铁电多层膜的制备和特性

本文首次对铁电多层膜的制备和其特性进行研究。实验结果表明，铁电多层膜中各子层厚度和制膜时工艺条件的改变对其相结构和铁电特性有明显的影响。铁电多层膜由钙钛矿相和焦绿石相所组成。当多层膜中第一、第三层的厚度为０．１５μｍ时，改变第二层的厚度，当其为０．１５μｍ时，多层膜的铁电特性为最好并且膜中钙钛矿相的含量增大。当第一、二、三层的厚度相同时，改变其厚度到０．１μｍ时，此时多层膜的铁电特性为最好并且钙钛矿相的含量增大。沉积第二层Ｐｂ（Ｚｒ０．４８Ｔｉ０．５２）Ｏ３膜时衬底温度较低时有利于其铁电特性提高，但气体压强对其影响不大。     

铁电（Pb_（0．925）La_（0．075））（Zr_（0．65）Ti_（0

本文对射频磁控溅射制备的（Ｐｂ＿（０．９２５）Ｌａ＿（０．０７５）－（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））＿（０．９８１）Ｏ＿３薄膜作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描能谱分析。结果表明，薄膜的表面缺Ｐｂ是形成ＴＺＯ相的主要原因；随着退火温度的升高，薄膜中钙钛矿相的形成导致各元素的结合能发生位移。     

Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究

介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在９００℃,３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示,ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。     

用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性

用磁控射频溅射方法制备了Pb（Zr0．52Ti0.48）O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb（Zr0．52Ti0．48）O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密、光滑。此Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得，通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的铁电特性得到很大提高。并制备出用于永久性存贮器的优质Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜。     

PZT／BIT复合压电陶瓷

研究了在（Ｐｂ０．９２Ｓｒ０．０８）（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３基体中引入Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２压电第二相后复合陶疱的微观结构、力学性能以及电学性能。复合化提高ＰＺＴ基陶瓷的断裂韧性；而且可有效地控制复合化引起的压电性能的下降。     

溶胶－凝胶法制备Pb（Zr，Ti）O_3玻璃陶瓷过程中的结构变化

本文介绍溶胶－凝胶法制备均匀ＰｂＺｒ－Ｔｉ－Ｂ－Ｓｉ凝胶玻璃，并通过适当热处理在凝胶玻璃中原位生长Ｐｂ（Ｚｒ；Ｔｉ）Ｏ３微晶的新工艺·利用ＩＲ谱考察了凝胶玻璃中的元素键合结构随温度的变化．结合热分析和ＸＲＤ；ＳＥＭ技术，研究了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３微晶在凝胶玻璃中的生长过程及该材料的结构特点．发现Ｐｂ２（Ｚｒ，Ｔｉ）２Ｏ６＋ｘ立方焦绿石介稳过渡相的纳米微晶首先出现于该体系中，并在更高的温度下先后完全转变成三方和四方Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３钙钛矿相．电子显微观察结果表明，该工艺制备的Ｐｈ（Ｚｒ；Ｔｉ）Ｏ３玻璃陶瓷具有均匀的细晶结构．     

沉积在Pt电极上的铁电PZP薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Ｐｔ电极上的Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ２薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜ＰＺＴ相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电ＰＴ（５３／４７）薄膜具有较好的铁民性能和疲劳特性。在６００℃下ＰＺＴ薄膜的剩余极化强度Ｐｒ为２４．８μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场强度Ｅｃ为７０ｋＶ／ｃｍ。２１０ｋＶ／ｃｍ的     

Pb（Mg1／2W1／2）O3—PbTiO3—PbZrO3l陶瓷的化学不均匀性和介电行为的…

研究了Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３－ＰｂＺｒＯ３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ｉ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．２７０Ｗ０．３６７Ｚｒ０．１８２）Ｏ３．０９１；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．１０９Ｗ０．１８７Ｔｉ０．２０４Ｚｒ０．３４０）Ｏ２．７５８。两种居里点分别为：ＴＣＩ〈－６５℃，ＴＣＩ＝１０５℃，图像处理     

用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。     

溶胶-凝胶法PLT薄膜的形成与热处理温度关系研究

利用溶胶－凝胶法合成了透明溶胶和白色稳定乳浊液两种前驱体,通过Ｄｉｐ－ｃｏａｔｉｎｇ方法分别利用掺入及不掺入同配方的晶体微粉的这两种前驱体制备了Ｐｈ_０．９Ｌａ_０．１５ＴｉＯ_３ 薄膜,并通过 Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）;扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和介电常数测试等手段进行了形成特性研究和比较．结果显示,利用白色乳浊液前驱体制备的Ｐｂ_０．９　Ｌa_０．１５ＴｉＯ_３ 薄膜,其最初形成钙钛矿相的温度比利用透明溶胶制备的同样薄膜的温度降低约４０～５０℃;利用透明溶胶前驱体制备的Ｐｂ_０．９Ｌａ_０．１５ＴｉＯ_３薄膜在热处理温度高到约５７５℃时,钙钛矿相的晶格常数相应下降;约在５２５℃热处理时,薄膜居里温度出现在室温附近;较高的热处理温度时,薄膜中形成的钙钛矿相中Ｌａ的固溶度相对较小,反之则Ｌａ的固溶度较高．     

铅基驰豫型复合钙钛矿结构PLZST的合成研究

采用传统陶瓷烧结工艺合成了单一复合钙钛矿结构的Ｐｂ_１－ｘＬａ_ｘ（Ｚｒ_ｙＴｉ_ｚＳｎ_{１－ｙ－ｚ}）Ｏ_３体系陶瓷（简称ＰＬＺＳＴ其中０．０１≤ｘ≤０．０５;０．３５≤ｙ≤０．７０;０．０５≤ｚ≤０．２０）．研究表明：在选定的工艺条件下,立方相和正交相ＰＬＺＳＴ易合成为单一复合钙钛矿结构,而四方相ＰＬＺＳＴ的合成较困难;采用多次球磨、加适量过量ＰｂＯ（３％）、控制成型压力、选择合适的烧结温度（１３５℃）有助于合成单一复合钙钛矿结构的ＰＬＺＳＴ．     

Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

Pb1—xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上制备Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３（ＰＬＴ,ｘ〈０．２）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在６００℃下退火１小时的ＰＬＴ薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（１００）择优取向明显,在室温下ＰＬＴ薄膜有典型的电滞回线。在ｘ〈０．２（摩尔比）的范围内,ＰＬＴ薄膜相对介电常数则随着Ｌａ的增加而增加。     

铌锌酸铅基陶瓷的铁电行为研究

采用具有改进ＳａｗｙｅｒＴｏｗｅｒ电路的全自动铁电体电滞回线测试系统，对（０．９ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／３Ｏ３０．１ＢａＴｉＯ３ｘＰｂＴｉＯ３［（ｘ＝０．０５，０．１０，０．１５，简称ＰＺＮＢＴＰＴ（０．１／ｘ）］系列铁电陶瓷样品在０℃～１９０℃温度范围内强场下的极化强度进行了详细测试，并与其弱场介电行为对比，探讨了铁电宏畴微畴不同的强场极化特性，发现ＰＺＮＢＴＰＴ（１０／１５）铁电陶瓷样品的极化强度在自发正常铁电体弛豫型铁电体转变温度Ｔｎｒ下有一个增大过程。     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

高容量SiO2掺杂的（Ba,Pb）TiO3基高居里温度PTCR陶瓷

在制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷时，一般采用铅气氛烧结方法。但是，这种烧结工艺制成的产品的相对成本是高的。作者的实验表明，高容量ＳｉＯ＿２掺杂烧结方法也可以用于制备高质量的（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷。本文主要报道高容量ＳｉＯ＿２对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３基高居里温度ＰＴＣＲ陶瓷烧结工艺和电特性的影响。     

压电陶瓷的极化反转过程

利用阻抗分析仪和重复迭代法，对Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．１２５Ｔｉ０．４２Ｚｒ０．４５５Ｏ３压电陶瓷的极化反转过程进行了研究。实验数据显示出了铁电畴随电场变化的整个开关过程，发现极化反转前后压电性有着明显的不对称性，这一异常现象是和场诱应变、电滞回线数所相互对应的。经比较研究后认为，影响极化反转前后压电对称性的机理是空间电荷在晶粒表面积聚形成内偏置电场，由此建立的理论模型可以作出合理的解释。     

Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理

Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

SrTiO3（110）上水热法外延生长PbTiO3薄膜

利用低温水热合成工艺，在一定浓度皆Ｐｂ（ＮＯ）３，ＴｉＣｌｒ的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｅＯ３单昌衬底上生长出具有面积构的ＰｂＴｉＯ３外延薄膜。     

PZN—PT—PZT陶瓷的压电—铁电性能研究

将位于同型相界附近的固溶体系９．９１ＰＺＮ－０．０９ＰＴ作为一个组元,与同样位于准同上界的另一个组元Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）复合形成新的压电陶瓷体系（１－ｘ）（０．９１ＰＺＮ－０．０９ＰＴ）－ｘＰｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３,实验结果表明新体第具有更好的压电,介电性能,对样品退火处理后,发现压电,介电性能有较大提高,Ｋｐ最高达到７３％,ｄ３３最高达到５７０ｐｃ／Ｎ。