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提出了一种制备多壁碳纳米管的简单方法。以乙醇为碳源,利用催化化学气相沉积工艺制备了碳纳米管。用较为简单的设备在较低的反应温度下,在基底上生长了取向多壁碳纳米管阵列。利用扫描电子显微镜内部的纳米操纵仪对单根碳纳米管进行操纵,并测试了单根多壁碳纳米管的电学特性。 相似文献
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提出了一种制备多壁碳纳米管的简单方法.以乙醇为碳源,利用催化化学气相沉积工艺制备了碳纳米管.用较为简单的设备在较低的反应温度下,在基底上生长了取向多壁碳纳米管阵列.利用扫描电子显微镜内部的纳米操纵仪对单根碳纳米管进行操纵,并测试了单根多壁碳纳米管的电学特性. 相似文献
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提出了一种制备多壁碳纳米管的简单方法。以乙醇为碳源,利用催化化学气相沉积工艺制备了碳纳米管。用较为简单的设备在较低的反应温度下,在基底上生长了取向多壁碳纳米管阵列。利用扫描电子显微镜内部的纳米操纵仪对单根碳纳米管进行操纵,并测试了单根多壁碳纳米管的电学特性。 相似文献
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采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 相似文献
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采用流化床反应器的ACCVD法制备单壁碳纳米管 总被引:1,自引:1,他引:0
采用流化床反应器,利用MgO作为催化剂载体,通过乙醇为碳源的化学气相沉积(ACCVD)法合成了单壁碳纳米管(SWCNTs)。该方法是让Ar气流直接携带乙醇蒸汽进入反应器,用流化床反应器代替石英舟,使乙醇蒸汽与催化剂混合更加均匀,有利于SWCNTs的生成。采用MgO催化剂载体,易于用浓HCl对产物进行提纯。拉曼光谱和透射电镜(TEM)分析结果表明,通过该方法合成的SWCNTs具有无定型碳含量少、管径均匀等特点。 相似文献
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研究了利用微波等离子体化学气相沉积法制备碳纳米管时各种工艺参数的影响。在化学气相沉积中催化剂起着至关重要的作用,为分析催化剂对碳纳米管生长情况的影响,采用常用的催化剂Fe和Ni作对比实验,并利用扫描电子显微镜表征手段分析不同催化层对碳纳米管生长情况的影响,发现使用Fe催化层在较高温度下,碳纳米管生长形貌较Ni催化层要好。而沉积温度在制备碳纳米管的过程中也起这重要的作用,所以实验针对不同沉积温度进行碳纳米管生长,结果发现600℃左右温度较适合碳纳米管生长。 相似文献
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利用激光化学气相沉积(LCVD)方法,以钛金属有机化合物为前驱体,以O2为反应气体,在激光功率PL为0~200 w、基板预热温度为400~700℃的条件下,制备出了金红石型TiO2薄膜和金红石型与锐钛矿型混合TiO2薄膜.研究表明,激光功率和基板预热温度对所沉积的TiO2薄膜的物相组成、截面组织,表面形貌和薄膜生长速度均有着显著的影响. 相似文献
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碳纳米管在金刚石薄膜化学沉积上的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
碳纳米管的端头部位,具有一定的金刚石结构。用于金刚石薄膜气相化学沉积,作为籽晶,可使薄膜沉积的速度加快,结晶的定向性强,生长的温度低等优点。本文探讨了碳纳米管的结构,初步研究了其在金钢石薄膜气相化学沉积上的应用,得到了较好的〈100〉方向结果的薄膜。 相似文献
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本文对以二(乙酰丙酮根)合铜(Ⅱ)和二(三甲基乙酰三氟代丙酮根)合铜(Ⅱ)为母体的化合物,用10.6μm和280nm激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪,扫描电子显微镜和四探针法进行了分析,观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。 相似文献
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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品,观到薄膜发出波长位于400~550nm范围内可见光辐射。 相似文献
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