再次飞扬 索尼PMW—F3创作沙龙及附件发布

12月8日，索尼（中国）专业系统集团举办了索尼PMW—F3创作沙龙。在这次沙龙中，我们看到了F3及其精美的拍摄画面。无论是用在电影、纪录片的制作，还是在电视栏目中，F3所制造的画面都给人一种赏心悦目的享受。     

对共用天线插头座安装盒的改进建议

我们在维修楼房共用电视天线时发现，系统中的用户盒损坏很多，都是被衣柜或板式床架的靠墙面压坏的。如图la和图比所示，垂直于墙面的全部尺寸分别为：oplF头连接方式：8+8（含6）＋12＋5=33（mm）T头连接方式：8=16=24（mm）即使是减去墙裙的厚度8-10mm，还有20多毫米（F头）或10多毫米（T头）超出墙裙外表面。这就使得插头座经常受到压力或冲击力而损坏。为此，我们建议国标GB7393—87《声音和电视信号的电缆分配系统输出口基本尺寸》中的面板改为凹陷式．使得插头接好后，其最外点与面板外平面平齐。此时．暗装接线盒深度应增加20mm…     

新激光晶体BaLu2F8：Nd^3＋

带有三价澜系元素离子（Ln3+）的氟化物虽然数量不多（已知氟化物有12种单中心结构，而氧化物却有35种），但它们在近代量子电子学中起着重大作用。其中根据激光的巨大潜力（用不同的泵浦方法能在56个4fN—4FN通道（对Ln3+激活剂已知69个通道）和三个4fN-15d1-4fN多重化通道的斯塔克跃迁间在菱形晶体BaLu2F8（1）和单斜晶体BaY2F8（2）中的Nd3+离子在300K时的发光光谱（4F3／2—4F11／2）重跃迁宽光谱范围内实现振荡），分出四组有序结构化合物。这就是四方晶类LiRF4、单斜晶类BaR2F8和LiKRF3以及菱形晶类RF3（式中R＝Y和Ln）…     

剥离霍尔技术分析与实用中的问题

根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。     

TSBA8F40等：肖特基势垒二极管

天水天光半导体推出小尺寸的超小型双硅片无引脚封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管，产品采用了标准的01005芯片级封装技术，并推出系列产品：TSB02F30（0201）型、TSB05F20（0402）型、TSB10F40（0502）型、TSB20F40（0603）型DSN-2封装肖特基势垒二极管。     

EADS为德国海军导弹护卫舰装备MIDS数据链

美国《每日防务》2005年7月26日报道，欧洲航空防务与航天公司（EADS）昨天称，该公司与IBM（德国）公司签署了一份合同，向德国海军F122型护卫舰交付8套多功能信息分发系统（MIDS）小容量终端（LVT）数据链系统。该公司称，在德国海军F122护卫舰上装备16号数据链系统后，可使舰艇、飞机、其它军种的突击队和国际合作部队间实时交换战术数据。此次定购MIDS是F122型护卫舰指挥控制与武器系统能力增强计划的一部分。     

F原子与胺类分子反应的可见化学发光研究

在交叉分子束装置上，进行了F原子与胺类分子（甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺）反应的可见化学发光实验研究，依次观察到了HF（3，0）、（4，0）、（5，1）、（6，2）、（7，3）、（8，4），HCF（A－X）和CN（A，B－X）的发射光谱．除F原子与甲胺的反应外，其余反应还观察到TCH（A－X）发射谱．依据产物光谱强度随反应物和反应压力的变化，对F原子与胺类分子反应的动力学过程进行了分析．     

Microchip推出内含ADC的6脚小型高速单片机PIC10F

单片机和模拟半导体供应商Microchip Technologv Inc．（美国微芯科技公司）日前在其最小PIC10F单片机系列中又推出两款新产品PIC10F220和PIC10F222。新的8位闪存PIC单片机内部新增了一个片上8位模数转换器（ADC），采用6引脚SOT-23封装，从而可为客户提供更为丰富的选择。4     

F100 HCMOS系列：振荡器

Fox Electronics Asia Ltd．推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1．8V（F110系列）、2．5V（F140系列）和3．3V（F130系列）三种选择,频率范围在1．0MHz-80．0MHz之间,全部均采用侧高低至0．8mm、占位面积为2．0mm×1．6mm的紧凑型封装。     

在环境低迷中发展在景气复苏中进步——Ramtron公司年度回顾与展望

Ramtron公司是铁电随机存取存储器（F—RAM）技术的领先厂商，相比其它半导体技术，F—RAM技术具有一组独特的功能特性。现在，我们已是中国和世界各地公认的设计、开发和提供F—RAM半导体存储器和集成半导体解决方案的领导厂商。     

基于DSP的无速度反馈直接转矩控制系统设计

直接转矩控制（DTC）是继矢量控制之后的一种高性能交流调速方法。文中提出了一种基于DSP（TMS320F2812）的无速度反馈直接转矩控制系统，给出了硬件设计和软件设计方案，系统采用C语言编程，可读性和可移植性强。     

基于深度优先多径参数估计的NLOS定位增强算法

为了提高非视距（NLOS）环境中的毫米波系统定位精度，基于分布式压缩感知理论，提出一种深度优先的多路径参数估计算法。通过估计出来的多径参数来识别NLOS路径，增强了定位性能。首先，使用深度优先算法来减少非必要的路径搜索，获得更加准确的多径参数。其次，采用反向定位距离残差的方法进行NLOS多径识别。然后，对NLOS路径中的散射体进行匹配，估计出散射体的位置并将其视为虚拟锚节点。结合基站与虚拟锚节点的信息实现定位增强。最后，对所提算法的定位性能进行了仿真，与距离加权最小二乘（LS）算法和最大鉴别变换（MDT）算法相比，所提算法的性能分别提升了17%和8%。     

基于深度残差神经网络的AES密码芯片电磁攻击研究

基于"分而治之"方法提出了一种在完全未知明文、密文及泄露中间值情况下的电磁泄漏攻击方法.设计深度残差神经网络模型，对基于现场可编程逻辑门阵列（field programmable gate array，FPGA）的密码芯片高级加密标准（advanced encryption standard，AES）加密算法进行了电磁分析攻击.该模型包括数据扩展层和深度残差层两部分.数据扩展层将一维电磁信号数据扩展到二维，有效降低了模型的训练难度；深度残差层是基于残差块的深度神经网络，有效解决了深层网络的收敛难、调优难等问题.在明文和密文完全未知的情况下，仅仅通过采集到的电磁泄漏信号，利用该模型对密钥的最后两位进行了恢复实验，实验结果表明准确率达到了91.8%.在同等条件下，该模型的准确度比支持向量机（support vector machine，SVM）模型提升了近8%.     

氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究

在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析（FTIR）和X射线光电子能谱分析（XPS）对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx（x=2～3）以及位于DC交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C：F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]／（[C4F8]＋[CH4]）的减小．α-C：F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx（x=2～3）基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高。α-C：F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C：F薄膜的介电常数有所增加。     

基于主成分分析和深度自编码高斯混合模型的无监督异常数据检测方法研究

在异常数据检测中，由于数据量过大和数据特征维度过高，往往会导致数据标定困难、数据冗余、算法效率降低等。针对以上问题，将主成分分析（PCA）特征选择算法与深度自编码高斯混合模型（DAGMM）相结合，提出一种新的无监督异常数据检测方法 PCA-DAGMM。该方法首先利用PCA特征选择算法对数据进行预处理，去除对分类效果增益较小的冗余数据，降低运算成本；然后将特征选择后的数据输入到DAGMM模型中进行训练。基于kddcup99数据集和CIC-IDS-2017数据集进行实验，并与多种特征选择算法进行对比，实验结果表明，PCA-DAGMM方法可以有效优化分类器性能，提高分类器训练效率，适用于解决网络流量异常检测问题，F1指数在kddcup99数据集和CIC-IDS-2017数据集上比DAGMM模型分别提高了4.37%和1.06%，训练时间减少了14.43%和8%。     

激光二极管泵Nd：Sr5（PO4）3F小型绿光激光器

1引言绿光波长范围的小型全固态激光器具有潜在好处，尤其是在光谱学、显示、光数据存储和水下通信方面的应用。产生这些波长的最有效方法是激光二极管泵浦掺钕固态激光器内腔倍频法。为得到此类激光器，激光晶体必须有大发射截面、长发射寿命、低无源损耗和有效吸收频带。Nd：YVO4是该领域的主要竞争者之一［1］。最近，人们正积极努力开发具有较高掺钕水平和较短吸收深度的激光媒体，如Nd：Ca5（PO4）3F、Nd：Sr5（VO4）3F、Nd：Sr5（PO4）3F［2～4］和Nd：Sr5（PO4）3F，后者［利用传统Czochralski法，在掺Nd3＋的基质材料Sr5…     

医疗电子用高可靠性固钽电容

TM8器件采用独有的多阵列封装（MAP）,显著降低了直流漏电,并实现了更好的稳定性。此外,器件遵照MIL-PRF-55365标准进行了严格的处理和测试。在7种紧凑的外形尺寸内,TM8系列提供1μF／40V～47μF／10V的容量～电压（CV）等级范围。电容器很适合植入式医疗设备、医疗仪器及军工／航天系统等关键应用中对长期性能的要求。     

光纤己成为网络的首选介质

1 简介仅在10年之前，3类（CAT 3）（布线系统）还被认为是一种可以接受的布线系统，而且仅在5年之前，类（CAT 5）（布线系统）被推介为一种预计使用寿命至少为15年的布线解决方案。目前，我们拥有了超5类（CAT 5e）、6类（Class E）、甚至7类（Class F）布线解决方案。尽管反复承诺铜缆布线系统拥有15年且实际上拥有20年的预期使用寿命，但近15年来，为跟上日益发展的复杂应用系统和最新布线标准的要求，用户不得不对其房屋进行两次或三次布线。这是因为，互联网和企业内部网络的发展，以及诸如电视会议等功能日益强大且具有更大带…     

PIC12F（LF）I840／16F（LF）I847：MCU

Microchip Technology推出其增强型中档内核8位PIC单片机（MCU）系列,外设丰富、低引脚数的PIC12F（LF）1840和PIC16F（LF）1847。全新器件分别配备7kB和14kB片上闪存,达1k的RAM,是8和18引脚封装产品中存储容量较高的PICMCU。     

一种基于DSP的串行通信程序设计

介绍了TI（Texas Instruments)公司生产的一种新型DSP控制器（TMS320F240）的结构、原理和基本工作方式，并结合实际工作需要，设计了基于DSP的串行通信程序。