饱和蒸汽压的测试线路

1984年为兰州西固石油站制作了一台经过改进的油脂饱和蒸汽压测定仪.主要在测量控制线路和温度控制方面作了较大改进.研制出了用晶体管线路代替电子管线路的测量线路.不仅仅在实验精度上,而且在体积和功耗上都优于1963年研制成功的真空油脂饱和蒸汽压测定仪.在第一部分,介绍了这台仪器的测量原理.没有采用悬摆法,而是采用蒸发速度法来测量油脂的饱和蒸汽压.蒸发速度法是先测出一组较高温度下的饱和油蒸汽的蒸发速度,然后推算任意温度下油的饱和蒸汽压的一种实验万法.第二部分介绍了测试装置.着重介绍了测量控制线路以及对邻苯二甲酸二丁脂的测试结果.并与1984年研制成功的微机测控油蒸汽压的实验结果作了比较.最后对实验结果进行了讨论和分析.     

沉积速率对EB-PVD Ni-Cr薄膜表面形貌的影响

采用动态蒙特卡罗(KMC)方法模拟电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备Ni-Cr合金薄膜过程中沉积速率与薄膜微观结构之间的关系,并用分维理论研究薄膜表面形貌.研究结果表明:对于基板温度为500K,入射角度为35°的情况,沉积速率＜5μm/min时,薄膜表面分维均＜2.04,表面光滑,而当沉积速率＞5μm/min时薄膜分维随沉积速率增大而增大,表面变得越来越粗糙,直到沉积速率升高到1000μm/min时,分维达到最大值2.31,表面非常粗糙,具有细致的皱褶和缺陷.分维与沉积速率间的关系说明低沉积速率有利于分维小、表面光滑薄膜的制备,而高沉积速率使薄膜分维增大、表面结构更加复杂.该研究结果与沉积速率对EB-PVD薄膜表面粗糙度影响的研究结果一致,表明分维也是评价薄膜表面形貌的途径.     

化学气相沉积法ZnS块材料的生长

本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料;观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为;研究了沉积温度、H₂S和Zn蒸汽流量对ZnS生长速率的影响规律．     

多台全封闭制冷压缩机串联运行系统中的润滑油路新结构

全封闭压缩机曲轴通常以约3500r.p.m的速度回转。对曲轴轴承和其它运运部件供给适量的润滑油是非常重要的。冷冻润滑油贮存在压缩机壳体下面的油池里,通常是用离心泵将油压送到压缩机,润滑各部件。在制冷循环过程中,因为润滑油与制冷剂蒸汽的亲和特性,有部份油与制冷剂一起运行。制冷系统仅配置一台压缩机,同行的润滑油最终会回到压缩机壳体内。但在配置二     

离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜.通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律.结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm·s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa.用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力.二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.     

热泵蒸发技术对废水处理的研究

热泵蒸发技术使用双效机械压缩式蒸发系统,通过补充一定的压缩功(耗电)代替了消耗大量的加热蒸汽(耗煤),而产生高温高压的蒸汽以提供蒸发器中溶液的蒸发所需要的能量。详细计算了蒸发过程,表明能量得到充分的利用,热泵蒸发系统比较节能。与传统水处理方法(化学法)相比,还不会造成后续污染。     

影响Sn电介质绝缘薄膜结构特性的因素

用热蒸发法为MOTOROLA中国电子有限公司手持电话外壳表面沉积了具有一定金属光泽的Sn电介质绝缘薄膜,论述了在真空度参数一定时,薄膜沉积时间、蒸发输入电流,以及蒸发源的排列方式诸方面的因素对沉积Sn电介质薄膜绝缘性能结构的影响.为此设计了专用环状面源层间互补蒸发电路,用于MOTOROLA中国电子有限公司及其在中国以外的公司生产手持电话外壳表面沉积Sn电介质绝缘薄膜.在生产实际过程中,有针对性地研究了影响沉积Sn电介质绝缘薄膜的各种因素,有效的控制了沉积Sn电介质绝缘薄膜的工艺参数.对指导大规模生产有较高参考价值.     

油水真空分离过程中气体速率对其效率的影响研究

为了获取气体速率对油水分离动态特性的影响规律,考虑了油水汽气四相流、水滴蒸发相变等因素,建立了滤油机的油水分离流场的数学物理模型以及水滴运动蒸发的相变方程;分析了不同气体速率对油水分离过程中的油水气四相体积分数分布以及轴向脱水率的影响规律,表明了不同气体速率情况下油水汽气四相流的动态特性,且气体速率会显著影响油水分离的脱水效率,对深入研究滤油机的油水分离机理奠定前期基础。     

热蒸发沉积TiO_2薄膜的光学及激光损伤特性

采用电子束热蒸发技术,用不同沉积速率制备了TiO_2薄膜。根据透射率谱计算了薄膜的光学带隙,采用椭偏法测量了薄膜的折射率、消光系数及厚度,分析了薄膜内部的电场强度分布,对其激光损伤特性进行了研究。结果表明,在所研究的工艺参数范围内,TiO_2薄膜的光学带隙比较稳定,随沉积速率的变化并不显著,其值大小在3.95eV-3.97eV。当沉积速率从0.088nm/s,0.128nm/s增加到0.18nm/s时,薄膜折射率从1.9782,1.9928,升高到2.0021(波长1064nm),但当沉积速率继续增加到0.327nm/s时,折射率反而降低到1.9663,薄膜的消光系数随着沉积速率的增加单调增加。采用同一高能激光损伤薄膜后,当沉积速率较低时制备薄膜的损伤斑大小基本一致,但以0.327nm/s较高速率制备的薄膜,其损伤斑明显增大。高沉积速率下制备的TiO_2薄膜的吸收较大,激光损伤阈值较低。     

磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的工艺研究

采用磁控溅射在硅晶基体上制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜,研究了溅射功率对溅射(沉积)速率和微观形貌的影响规律:随着溅射功率由80W增大到150W,薄膜的沉积速率增大;薄膜却由整齐均匀分布的小颗粒状向片状结构变化,分布也不均匀,晶粒明显长大.由此确定最佳溅射功率为120 W,薄膜的微观形貌最理想,溅射(沉积)速率也很快.