微波功率GaAsFET的宽带内匹配技术

研究了C波段大功率砷化镓场效应晶体管的宽带内匹配技术,结果在电路设计中采用了新型的电路结构和大信号特性。在高介电常数的单瓷片上形成集总参数元件二级输入网络。在氧化铝陶瓷片上,以微带结构形成半分布参数的单级输出电路。总栅宽为11200微米的内匹配砷化镓场效应晶体管在1分贝增益压缩下具有2.5瓦的功率输出,在没有外部匹配的情况下,从4.2到7.2千兆赫,该器件具有5.5分贝的线性增益和4.4瓦的饱和功率输出。从4.5到6.5千兆赫,这种内匹配场效应晶体管具有6分贝线性增益和5瓦的饱和输出功率。     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

国外微波晶体管概况

微波晶体管可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这些器件主要应用于微波低噪声放大器和微波功率源。双极晶体管已有较长的发展历史,现已进入成熟阶段,但到目前为止,一般限于C波段以下应用,而场效应晶体管在C—Ku波段仍表现出良好的微波性能。从应用来说,一般使用双极晶体管电路较为简单。在放大器中容易作到宽带匹配,而使用场效应管则较为复杂。因此,在近期内,在C波段以下的应用中,双极晶体管仍占主导地位。在C波段以上,双极晶体管的性能还有待进一步改进。而场效应管在C～Ku波段将占主要地位。     

微波晶体管的进展

这里主要介绍三端的微波半导体器件。三端微波器件可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这两类器件都可用于微波低噪声放大和微波功率源。微波双极晶体管已有较长的发展史,早已得到普遍应用,但到目前为止,只能用于C波段以下,而场效应晶体管在C到Ku波段还保持良好的微波性能。从电路应用来说,一般用双极晶体管较为简单,在放大器中容易作到宽带匹配,而用场效     

14～14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT内匹配微波功率管

介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管.采用GaAs PHEMT 0.25μm T型栅工艺,研制出总栅宽为14.4 mm的功率PHEMT管芯.器件由四管芯合成,在14～14.5 GHz频率范围内,输出功率大于20 W,附加效率大于27%,功率增益大于6 dB,增益平坦度为±0.3 dB.     

C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹配电路，制成了Ｃ频段内匹配功率场效应晶体管。在大于５００ＭＨｚ的带宽内，１ｄＢ增益压缩输出功率达１８Ｗ，１ｄＢ压缩增益为８．３ｄＢ，功率附加效率达３０％。     

控制场效应晶体管（CFET）──一种新型的MMIC控制器件

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...     

5GHz 30W GaAs功率场效应晶体管

<正> 大功率高效率的GaAs场效应晶体管对雷达和数字通信系统中的放大器都是很重要的。输出功率20W的C波段GaAs功率FET已进入商用阶段。最近日本东芝公司微波固体部门报道了一种5GHz频带下输出功率大于30W的多芯片内匹配GaAs场效应晶体管。     

砷化镓场效应晶体管的噪声性能

一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计的还低一些。目前,从低的C波段往上,砷化镓场效应晶体管已在低噪声放大器中被采用。就这点而论,它很出色地弥补了硅双极晶体管仍然只能控制C波段以下的微波波段的状况,然而,现在正用具有缓冲层的场效应晶体管来实现降低噪声,双极晶体管的这一独特频率范围不会继续存在多久。图1是根据1975年7月用硅双极晶体管和砷化镓场效应晶体管     

K波段GaAs双栅场效应晶体管

本文给出了GaAs双栅场效应晶体管的高频等效电路模型以及输入/输出阻抗、跨导,单向增益、稳定因子等的解析表达式。在低频时,双栅场效应晶体管的增益高于单栅场效应晶体管,但是由于第二栅的电容分流效应,随着频率的增加双栅场效应晶体管的增益急速下降。我们研制了可用于K波段可变增益放大器中的双栅功率场效应晶体管,该器件总栅宽为1.2mm,在10GHz下,输出功率为1.1W,增益为10.5dB,附加功率效率为31％。同样栅宽的器件。在20GHz下,输出功率为340mW,增益为5.3dB。在K波段,动态增益控制范围可达45dB,在最初的增益控制变化10dB范围内,其插入相位变化不超过±2°。