压强度的绝缘材料

使用经筛选的专用粘土原料和不同种类、不同用量的熔剂，并使用作为新型氧化铝基质的矾土，就可开发出一种高Al2O3的新型优质瓷。这种瓷具有良好的强度，特别是它的长期性能，还降低了制造成本。因此，新型矾土瓷的发展前景广阔。