Ka频段250 W连续波行波管发射机研究

针对应用需求,开展了以行波管为核心的发射机研究工作,研制的发射机增益＞70 dB,饱和输出功率达250 W以上,1 dB压缩点输出功率＞160 W,效率达40%,输出功率1 dB压缩点后退7 dB时,三阶交调-35 dB。     

12GHz下噪声低达14dB的GaAsFET

据报导,日本电气公司已研制成在12GHz的频率下噪声低达1.4dB、最大达1.6dB的GaAsFET,现在已开始市售。这种新的FET的噪声系数比以往的同类型器件的噪声要低0.3～0.4(标准值)dB。在日本电器试制过程中,有的FET的噪声低达1.2bB。为了降低     

亚毫米波准光可调功率分配器

研制了一种由TPX介质双直角棱镜构成的可调功率分配器.用波长为337μm的HCN激光器作信号源,测得相对可调功率范围达14dB;用作可变衰减器时,可变衰减量达13.5dB,插入损耗约为4.5dB.     

X波段功率GaAs双栅MESFET的设计与制造

本文叙述微波功率双栅MES FET的设计与制造。介绍了实验结果。器件微波性能已达到10GHz下输出功率188mW,相应增益达9.7dB。用已定型的器件产品组成单级可变增益放大器,在9.952GHz下,输出功率大于100mW,相应增益达8dB,增益控制范围达30dB以上。     

H 形缝隙耦合双极化微带天线阵设计分析

设计并仿真了一种基于H 形缝隙耦合馈电,工作在u K 波段的微带双极化天线,并进行了4 单元平面组阵。4 单元阵实现的指标：驻波小于2 的相对带宽达到8.2%,双极化端口隔离度达-32dB,交叉极化达-23.5dB,方向图前后比 达-28dB,增益达到15dB,3dB 增益带宽达23.2%,并且两种极化下天线方向图有较好的一致性。天线采用多层结构,减 小了天线尺寸,并且两组馈电在不同夹层的设计使得进一步组阵变得便利,适应了双极化合成孔径雷达及抗多径干扰高 的移动通信系统的需要。     

低频高阻带抑制SAW有源滤波组件

介绍了一种低频高阻带抑制SAW有源滤波组件的设计方法，并介绍了最新研制的滤波组件的性能。其中心频率18MHz，通带波动0.5dB，近端阻带抑制达105dB，远端阻带抑制大于95dB（其中三次谐波抑制大于75dB)，增益8dB。     

降低Gz-10-1型中波广播发射机噪声电平的一些措施

哈尔滨广播器材厂生产的Gz-10-1型中波广播发射机噪声电平出厂指标为-55dB。我们经过调试,可使机器在大部分时间内保持在—58dB上,有时也达—60dB,但是这样的水     

一种2.4GHz多模块集成CMOS射频前端芯片

为提升无线通信终端中射频模组的集成度、降低终端的实现成本,基于0.18μm CMOS工艺设计了一款2.4 GHz射频前端芯片,片上集成射频功率放大器(PA)、射频低噪声放大器(LNA)、射频开关、基准源电路及数字控制电路,PA和LNA的阻抗匹配网络均采用片上元件实现.测试结果显示,接收模式下,芯片的增益为11.2 dB,输入\\输出回波损耗分别为-5.8 dB及-21.1 dB,IIP3为3.9 dBm;发射模式下,芯片增益达26.8 dB,输入\\输出回波损耗分别为-21 dB及-14.2 dB,输出1 dB压缩点为23.5 dBm,峰值PAE达24%.本芯片对于2.4 GHz ISM频段通信系统具备一定的应用价值.     

CGF-1型长波长(0.3μm)光时域反射计

本文介绍了CGF—1型长波长光时域反射计的基本原理,以及组成框图、误差分析及实测情况。它测长达22dB,测任意断点达10dB。     

光纤CATV系统光电接收器的研究

综合考虑高速光电探测器的频率特性以及宽带功率放大和匹配,并采用直接管芯贴装技术的高度集成封装的陶瓷基片厚膜电路以及国际标准化模块式结构,使研制的光电接收器带宽可达860MHz,频响平坦度达0.75dB,增益达11dB,具有较高的热稳定性。     

一种大动态视频对数放大器的设计

介绍了一种大动态范围视频对数放大器的设计,并给出了研制结果。该视频对数放大器是在自制单片IC基础上混合集成,单片IC采用PN结隔离双极工艺制作。经测试,该电路动态范围达84 dB、增益为75 dB、对数斜率为50 mV/dB、对数精度为±2 dB。     

W波段45°线极化天线阵设计

提出了一种带反射相消单元的W波段45度线极化微带贴片天线阵列.单列串馈天线阵采用泰勒加权结合反射相消单元实现了25dB的旁瓣抑制,通过添加贴边矩形槽改善了主瓣内的交叉极化.一阶十路功分器通过T型结取代一般的四分之一波长匹配段实现4.5倍的不等功分比.仿真与实测结果表明：组阵后的天线工作在75.7GHz~77.6GHz,水平和垂直方位3dB波束宽度可覆盖正负45度,该宽度内交叉极化比均高于18dB.天线增益达24dB,旁瓣抑制度达20dB.该天线形式可用于汽车防撞雷达并提高其抗干扰能力.     

低频大带宽声表面波滤波器

介绍了一种低频大带宽声表面波滤波器(SAWF)的设计方法，并介绍了最新研制的滤波器的性能。其中心频率16．28MHz，通带波动1．0dB，插入衰耗23dB，阻带抑制达40dB。     

半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成

报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成

采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55～1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比为25dB,插入损耗小于0dB,远场发散角为7.3°×18.0°,与单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

采用Y-41°LiNbO_3的宽带低损耗声表面波滤波器

本文介绍一种用Y-41°LiNbO_3作基片的宽带声表面波低损耗滤波器,它采用U型多条耦合单向换能器(UMSCU-UDT)和镜象阻抗连结耦合换能器结构,其性能是3dB相对带宽达10%,插人损耗≤7dB,带外抑制≥50dB.     

大连东信微波吸收材料有限公司

传统的实心泡沫角锥sA型,劈锥SAW型,锥高0．1～1．2m,当材料厚度L与波长λ之比L／λ达到1、2．5、6和12时,垂直入射的反射率RW可达-30dB、-40dB、-50dB和-60dB。广泛用于建造电波暗室,劈锥多用于低频和减小反向散射。     

大连东信微波吸收材料有限公司

传统的实心泡沫角锥SA型,劈锥SAW型,锥高0．1～1．2m,当材料厚度L与波长λ之比L／λ达到1、2．5、6和12时,垂直人射的反射率RW可达-30dB、-40dB、-50dB和-60dB。广泛用于建造电波暗室,劈锥多用于低频和减小反向散射。     

S／X双波段双极化共口径天线阵的设计

提出一种S/X双波段双极化共口径天线阵的新设计,以紧凑的三层结构实现了1:3的频率比.X波段采用双层贴片,并在下层贴片上开缝以提高其极化端口间的隔离度.S波段采用缝隙,刻蚀在X波段贴片的地板上,从而减少了阵列层数,简化了天线结构.仿真结果验证了本设计的有效性.X波段的相对阻抗带宽(S11≤-10dB)达15.5%(中心频率为9.6GHz),频带内隔离度大于25dB的带宽为1.2GHz,隔离度最大值达40dB.S波段为单层结构,相对阻抗带宽为5.5%(中心频率为3.3GHz).频带内隔离度优于27dB.试验阵列双波段交叉极化电平均低于-30dB.     

介质谐振器稳频的微波自振混频器

介绍了利用介质谐振器稳频,用场效应管(FET)或双极型晶体管制成的微波自振混频器的工作原理、实验电路及测试结果。实验表明,在X波段使用FET混频器变频增益达5.8dB,噪声系数为13.0dB。在C波段使用双极型晶体管,获得变频增益为4.8dB。