一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。     

Synthesis and Characterization of Transition Metals Doped ZnO Nanorods

Different morphologies of undoped and transition metals(Mn,Co and Ni) doped one-dimensional(1D) ZnO nanocrystals were successfully synthesized by chemical method in an air atmosphere using polyvinylpyrrolidone(PVP) as a surfactant.The structure and optical properties were studied by scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),X-ray diffraction(XRD),thermal gravimetric analysis(TGA),ultraviolet visible(UV-vis) absorption spectra and photoluminescence(PL) spectra.The doped ZnO nanorods exhibited a blue-shifted band gap and enhanced ultraviolet(UV) emission.In addition defect related emission was observed for the doped ZnO.     

氧化锌纳米棒的研究进展

氧化锌具有良好的化学惰性和生物兼容性,也是目前同时具有压电性质和半导体性质的唯一材料.氧化锌纳米棒及其阵列由于具有新奇的物理和化学性质而成为目前研究的热点之一.综述了近年来氧化锌纳米棒的制备方法、合成机理及应用研究等,展望了其广阔的应用前景.     

类单晶氧化锌纳米棒的制备与表征

用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒,长度为(1-5)μm,直径约几十纳米.测量了ZnO纳米棒的光致发光特性.讨论了实验条件对纳米棒生长结果的影响,并对生长机理做了初步探讨.     

固相配位化学反应法合成ZnO纳米粉体

采用固相配位化学反应法制备ＺｎＯ的纳米粉体，并通过差热分析，热失重和红外光谱分析ＺｎＯ纳米粉体的合成过程。用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜表征ＺｎＯ纳米粉体的全，形貌及大小。研究结果表明：４００℃，热分解２ｈ，可得到平均晶粒尺寸约为１０ｎｍ的ＺｎＯ纳米粉体，其相结合为闪锌矿结构。同时发现随着热分解温度的增加，晶粒尺寸缓慢长大。粉体粒子的团聚一肌为软团聚，很容易在超声波作用下分散开。     

Mn、Li共掺ZnO稀磁半导体的制备与铁磁性研究

采用固相陶瓷烧结法制备了Mn、Li共掺的ZnO稀磁半导体材料,实现了室温铁磁性。分别用XRD、XPS和VSM对各样品进行了结构测量和磁性能测量,分析了Mn、Li掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体的影响。结果表明,在相同的外磁场下,随着Mn掺杂浓度的增加,陶瓷的磁化强度增大。但较高的Li掺杂浓度可能会形成更多填隙离子,减少空穴浓度,最终使材料的室温铁磁性变差。     

声化学法制备均匀分散的ZnO纳米晶(英文)

采用超声化学方法制备ZnO纳米颗粒,透射电子显微镜(TEM)测试结果显示,合成出的ZnO纳米颗粒尺寸均匀,形状规则。而X-射线衍射(XRD)结果表明,提高反应温度可以促进ZnO的生长。因而,对于合成单一分散的ZnO纳米晶而言,声化学方法是一种非常简便的方法。     

四氯化钛络合法制备单分散纳米二氧化钛

以四氯化钛为原料,通过和三乙醇胺反应形成可溶性络合物,在１４５℃陈化反应,制得单分散性较好的二氧化钛颗粒．用ＴＥＭ和ＸＲＤ测定了颗粒的晶型和形貌．颗粒的大小可通过改变陈化液的ｐＨ值进行调节．讨论了钛可溶性络合物的形成和水解过程,测定了该络合物的紫外吸收特性．     

水热法一步合成氧化锌纳米棒及其场发射特性的研究

利用极其简单的方法,即将氯化锌溶液和氨水按一定配比混合进行水浴加热制备了ZnO纳米棒,其直径约为100nm.利用扫描电子显微镜和能谱仪对其结构和成分进行了分析.场发射测试结果表明,所制备的ZnO纳米棒有较低的开启场和阈值场,分别为2.7V/μm和4.95V/μm,其场增强因子为5390.这样高的场增强因子来源于氧化锌参差的层状结构.     

Microstructure Characterization of Single-crystal ZnO Nanorods Synthesized by Solvothermal at Low Temperature

Single-crystalline ZnO nanorods have been synthesized by a simple solvothermal process at low temperature. Transmission electron microscopy （TEM） observations have confirmed that the as-synthesized products have rod-like morphologies with diameters ranging from several nanometers to 30 nm and lengths from 100 nm to 2 μm. Such hexagonal ZnO nanorods are structurally uniform and the growth direction is identified to be [0001]. Growth mechanism of the ZnO nanorods was proposed.